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一种取向硅钢极薄冷轧板钢带的焊接系统及方法,于该系统内设有焊轮及与焊轮电连接的焊接控制器;所述焊轮由前后呈直线布设的主焊轮、副焊轮构成;所述焊接控制器由分别与主焊轮电连接的第一焊接控制器、与副焊轮电连接的第二焊接控制器构成。所述焊接基于单排焊,仅使用一次焊接行程,通过设置的第一次焊接与第二次碾压焊接依次作业完成。本发明的一种取向硅钢极薄冷轧板钢带的焊接系统及方法,针对取向硅钢极薄钢带冷轧板焊接的问题,对传统电阻焊焊机拥有的碾压轮改造及建立的相应焊接工艺。平衡了热量积累与质量保证两者,解决了取向硅钢极薄钢带冷轧板焊接容易发生虚焊、爆焊和焊接时间长等问题。同时和传统电阻焊焊机相比焊接工艺窗口更大,焊接效率更高。
2021-09-27 194 6.8

介绍在取向硅钢生产中抑制剂的作用以及多元抑制剂的机理和应用情况,分析多元抑制剂方案中各种元素对高磁感取向硅钢性能的影响,并根据生产实践提出了进一步研究的方向. The role of an inhibitor in the production of grain oriented silicon steel,and the mechanism of multiplex inhibitor in the production are described in the present article.In addition,the influence of various elements in the multiplex inhibitor on the performance of grain oriented silicon steel with high magnetic induction is elucidated.Further work needed in this research is also indicated. 
2013-01-28 194 5.8

本实用新型属于冷轧硅钢技术领域的一种冷轧硅钢无压回水自动控制设备,包括底座,底座外表面的上端固定连接有工作台,工作台外表面上端的两侧分别固定连接有固定柱和压辊主体,工作台外表面上端的中部滑动连接有移动架,压辊主体的下端设置有集水槽,集水槽的内表面设置有浮球液位传感器。液压杆工作推动移动架位移到合适的位置,再通过气缸使伸缩管发生位移,使出水口接近钢板,设置的水箱高于出水口所以水可以在重力的作用下流淌,流出的水流到集水槽内,水流在集水槽内聚集,水流使浮球液位传感器的浮球上升,上升到合适的位置时,浮球液位传感器通过电缆发生电信号至控制器,此设置可以实现设备的自动控制,省去人工进行操作。
2021-11-29 194 6.8

本实用新型公开了一种硅钢炉底辊套管生产用沥青浸煮装置,包括机身底座和支撑腿,所述机身底座顶部表面中间位置固定安装有浸煮机构,所述浸煮机构两侧内部中间位置固定安装有电热丝。本实用新型通过,采用了生产框、搅拌桨,在实际使用过程中,代加工工件可以放置到生产框内部,然后进行沥青浸煮作业,通过搅拌桨可以对沥青进行持续不断的搅拌,使得沥青与工件的接触面积增大,提高浸煮效果,当浸煮完成之后,通过液压缸将生产框向上移动,使得生产框两侧卡接在电动伸缩套内部,然后通过振动电机运转带动生产框进行左右震动,使得工件表面残留的沥青得以掉落,提高工件表面的整洁度,便于后续使用,具有浸煮效果好、沥青无残留的优点。
2021-10-13 194 6.8

本发明属于酸洗设备技术领域,具体涉及一种硅钢生产用酸洗设备,包括酸洗池、放卷机构和收卷机构,酸洗池被依次分隔为第一酸洗腔、第二酸洗腔、浸泡腔和喷洗腔;第一酸洗腔和第二酸洗腔内滑动连接有刷洗架,浸泡腔内滑动连接有定位架,喷洗腔内滑动连接有喷洗架;刷洗架、定位架和喷洗架上均转动连接有多根转辊,转辊上设有刷毛;刷洗架和喷洗架上设有用于驱动转辊转动的驱动件;喷洗架上的转辊开有空腔和多个与空腔连通的喷孔,喷洗架上开有与空腔连通的通道和与通道连通的进水口;喷洗腔的底部和侧壁设有多个喷头;酸洗池内转动连接有多根位于第一隔墙上方的刷辊。在本方案,通过酸洗以及充分的刷洗,能够充分有效的除去硅钢表面的氧化皮。
2021-01-29 194 6.8

本申请涉及硅钢制造技术领域,尤其涉及一种去除耐热刻痕取向硅钢中熔覆物的化学试剂及其方法。所述化学试剂的组分以质量分数计包括:强酸溶液:8%~20%;酸性氧化剂:5%~15%或助剂:5%~20%;其余为溶剂;其中,所述强酸溶液包括硫酸、盐酸和硝酸中任意一种。本申请实施例提供的该方法,通过10%~20%强酸溶液,可快速有效地去除取向硅钢刻痕处的熔融物,而酸性氧化剂:5%~15%,或助剂:5%~20%结合合适浓度的强酸溶液,可以将取向硅钢的基体破坏降到最小,两种综合作用,得到表面平整的耐热刻痕取向硅钢。
2021-11-17 193 6.8

借助电子背散射(EBSD)技术对AlN为主抑制剂的Hi-B取向硅钢常化工艺的中间冷却制度进行了研究。结果表明:常化后试样均发生了完全再结晶,在60℃/s冷速下组织最均匀;在合适的冷却制度下常化板表层保留了强的Goss织构,它深入到1/4厚度处,并且形成对Goss织构有利的强{554}<225>织构。 The intermediate cooling system of Hi-B oriented silicon steel with AlN main inhibitor in normalizing process was studied by means of electron back diffraction(EBSD) technique. The results show that:the specimens after normalizing are fully recrystallization, and the microstructure is most uniform under the intermediate cooling rate of 60℃/s; under suitable cooling system, normalized plate surface retains strong Goss texture, it penetrates into the 1/4 thickness of the plate and forming strong {... 
2014-11-28 193 5.8

【摘要】 <正>2014年5月9日,从武钢硅钢事业部获悉,...
2014-06-28 192 5.8

本实用新型属于抛丸设备技术领域,具体涉及一种防飞料的硅钢抛丸设备,包括料仓和安装在料仓内的抛丸器,料仓的相对两侧上开有对称设置的通口,抛丸室内设有穿过两通口并向料仓室外延伸的输送辊道,输送辊道包括辊架和转动连接在辊架上的多个转辊;料仓的侧壁上滑动连接有用于封堵通口的挡料板,挡料板上设有用于固定挡料板的固定件;挡料板的下部内滑动连接有一端伸出挡料板的密封板,密封板与挡料板之间连接有弹性件。使用本方案,硅钢与通口之间的缝隙能被有效封堵,有效避免钢丸通过通口与硅钢之间的缝隙排出,提高抛丸设备的密封性,防止飞料。
2020-12-31 192 6.8

本发明涉及硅钢片叠片领域,具体涉及一种硅钢片自动叠片设备,包括滑移架、安装座和若干个单层碟片机,每个单层碟片机均包括码放架、横向拉移机构、下压机构、两个同步拉进机构、双层同步下压机构、传动连接器、第二弹性安装座、三个第一弹性安装座和五个电磁铁,通过双层同步下压机构,通过传动板能够与传动连接器之间自动分离,避免使用驱动源进行分离,降低了设备成本,通过传动连接器带动传动管进行移动,减少使用驱动源,降低设备的成本,传动连接器进行下降时也将带动传动管进行下降,使得中部硅钢片、两个纵向硅钢片和横向硅钢片之间进行同时下降,增加了工人的观察时间,减少出现硅钢片偏移的风险。
2021-10-31 192 6.8

本实用新型涉及一种硅钢卷用放料架,属于硅钢卷放料技术领域。包括底板、升降台、支撑座、旋转座、固定轴、内限位块、轴套和外挡块,所述底板上设有升降台,升降台上设有支撑座,支撑座上设有旋转座,旋转座上对称设有两组固定轴,所述固定轴内侧固定有内限位块,其外侧设有可拆卸的外挡块,所述轴套安装在内限位块和外挡块之间的固定轴上且可相对固定轴转动;本实用新型采用升降台,方便人工将笨重的硅钢卷轻松的装入固定轴上,通过可拆卸的外挡块固定,安装快捷,节省人力,安全可靠。
2021-06-15 191 6.8

通过对辉光放电发射光谱参数的优化,以铁元素为内标来消除基体效应,建立了测定硅钢薄板中微量硼元素的方法。优化的实验参数为:放电电压1200 V,放电电流50 mA,预溅射时间40 s,积分时间10 s。校准曲线硼元素含量范围0.0001%~0.022%,相关系数大于0.999,测量结果与认定值一致,相对标准偏差小于10%。完全能够满足日常分析测试的要求。 A glow discharge optical emission spectrometry(GD-OES) method for determining trace boron element in silicon steel sheets were established through optimization of instrumental parameters and using Fe element as an internal standard to eliminate the matrix effect.The optimized instrumental parameters included discharge voltage,discharge current,pre-sputtering time and integration time,which are 1200 V,50 mA,40 s,and 10 s,respectively.The content of boron element that can be determined from the ca... 
2011-03-28 191 5.8

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