硅钢资料

本实用新型公开了一种硅钢炉底辊套管生产用沥青浸煮装置，包括机身底座和支撑腿,所述机身底座顶部表面中间位置固定安装有浸煮机构，所述浸煮机构两侧内部中间位置固定安装有电热丝。本实用新型通过，采用了生产框、搅拌桨，在实际使用过程中，代加工工件可以放置到生产框内部，然后进行沥青浸煮作业，通过搅拌桨可以对沥青进行持续不断的搅拌，使得沥青与工件的接触面积增大，提高浸煮效果，当浸煮完成之后，通过液压缸将生产框向上移动，使得生产框两侧卡接在电动伸缩套内部，然后通过振动电机运转带动生产框进行左右震动，使得工件表面残留的沥青得以掉落，提高工件表面的整洁度，便于后续使用，具有浸煮效果好、沥青无残留的优点。

本实用新型公开了一种变压器铁芯硅钢片纵剪滚切装置，包括纵剪机本体、弹性压覆机构和涂油机构，所述纵剪机本体的进料端设置有弹性压覆机构，料带通过弹性压覆机构压覆在纵剪机本体的支撑平台上，所述支撑平台上凹设有安装凹槽，所述安装凹槽内设置有涂油机构，所述涂油机构朝向于料带的底面涂油，通过涂油机构对板材的切割面进行涂油，能够对料带起到润滑和冷却的作用，提升料带切割质量。

根据本发明的一个实施例的取向电工钢板，其中存在于电工钢板表面的沟槽以及与沟槽底部相连的再结晶和其他再结晶的平均取向度差为0.5°至10°。

本实用新型公开了一种无取向硅钢厚涂层涂层液生产用纯水制水机，包括底板，底板顶端的两侧分别固定设有固定座和存水筒，固定座顶端的中部设有蒸馏组件，蒸馏组件包括球形釜，球形釜设置在固定座的顶部，球形釜的外部固定套设有导热层，导热层的内部固定嵌设有电热丝，导热层的外部固定套设有隔热层，本实用新型的有益效果是：通过设置的电热丝通过导热层对球形釜内部的水进行加热，球形釜提供更加均匀的受热效果，水蒸气通过V形管进入L形管，通过设置的环状冷却管内部的液氮对水蒸气进行冷却，便于提供更高效的蒸馏处理，通过设置的防腐蚀磁铁网格滤板、无纺布滤层、活性炭滤层和高密度滤网层，便于提供更好的过滤效果。

本实用新型公开了一种无取向硅钢的绝缘涂料喷涂装置，包括喷涂支架，所述喷涂支架安装有输送装置，所述喷涂支架的顶端侧壁水平方向固定有横向支撑板；本实用新型通过电机与第二行程开关接触启动工作，带动齿轮转动，驱动支撑杆左移，使喷涂喷头左移喷涂硅钢左端上表面，当电机接触到第一行程开关后，使电机工作带动齿轮反向转动，驱动支撑杆和喷涂喷头右移，在一定范围内，使喷涂喷头可以喷涂不同宽度的硅钢，通过施力转动螺杆，使螺杆左移、右移，使第一行程开关在水平方向移动，调节第一行程开关和第二行程开关之间的水平距离，从而调节喷涂喷头水平方向活动范围，根据硅钢宽度需求喷涂。

本发明相对于板厚较薄的电磁钢板提供不会导致磁特性劣化的基于激光的加工方法。在对电磁钢板进行使用激光的熔断并将该电磁钢板加工成规定的形状的电磁钢板的加工方法中，使上述激光的扫描速度成为10000mm/min以上来进行上述熔断。

本发明属于金属材料加工技术领域，具体涉及取向硅钢罩式炉高温退火低保温阶段二段式退火工艺，包括：将涂镁取向硅钢卷装入密闭的罩式炉中，并向罩式炉内通入氮气将炉内氧气充分排出；通电升温并将氮气转换为10m3/h氨分解气，接着点燃放散阀，将温度升至500‑600℃，恒温13h；500‑600℃低保温结束后检测内部气体露点是否小于0℃；本发明提供的取向硅钢罩式炉高温退火低保温阶段二段式退火工艺能够解决普通冷轧取向硅钢罩式炉高温退火热处理低保温阶段，钢卷在高温下不被水蒸汽氧化，消除钢带表面露金、发红、发黑、水印、色泽不均、导通缺陷，降低钢带铁损、提高磁感、降低生产成本。

通过对湿H2气氛下,相同退火温度、不同退火时间的CGO硅钢初次再结晶样品进行金相组织观察,并进行了EBSD微观织构分析,研究了CGO硅钢初次再结晶过程中的组织及再结晶织构演变行为。结果表明,在湿H2气氛下,820℃保温,CGO硅钢初次再结晶过程约在120 s时完成。随着退火时间的延长,γ面上{111}<112>织构含量逐渐减少,{111}<110>织构先减少后增多,随着再结晶的完成,部分{111}<112>取向晶粒向高斯{110}<001>取向转化的同时,也向{111}<110>取向转化,高斯{110}<001>织构含量逐渐增多。高斯取向晶粒较多是由{111}<112>取向晶粒转化而来,同时也证明了CGO硅钢高斯取向晶粒的二次再结晶异常长大生长机制为择优形核。 Microstructure development and texture evolution of conventional grain oriented silicon steel,which were annealed at same annealing temperature and different annealing time under wet H2 atmosphere,were investigated through metallographic observation and electron backscattered diffraction analyzing.The results show that the primary recrystallization finishes in 120 s at 820 ℃ under wet H2 atmosphere.With the extending of annealing time,{111}<112> texture decreases,{111}<110> texture d... 

本发明涉及卷取领域，具体涉及硅钢卷取机卷筒结构，包括机架、收卷辊和按压捆绑机构，按压捆绑机构位于收卷辊一侧，按压捆绑机构包括按压单元和捆绑单元，捆绑单元包括捆绑辊、转动辊、成卷的胶带和两个滑块，两个滑块均滑动设置于机架上，滑块的下端固定有能与机架相抵的下卡块，捆绑辊固定设置于两个滑块之间，捆绑辊上设有凹槽；按压单元包括两个按压部，每个按压部包括按压管和弹簧，按压管通过弹簧与凹槽的侧壁连接，转动辊设置于按压管内，成卷的胶带套设于转动辊上，凹槽的侧壁设有供胶带通过的通槽。采用本技术方案时，有利于避免成卷的硅钢卷松动且能对硅钢卷进行捆绑。

利用DSC、XRD,结合热焓分析对硅钢级氧化镁和二氧化硅的固相反应行为进行了研究。比较了不同二氧化硅原料及混合方法对硅钢级氧化镁反应性的影响,找到了一种更为有效的硅钢级氧化镁反应性的评估方法,克服了传统柠檬酸活性法在比较不同厂家生产的氧化镁的反应性上的局限性。进一步研究了Na₂B₄O₇添加剂、TiO₂添加剂对氧化镁和二氧化硅反应行为的影响,结果表明,Na₂B₄O₇添加剂含量的增加对反应有利,而TiO₂添加剂对反应有阻碍作用。 The solid-state reaction behavior between silicon-steel grade MgO and SiO₂ was investigated by DSC and XRD combined with enthalpimetric analysis.The influence of different kinds of SiO₂ and different preparation methods were studied and a specifical measurement that is more reliable was proposed to evaluate reactivity of silicon steel grade MgO.It overcomes the limitation of the traditional citric acid activity（CAA） method,which can not be used to evaluate the reactivity of... 

本发明公开了一种消除取向硅钢单边浪缺陷的方法，其包括如下步骤：1)、制作专用盖板；所述专用盖板包括环形板，所述环形板外边缘设有多个剪开处；2)、将待装炉的取向硅钢钢卷吊运至高温退火炉炉台；3)、将专用盖板铺于取向硅钢钢卷上端面外圈；4)、将专用盖板上的各剪开处向下弯折，勾住取向硅钢钢卷外沿；5)、扣上内罩，内罩底边砂封；6)、钢卷进炉，完成高温退火过程。本发明能有效保护钢卷边部，防止钢卷上端面翻边；该方法还能将钢卷内部水分排出，避免钢带表面氧化。

试验了通过NaCl-KCl-NaF-SiO₂熔盐在电流密度50 mA/cm²、电沉积脉冲电流正反向比9:1和750⁸50℃60min电沉积下阴极（/mm）20×20×0.5的1.6Si无取向冷轧硅钢片断面层硅的分布,并通过计算得出Si的扩散系数。结果表明,电沉积温度由750℃提高至850℃时,试样中Si含量增加,扩散的深度由18μm提高到40μm;电沉积温度与Si在钢中的扩散系数近似符合Arrhenius指数关系。 The distribution of silicon at cross section of cathode（/mm） 20 × 20 × 0.5 sheet of 1.6Si non-oriented cold rolled silicon steel after electro-deposit treatment by NaCl-KCl-NaF-SiO₂ molten salt with current intensity 50 mA/cm²,electro-deposit pulse current positive-negative ratio 9:1 at 750 850 ℃ for 60 min has been tested and the diffusion coefficient of Si is obtained by calculation.Results show that with increasing electro-deposit temperature from 750 ℃ to 85...