本发明的一个实施方案提供一种取向电工钢板及其制造方法,以重量%计,所述取向电工钢板包含:Si:3.0‑4.5%、Mn:0.05‑0.2%、Al:0.015‑0.035%、C:0.0015%以下(0%除外)、N:0.0015%以下(0%除外)、S:0.0015%以下(0%除外)、余量的Fe及其它不可避免的杂质,并且满足以下关系式1和关系式2。[关系式1](W13/50/W17/50)≤0.57[关系式2](W15/50/W17/50)≤0.76(其中,所述关系式1中,Wx/y表示施加磁场的大小为x/10T且频率为yHz的条件下的铁损值)。
基本信息
申请号:CN202080087113.3
申请日期:20201215
公开号:CN202080087113.3
公开日期:20220729
申请人:POSCO公司
申请人地址:韩国庆尚北道
发明人:朴昶洙;韩奎锡;徐进旭;朴攸峻
当前权利人:POSCO公司
代理机构:北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人:林玉妹;闫承蛟
主权利要求
1.一种取向电工钢板,以重量%计,所述取向电工钢板包含:Si:3.0-4.5%、Mn:0.05-0.2%、Al:0.015-0.035%、C:0.0015%以下且0%除外、N:0.0015%以下且0%除外、S:0.0015%以下且0%除外、余量的Fe及其它不可避免的杂质,并且满足以下关系式1和关系式2,[关系式1](W13/50/W17/50)≤0.57[关系式2](W15/50/W17/50)≤0.76其中,所述关系式1中,Wx/y表示施加磁场的大小为x/10T且频率为yHz的条件下的铁损值。
权利要求
1.一种取向电工钢板,以重量%计,所述取向电工钢板包含:Si:3.0-4.5%、Mn:0.05-0.2%、Al:0.015-0.035%、C:0.0015%以下且0%除外、N:0.0015%以下且0%除外、S:0.0015%以下且0%除外、余量的Fe及其它不可避免的杂质,并且满足以下关系式1和关系式2,
[关系式1](W
13/50/W
17/50)≤0.57
[关系式2](W
15/50/W
17/50)≤0.76
其中,所述关系式1中,W
x/y表示施加磁场的大小为x/10T且频率为yHz的条件下的铁损值。
2.根据权利要求1所述的取向电工钢板,其中,所述取向电工钢板的磁通密度为1.94T以上。
3.根据权利要求1所述的取向电工钢板,其中,所述取向电工钢板的以轧制面为基准的粒径为100mm以上的晶粒所占的面积比为20%以下。
4.一种制造取向电工钢板的方法,其包括以下步骤:
将钢坯进行加热,以重量%计,所述钢坯包含Si:3.0-4.5%、Mn:0.05-0.2%、Al:0.015-0.035%、C:0.005-0.1%、N:0.005%以下且0%除外、S:0.005%以下且0%除外、余量的Fe及其它不可避免的杂质;
将加热的所述钢坯进行热轧以获得热轧板;
将所述热轧板进行冷轧以获得冷轧板;
将所述冷轧板进行一次再结晶退火;以及
将一次再结晶退火的所述冷轧板进行二次再结晶退火,
其中,所述二次再结晶退火的步骤包括升温步骤和均热步骤,
所述升温步骤包括一次升温和二次升温,
所述一次升温和所述二次升温时,一次升温速度和二次升温速度满足以下关系式3,
所述一次升温速度为5-15℃/小时,
所述均热时,在1150℃以上保持10小时以上,
[关系式3](一次升温速度)≥2×(二次升温速度)。
5.根据权利要求4所述的制造取向电工钢板的方法,其中,将所述钢坯进行加热时,加热温度为1000-1280℃。
6.根据权利要求4所述的制造取向电工钢板的方法,其中,所述热轧时,精轧温度为950℃以下。
7.根据权利要求4所述的制造取向电工钢板的方法,其中,在获得所述热轧板的步骤后,进一步包括将所述热轧板进行水冷后在600℃以下进行收卷的步骤。
8.根据权利要求4所述的制造取向电工钢板的方法,其中,在获得所述热轧板的步骤后,进一步包括在900℃以上将热轧板进行退火的步骤。
9.根据权利要求4所述的制造取向电工钢板的方法,其中,所述一次再结晶退火在露点温度为50-70℃的气氛中在850-950℃的温度下进行。
10.根据权利要求4所述的制造取向电工钢板的方法,其中,所述一次升温时,起始温度为700-800℃。
11.根据权利要求4所述的制造取向电工钢板的方法,其中,所述二次升温时,起始温度为1000-1100℃。
12.根据权利要求4所述的制造取向电工钢板的方法,其中,所述二次升温时,升温速度为7.5℃/小时以下。
13.根据权利要求4所述的制造取向电工钢板的方法,其中,在所述二次再结晶退火步骤后,进一步包括在二次再结晶退火的冷轧板的表面上形成绝缘膜的步骤。
说明书
取向电工钢板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种取向电工钢板及其制造方法。
背景技术
取向电工钢板是由具有钢板的晶体取向为{110}<001>的所谓的高斯(Goss)取向的晶粒组成的轧制方向上的磁特性优异的软磁性材料。
通常,磁特性可以用磁通密度和铁损来表示,并且通过在{110}<001>取向上精确地排列晶粒的取向,可以获得高磁通密度。磁通密度高的电工钢板不仅可以减小电气设备的铁芯材料的尺寸,而且降低磁滞损耗(Hysteresis loss),从而可以实现电气设备的小型化的同时提高高效率化。铁损是向钢板施加任意的交流磁场时作为热能消耗的功率损耗,根据钢板的磁通密度和板厚度、钢板中的杂质量、电阻率及二次再结晶晶粒尺寸等而发生大的变化,并且磁通密度和电阻率越高且板厚度和钢板中的杂质量越低,铁损降低,从而增加电气设备的效率。
为了使高斯取向发达,需要非常精确并严格地控制从炼钢步骤中的成分控制到热轧、热轧板退火、冷轧、一次退火及二次退火等各种工艺条件。
特别地,在二次退火步骤中会发生高斯取向的生长,侵蚀由于钢板中分散的抑制剂(Inhibitor)成分而抑制生长的其它晶体,因此(110)<001>晶体优先生长(二次再结晶)。
通常,已知为了使高斯取向稳定且强烈地发达,从升温区间到二次再结晶起始温度,优选以缓慢的速度进行升温。
然而,当二次退火升温过程中降低升温速度时,高斯取向的晶体尺寸变得非常粗大,随着高斯取向的晶体尺寸增加,由于磁畴尺寸增加引起的涡流损耗(Eddy-currentloss)的增加,铁损特性可能会变差。
特别地,随着施加的磁场的大小减小,其影响变大,因此与保证取向电工钢板产品的特性的1.7T下的铁损值相比,实际变压器工作的1.5T以下的区域中的损耗的递减效应更显著增加。
因此,单纯地仅通过降低二次退火升温过程中的升温速度,难以制造低磁场特性优异的同时具有高磁通密度的取向电工钢板。
发明内容
要解决的技术问题
本发明的一个方面的目的在于提供一种低磁场特性优异的同时具有高磁通密度的取向电工钢板及其制造方法。
技术方案
本发明的一个实施方案提供一种取向电工钢板,以重量%计,所述取向电工钢板包含:Si:3.0-4.5%、Mn:0.05-0.2%、Al:0.015-0.035%、C:0.0015%以下(0%除外)、N:0.0015%以下(0%除外)、S:0.0015%以下(0%除外)、余量的Fe及其它不可避免的杂质,并且满足以下关系式1和关系式2。
[关系式1](W
13/50/W
17/50)≤0.57
[关系式2](W
15/50/W
17/50)≤0.76
(其中,所述关系式1中,W
x/y表示施加磁场的大小为x/10T且频率为yHz的条件下的铁损值。)
本发明的另一个实施方案提供一种制造取向电工钢板的方法,其包括以下步骤:将钢坯进行加热,以重量%计,所述钢坯包含Si:3.0-4.5%、Mn:0.05-0.2%、Al:0.015-0.035%、C:0.005-0.1%、N:0.005%以下(0%除外)、S:0.005%以下(0%除外)、余量的Fe及其它不可避免的杂质;将加热的所述钢坯进行热轧以获得热轧板;将所述热轧板进行冷轧以获得冷轧板;将所述冷轧板进行一次再结晶退火;以及将一次再结晶退火的所述冷轧板进行二次再结晶退火,其中,所述二次再结晶退火的步骤包括升温步骤和均热步骤,所述升温步骤包括一次升温和二次升温,所述一次升温和所述二次升温时,一次升温速度和二次升温速度满足以下关系式3,所述一次升温速度为5-15℃/小时,所述均热时,在1150℃以上保持10小时以上。
[关系式3](一次升温速度)≥2×(二次升温速度)。
有益效果
根据本发明的一个方面,可以提供一种低磁场特性优异的同时具有高磁通密度的取向电工钢板及其制造方法。
最佳实施方式
以下,对根据本发明的一个实施方案的取向电工钢板进行说明。根据本发明的一个实施方案的取向电工钢板中,以重量%计,包含:Si:3.0-4.5%、Mn:0.05-0.2%、Al:0.015-0.035%、C:0.0015%以下(0%除外)、N:0.0015%以下(0%除外)、S:0.0015%以下(0%除外)、余量的Fe及其它不可避免的杂质,并且满足以下关系式1和关系式2。
[关系式1](W
13/50/W
17/50)≤0.57
[关系式2](W
15/50/W
17/50)≤0.76
(其中,所述关系式1中,W
x/y表示施加磁场的大小为x/10T且频率为yHz的条件下的铁损值。)
本发明的取向电工钢板满足所述关系式1和所述关系式2,从而可以确保优异的低磁场铁损,而且可以确保1.94T(特斯拉(tesla))以上的优异的磁通密度,最终可以确保优异的磁特性。
并且,本发明的取向电工钢板的以轧制面为基准的粒径为100mm以上的晶粒所占的面积比优选为20%以下。当高斯取向的粒径增加时,磁畴间距增加,导致低磁场中的磁化特性降低,并且低磁场铁损会变差。特别地,在二次再结晶退火步骤中,当升温速度降低时,在卷板上部产生温度梯度,导致颗粒尺寸为100mm以上的粗大晶粒的分数增加,这种粗大晶粒对低磁场铁损的劣化产生较大的影响。因此,以轧制面为基准的粒径为100mm以上的晶粒所占的面积比优选为20%以下。本发明中描述的轧制面是指钢板的板面。
以下,对制造本发明的取向电工钢板的方法的一个实施方案进行说明。根据本发明的一个实施方案的制造取向电工钢板的方法包括以下步骤:将钢坯进行加热,以重量%计,所述钢坯包含Si:3.0-4.5%、Mn:0.05-0.2%、Al:0.015-0.035%、C:0.005-0.1%、N:0.005%以下(0%除外)、S:0.005%以下(0%除外)、余量的Fe及其它不可避免的杂质;将加热的所述钢坯进行热轧以获得热轧板;将所述热轧板进行冷轧以获得冷轧板;将所述冷轧板进行一次再结晶退火;以及将一次再结晶退火的所述冷轧板进行二次再结晶退火,其中,所述二次再结晶退火的步骤包括升温步骤和均热步骤,所述升温步骤包括一次升温和二次升温,所述一次升温和所述二次升温时,一次升温速度和二次升温速度满足以下关系式3,所述一次升温速度为5-15℃/小时,所述均热时,在1150℃以上保持10小时以上。
[关系式3](一次升温速度)≥2×(二次升温速度)
首先,对合金组成进行说明。除非另有特别说明,否则以下说明的取向电工钢板的合金组成的单位是指重量%。
Si:3.0-4.5%
硅(Si)是电工钢板的基本组成,起到通过增加材料的电阻率来改善铁损的作用。当Si含量小于3.0%时,电阻率降低,涡流损耗增加,因此具有铁损特性变差的缺点。另一方面,当Si含量超过4.5%时,机械特性中的延展性和韧性降低,轧制过程中频繁地发生板断裂,而且用于商业生产的连续退火时的板间焊接性变差,因此具有生产性变差的缺点。因此,所述Si的含量优选具有3.0-4.5%的范围。所述Si含量的下限更优选为3.1%,进一步优选为3.3%。所述Si含量的上限更优选为4.0%,进一步优选为3.8%。
Mn:0.05-0.2%
与Si相同,锰(Mn)不仅具有增加电阻率来降低涡流损耗而降低铁损的效果,而且与钢中存在的S反应形成Mn系化合物或者与Al、Si及N离子反应形成(Al,Si,Mn)N形式的氮化物,从而起到形成晶粒生长抑制剂的作用。当所述Mn的含量小于0.05%时,不能期待上述效果,当Mn的含量超过0.2%时,二次再结晶退火中奥氏体相变率增加,导致高斯织构严重破坏,因此磁特性可能会急剧降低。因此,所述Mn的含量优选具有0.05-0.2%的范围。所述Mn含量的下限更优选为0.08%,进一步优选为0.1%。所述Mn含量的上限更优选为0.18%,进一步优选为0.15%。
Al:0.015-0.035%
铝(Al)不仅与由脱碳氮化退火过程中作为气氛气体的氨气引入的N离子结合形成AlN形式的氮化物,而且与钢中以固溶状态存在的Si、Mn及N离子结合形成(Al,Si,Mn)N形式的氮化物,从而起到形成晶粒生长抑制剂的作用。当所述Al的含量小于0.015%时,不能期待上述效果,当所述Al的含量超过0.035%时,形成非常粗大的氮化物,因此晶粒生长抑制力可能会急剧降低。因此,所述Al的含量优选具有0.015-0.035%的范围。所述Al含量的下限更优选为0.023%,进一步优选为0.028%。所述Al含量的上限更优选为0.033%,进一步优选为0.031%。
C:0.005-0.1%
碳(C)是奥氏体稳定化元素,并且起到添加到板坯中以使连铸过程中产生的粗大的柱状组织微细化并抑制S的板坯中心偏析的作用。此外,在冷轧中促进钢板的加工硬化,从而还起到促进钢板中的{110}<001>取向的二次再结晶的成核的作用。然而,当所述C的含量小于0.005%时,难以充分期待上述效果,当所述C的含量超过0.1%时,钢板内部的碳化物增加,可能会导致冷轧特性变差。因此,所述C的含量优选具有0.005-0.1%的范围。所述C含量的下限更优选为0.03%,进一步优选为0.05%。所述C含量的上限更优选为0.8%,进一步优选为0.65%。另外,在最终获得的取向电工钢板中所包含的C引发磁时效而使磁通密度和低磁场特性劣化,因此在制造电工钢板的过程中经过脱碳退火,并且经过这种脱碳退火而最终获得的取向电工钢板中的C含量优选为0.0015%以下。
N:0.005%以下(0%除外)
氮(N)是与Si、Al及Mn反应而形成AlN和(Al,Si,Mn)N等化合物的重要元素,并且在板坯中可以包含0.005%以下的N。然而,当所述N的含量超过0.005%时,在热轧之后的工艺中引发氮扩散引起的鼓泡(blister)等表面缺陷,而且板坯状态下会形成过多的氮化物,因此不易进行轧制,从而成为制造成本增加的原因。因此,所述N的含量优选具有0.005%以下(0%除外)的范围。所述N含量的下限更优选为0.002%,进一步优选为0.003%。所述N含量的上限更优选为0.0045%,进一步优选为0.0040%。另外,用于形成高斯织构的二次再结晶的氮化物的强化通过氮化处理进行,在氮化处理中,通过在脱碳退火工艺中引入的氨气作为气氛气体,使N离子扩散到钢中。并且,所述N也是引起磁时效的元素,并且可以使磁通密度和低磁场铁损特性变差,因此在二次退火工艺中会经过纯化退火,并且经过这种纯化退火而最终获得的取向电工钢板中的N的含量优选为0.0015%以下。
S:0.005%以下(0%除外)
硫(S)是制造工艺中不可避免地含有的元素,当S含量超过0.005%时,在铸造时偏析到板坯中心部而引起脆性,并且与钢中的Mn反应形成Mn系硫化物,使微细组织不均匀,并且使轧制性变差。因此,所述S的含量优选具有0.005%以下(0%除外)的范围。所述S的含量更优选为0.0045%以下,进一步优选为0.004%以下。另外,所述S也是引起磁时效的元素,为了改善低磁场铁损特性,在二次退火工艺中经过纯化退火,经过这种纯化退火而最终获得的取向电工钢板中的S含量优选为0.0015%以下。
本发明的取向电工钢板和所述取向电工钢板的制造方法中利用的钢坯的剩余合金成分为Fe,并且可以包含本技术领域中不可避免地含有的其它杂质。
首先,对具有如上所述的合金组成的钢坯进行加热。所述钢坯时,加热温度可以为1000-1280℃。通过以上述加热温度范围进行加热,防止板坯的柱状晶组织粗大地生长,从而可以防止热轧工艺中产生板的裂纹。当所述钢坯的加热温度超过1280℃时,难以充分获得上述效果,当所述钢坯的加热温度低于1000℃时,铸造过程中形成的析出物在板坯的过热过程中没有被再固溶,从而热轧后会形成非常粗大的析出物,由此对组织的控制产生不利影响,并且具有导致铁损变差的缺点。所述钢坯的加热温度的下限更优选为1050℃,进一步优选为1100℃。所述钢坯的加热温度的上限更优选为1250℃,进一步优选为1200℃。
之后,将加热的所述钢坯进行热轧以获得热轧板。本发明中对所述热轧温度不作特别限定,并且可以应用本技术领域中通常利用的温度范围。然而,作为一个实例,所述热轧时的精轧温度可以为950℃以下。当所述热轧时的精轧温度超过950℃时,完成热轧之后发生相变,因此可能会引起织构的劣化。通过所述热轧获得的热轧板可以具有1.5-5.5mm的厚度。
所述热轧后,可以将所述热轧板进行水冷,然后在600℃以下进行收卷。当所述收卷温度超过600℃时,随着形成在钢内部的析出物的尺寸变大,磁性可能会变差。
另外,根据需要,所述热轧板可以进行热轧板退火或不进行热轧板退火而进行冷轧。当进行热轧板退火时,为了均匀地形成热轧组织,可以加热至900℃以上的温度并进行均热后进行冷却。
之后,将所述热轧板进行冷轧以获得冷轧板。所述冷轧时,可以利用可逆(Reverse)轧机或串列(Tandom)轧机,并且使用一次冷轧、多次冷轧或包括中间退火的多次冷轧方法。通过所述冷轧获得的冷轧板可以具有0.1-0.5mm的厚度。此外,可以在所述冷轧中进行将钢板的温度保持在100℃以上的温轧。另外,通过所述冷轧的最终压下率可以为50-95%。
之后,将所述冷轧板进行一次再结晶退火。所述一次再结晶退火步骤中发生形成高斯晶粒的核的一次再结晶。所述一次再结晶退火过程中可以进行钢板的脱碳和氮化。为了脱碳和氮化,可以在水蒸气、氢气和氨的混合气体气氛下进行一次再结晶退火。为了脱碳,所述一次再结晶退火可以在露点温度为50-70℃的气氛中在850-950℃的温度下进行。所述一次再结晶退火时,当露点温度低于50℃时,由于脱碳能力不足,不能充分去除钢中的碳,当露点温度超过70℃时,钢板表面上形成大量的Fe系的氧化层,因此可能会导致最终产品的表面缺陷。当所述一次再结晶退火温度低于850℃时,由于再结晶晶粒微细地生长,晶体生长驱动力增加,因此可能不会发生稳定的二次再结晶,当所述一次再结晶退火温度超过950℃时,由于再结晶晶粒粗大地生长,晶体生长驱动力降低,因此可能不会发生稳定的二次再结晶。另外,所述一次再结晶退火时,本发明中对退火时间不作特别限定,但鉴于生产性,通常可以控制在5分钟以内。所述一次再结晶退火时,为了氮化,就使用氨气向钢板引入N离子来形成作为主要析出物的(Al,Si,Mn)N和AlN等氮化物而言,完成脱碳和再结晶并进行氮化处理的方法、或者进行脱碳的同时进行氮化处理的方法、或者先进行氮化处理后进行脱碳退火的方法中的任一种在发挥本发明的效果方面没有问题。
之后,将一次再结晶退火的所述冷轧板进行二次再结晶退火。所述二次再结晶退火可以通过在完成一次再结晶退火的所述冷轧板上涂覆退火分离剂后进行退火的方法进行。本发明中,对所述退火分离剂的种类不作特别限定,例如可以使用包含MgO作为主要成分的退火分离剂。
所述二次再结晶退火的步骤包括升温步骤和均热步骤,所述升温步骤包括一次升温和二次升温,所述一次升温和所述二次升温时,一次升温速度和二次升温速度优选满足以下关系式3。并且,所述一次升温速度优选为5-15℃/小时,所述一次升温时的起始温度优选为700-800℃,所述二次升温时的起始温度优选为1000-1100℃,所述二次升温时的升温速度优选为7.5℃/小时以下。
[关系式3](一次升温速度)≥2×(二次升温速度)
将升温速度在两个条件下进行的理由如下。
升温步骤中发生高斯取向的二次再结晶,并且升温速度越慢,靠近{110}<001>取向的高斯晶体优先生长,因此集成度增加,磁通密度上升,但在低温下发生二次再结晶,因此高斯取向的晶体尺寸增加,导致低磁场特性变差。因此,优选地,在由于如AlN等析出物而高斯晶体无法很好地生长的低的温度范围内,提高升温速度,在由于AlN被分解而高斯晶体很好地生长的高的温度范围内,降低升温速度,从而提高高斯取向的集成度的同时抑制高斯取向的晶体尺寸的粗大化。
为此,在本发明中,如上所述,所述二次再结晶退火时,将升温速度区分为两个步骤,但优选地,一次升温时的起始温度控制在700-800℃,二次升温时的起始温度控制在1000-1100℃。当所述一次升温时的起始温度低于700℃时,具有退火时间变长而降低生产性的缺点,当所述一次升温时的起始温度超过800℃时,在没有充分去除退火分离剂中包含的水分的状态下上升至高温,因此可能会导致表面质量变差。当所述二次升温时的起始温度低于1000℃时,高斯晶粒的尺寸变得粗大,导致低磁场铁损特性变差,当所述二次升温时的起始温度超过1100℃时,在升温速度变化之前高斯取向的生长已经开始,不能控制集成度,因此不能获得高的磁通密度特性。
所述一次升温速度优选为5-15℃/小时,当所述一次升温速度小于5℃/小时时,从非常低的温度开始发生高斯颗粒的二次再结晶,导致高斯晶体取向的集成度变差,当所述一次升温速度超过15℃/小时时,卷板内的温度梯度加剧,粗大晶粒的分数可能会增加。并且,如同关系式3,一次升温速度优选比二次升温速度高两倍以上,如果不是这种情况,由于低的升温速度,高斯取向晶体生长活跃,因此可能不会发生稳定的二次再结晶。
所述二次再结晶退火步骤中的均热步骤可以在1150℃以上保持10小时以上。所述均热步骤的目的是去除钢中分布且引起磁时效的C、N及S,为了改善低磁场特性,需要将各成分的含量降低至0.0015重量%以下。当所述均热步骤时的均热温度低于1150℃或者均热时间小于10小时时,可能难以控制C、N及S的含量。
之后,根据需要,对于如上所述获得的取向电工钢板,还可以在其表面上形成绝缘膜。作为所述绝缘膜的实例,可以利用镁橄榄石膜。
具体实施方式
以下,通过实施例,对本发明进行更详细的说明。然而,下述实施例仅仅是用于更详细地说明本发明的示例,并不是用于限定本发明的权利范围。
(实施例1)
准备钢坯,以重量%计,所述钢坯包含Si:3.15%、C:0.052%、Mn:0.105%、Al:0.028%、N:0.0045%、S:0.0045%、余量的Fe及其它杂质。在1150℃下将所述钢坯进行加热,接着热轧成2.6m的厚度以制造热轧板。将该热轧板加热至1050℃以上的温度,然后在910℃下保持90秒并进行水冷后进行酸洗。接着,利用可逆轧机进行冷轧至0.27mm的厚度以制造冷轧板。在65℃的露点温度气氛中,在860℃下将该冷轧板保持120秒以进行一次再结晶退火。之后,涂覆MgO后以卷板形式进行收卷,然后进行二次再结晶退火。此时,二次再结晶退火过程中,从750℃加热至1210℃时,如下表1所示,控制一次升温速度和二次升温速度,均热通过在1210℃下保持20小时来进行,之后进行炉冷以制造取向电工钢板。如上所述制造的取向电工钢板的合金组成中,以重量%计,包含:Si:3.15%、C:0.0012%、Mn:0.105%、Al:0.028%、N:0.001%及S:0.001%。测量如上所述制造的取向电工钢板的磁通密度和铁损,并记载于下表1中。
磁特性是利用爱泼斯坦(Epstein)测量法进行测量,磁通密度是对800A/m的磁场下感应出的磁通密度的大小(特斯拉)进行测量,铁损是在施加磁场的大小为1.3T、1.5T及1.7T且频率为50Hz的条件下分别进行测量。
[表1]
通过所述表1可知,在二次再结晶退火过程中将升温速度设为两个步骤并且将一次升温速度和二次升温速度以及二次升温起始温度适当地调节为如本发明中提出的条件的发明例1至发明例5的情况下,可以确认低磁场铁损优异的同时磁通密度(B
8)为1.94T以上。
另一方面,不满足本发明中提出的条件的比较例1至比较例9的情况下,可以确认无法确保1.94T以上的磁通密度(B
8),或者尽管磁通密度(B
8)高,但低磁场铁损差。
(实施例2)
将通过实施例1制造的取向电工钢板中的一部分浸入浓度为20体积%且加热至50℃的盐酸中10分钟以去除表面上形成的底涂,然后测量晶粒粒径,并记载于下表2中。
[表2]
通过所述表2可知,满足本发明中提出的条件的发明例1至发明例4的情况下,可知以轧制面为基准的粒径为100mm以上的晶粒(粗大晶粒)所占的面积比为20%以下,但不满足本发明中提出的条件的比较例4和比较例7的情况下,可以确认以轧制面为基准的粒径为100mm以上的晶粒(粗大晶粒)所占的面积比超过20%。