硅钢资料

本实用新型公开了一种变压器铁芯用硅钢片卷放料装置，其包括底座、换位旋转机构，换位旋转机构包括设置于底座上端的旋转座、换位旋转驱动组件、至少两个以上的放卷工位，换位旋转驱动组件用于驱动旋转座相对于底座绕设置的换位旋转轴线旋转，至少两个以上放卷工位以换位旋转轴线为圆心呈环形间隔设置于旋转座，放卷工位包括有可转动安装于旋转座上的放卷筒。当其中一个放卷筒进行放卷送料时，另外的放卷筒进行上卷，当该放卷筒放卷完后，换位旋转驱动组件驱动旋转座转动，使得另外的装有硅钢片卷的放卷筒转动至放卷送料的位置，而该放卷筒就可进行上卷，如此循环操作，实现了放料装置对硅钢片卷的同步放卷放料和上卷，提高生产的效率。

热轧轧制工艺对产品性能和轧制稳定性影响很大,对中低牌号无取向电工钢,当在两相区轧制时,热轧塑性明显降低,板形变坏,易出现边裂等情况。以50W1000为例,通过对其变形抗力进行研究,得出把两相区控制在F4与F5之间为最佳轧制工艺的结论。在此基础上制定了一套较为合理的热轧工艺制度。采用新的轧制工艺后,50W1000热轧精轧的稳定性明显改善,热轧产品合格率由开发初期的40%左右提高到95%以上。 The hot rolling process has great influence on product′s performance and rolling stability.For the low medium grade non-oriented electrical steel,when non-oriented electrical steel is rolled in tow phase region,the hot rolling plasticity reduces obviously,the shape of strip goes bad and easily to crack at the edge.The deformation resistance of 50W1000 steel was investigated.The results show that the optimal rolling process is to control the two phase region between F4 and F5.Based on the results... 

本实用新型公开一种具有硅钢片定位结构的变压器，包括：变压器箱体，其内部具有安装硅钢片铁芯的安装区域；多个定位销布置于安装区域的四周，且滑动安装于变压器箱体的内部底壁上；多个定位导块分别对应的活动式插接于每个定位销上，定位导块朝向安装区域的侧壁设有第一凹槽，定位导块的底部设有第二凹槽，第二凹槽与定位销配合嵌入弹性卡接；多组抵接组件，分别对应的安装于多个定位导块上，抵接组件包括弹性件和半球形块，半球形块与第一凹槽过渡配合，弹性件用于半球形块与硅钢片铁芯弹性抵接。从而通过该变压器的定位结构不仅可对不同型号大小的硅钢片铁芯进行定位，便于硅钢片铁芯散热的同时，也便于取出硅钢片铁芯。

本实用新型公开了一种薄带取向电工钢的热处理炉板，炉板的中心设置有气流循环通孔，炉板的硅钢卷预定压接面设置有通气槽，炉板内设置有进气孔，进气孔的第一孔口设置于通气槽中，进气孔的第二孔口设置于炉板的侧壁上。该薄带取向电工钢的热处理炉板在设置通气槽的基础上，进一步设置进气孔，通过向进气孔中导入气流，增加通气槽的进气量，有助于硅钢卷与炉板压接侧边处水蒸气的及时排出，进一步提高卷内硅钢的热处理品质。本实用新型还公开了一种包含热处理炉板的薄带取向电工钢罩式炉。

本发明公开了一种弧形硅钢片、弧形硅钢片治具及弧形硅钢片制造方法；弧形硅钢片治具包括压制底板和侧挤压板，压制底板和侧挤压板之间具有挤压间隙，挤压间隙的两侧分别设置有位于压制底板内侧的外挤压面和位于压制底板外侧的内挤压面，外挤压面和内挤压面的对应位置上开设有若干齿槽加工台阶，压制底板的下方开设有若干与挤压间隙连通的焊接孔，压制底板和侧挤压板的侧面对应位置设置有贯穿压制底板和侧挤压板的冲压模孔；通过弧形硅钢片制造方法，采用弧形硅钢片治具制成弧形硅钢片。本发明采用弧形硅钢片治具及弧形硅钢片制造方法实现动子中弧形硅钢片的压制成型，通过弧形硅钢片实现直线电机的圆周运动或圆弧运动。

本实用新型涉及熔融石英陶瓷生产技术领域，且公开了一种高密度熔融石英陶瓷高磁感硅钢炉，包括底板，所述底板的顶部固定连接有高磁感硅钢炉本体，所述高磁感硅钢炉本体的顶部固定连接有密封轨，所述底板顶部的左右两端均固定连接有立柱，所述立柱的顶部固定连接有箱体，所述箱体的右侧固定连接有调节电机，所述调节电机的输出轴固定连接有螺杆，所述螺杆外表面的左右两端均螺纹连接有滑块，所述滑块的底部铰接有连杆，所述连杆的底部铰接有封板。该高密度熔融石英陶瓷高磁感硅钢炉，通过将调节电机的旋转力，转换为封板的上下移动力，无需人工手动开启或关闭，消除了安全隐患的同时，省时省力，操作简便。

本发明公开了一种消除取向硅钢热轧边裂的制造方法，通过成分设计、热轧加热和轧制参数优化等方面控制方面，有效解决取向硅钢热轧板边裂缺陷，提高材料的成材率，可以有效消除取向硅钢热轧板的边裂并能保证良好的成品磁性能。

本发明涉及一种防止低温加热取向硅钢热轧边裂的方法，包括：1)控制取向硅钢铸坯进入加热炉前的表面温度；2)控制加热段各段炉气温度；3)二加热段采用加速加热；4)控制总加热时间；5)控制出炉温度；6)控制精轧道次及侧压量；7)控制精轧道次及终轧温度；8)精轧前对钢带边部进行加热补偿。本发明通过合理制定取向硅钢的加热温度、加热时间和轧制工艺制度，避免或消除了低温加热取向硅钢热轧边裂问题。

本发明涉及含Cu无取向硅钢的生产方法，转炉炼钢，真空处理过后连铸成坯；铸坯化学成分：1.0≤Si/Cu≤3.0,3.0≤Si+Cu≤5.5％，S≤0.0015％，(Mn+Cu)/S≥3000，其他为Fe,Als,P以及不可避免的杂质元素；对铸坯进行粗轧；粗轧后的中间坯采用热卷机进行强制卷取，开卷后中间坯进入保温箱，控制保温箱内冷却速度≤5℃/s；进入保温箱的中间坯温度T1满足：1000‑(Si+Cu)×103≤T1≤1100‑(Si+Cu)×103；高压除鳞，精轧，层流冷却，卷取；连续酸洗；冷轧到目标厚度，成品退火，涂层；成品卷进行时效处理。成品卷具有较低的中高频铁损，高磁感和高屈服强度。

含铜抑制剂作为取向硅钢的主抑制剂或辅助抑制剂不仅可以抑制初次晶粒的长大,促进二次再结晶,还可以降低铸坯的加热温度。取向硅钢中主要抑制剂为10～50 nm Cu₂S,在钢的铸坯、热轧、冷轧、脱碳等工艺过程均可析出;（Cu,Mn）_1.8S、Cu_1.8S、ε-Cu等主要作为辅助抑制剂,尺寸一般为30～50 nm（或大于50 nm）,主要在热轧阶段析出。总结了国内外有关取向硅钢中含铜抑制剂析出行为的研究进展,当前主要研究不同生产流程和工序中含铜抑制剂的析出行为和作用机理。 As main inhibitor or auxiliary inhibitor for grain-oriented silicon steel,the particles of inhibitor bearing copper not only inhibit the primary crystal growing and promote the secondary recrystallization,but also decrease the heat temperature of casting slab.The main inhibitor for grain-oriented silicon steel is 10～50 nm Cu₂S,which precipitate in process and procedure including steel casting slab,hot rolling,cold rolling and decarburizing process,while the 30～50 nm or more than 50 nm... 

【摘要】 <正>近日,世界上最先进的硅钢冷连轧酸轧...

采用磁控溅射方法,分别在纯Fe以及低硅钢基片上沉积富Si膜,并对其进行真空扩散热处理.通过能谱分析及X射线衍射研究了Si在纯Fe与低硅钢基体中的扩散特征,运用DICTRA软件建立了扩散模型.研究发现Si在纯Fe基体中扩散时发生γ-Fe(Si)→α-Fe(Si)相转变,扩散速率受控于相界面的迁移.当沿截面Si含量梯度不足以驱动相界面正向迁移时,延长扩散时间会发生相界面回迁现象,最终趋于单一相内均匀化扩散过程.Si在低硅钢基体中的扩散符合Fick扩散第二定律. Si-rich films were deposited on pure iron and low-Si steel substrates by direct current magnetron sputtering,and then were subjected to vacuum annealing.The distribution characteristics of Si across Fe and low-Si steel substrates were studied by energy spectrum analysis(EDS) and X-ray diffraction(XRD).DICTRA software was used to simulate the diffusion models.It is found that the diffusion behavior of Si in the Fe substrate is from γ-Fe(Si) phase to α-Fe(Si) phase and the rate of diffusion is con...