硅钢资料

本发明公开了叠片装置，以及采用该叠片装置的硅钢片收料设备，包括分料装置和本发明第一方面实施例的叠片装置，分料装置包括有分料件、上分料传送带和下分料传送带，上分料传送带的一端和下分料传送带的一端与分料件连接，分料件用于将硅钢片分别输送至上分料传送带和下分料传送带，本发明第一方面实施例的叠片装置，叠片装置的数量为两个，两个叠片装置上下平行设置，并且分别与上分料传送带和下分料传送带的远离分料件的一端连接。根据本发明的叠片装置，以及采用该叠片装置的硅钢片收料设备，可实现硅钢片的自动叠片，提高生产效率。

本实用新型公开了一种硅钢片表面涂漆装置，包括平台，所述平台的上表面固定安装有固定框，固定框的内顶壁开设有矩形槽，矩形槽的两侧内壁转动连接有丝杠，且固定框的侧面设置有用于驱动丝杠转动的驱动电机，丝杠的表面螺纹连接有移动块，移动块的下表面固定安装有连接杆。该硅钢片表面涂漆装置，在对硅钢片进行喷涂时，能够将硅钢片挂在挂钩上，并启动驱动电机带动丝杠转动，从而使硅钢片移动至雾化喷头的位置后，在喷涂泵和旋转电机的作用下对其进行旋转喷涂，从而有效的提高了喷涂的均匀度，同时喷涂完成后，驱动电机反转，并启动暖风机，在硅钢片向外移动的过程中通过蛇形管道对其进行热风干处理，简单便捷，有效的提高了工作效率。

本实用新型公开了一种硅钢片横剪线裁切设备，包括：本体，所述本体包括工作台、挡屑罩和裁切装置，所述挡屑罩内水平固定安装有横杆，所述裁切装置与横杆下表面滑动连接；两个定位机构，所述定位机构包括第一螺纹杆、第一滑块和压板，所述挡屑罩内壁开设有两个安装槽，两根所述第一螺纹杆分别转动安装在两个安装槽内，两个所述第一滑块分别螺纹套设在两根第一螺纹杆上，两个所述压板分别与两个第一滑块远离安装槽槽底的一端水平固定链接；两个驱动机构，所述驱动机构用于控制第一螺纹杆发生转动。通过驱动装置控制定位机构中压板在垂直方向上的位置便可快速实现对硅钢片的定位工作和解除工作，方便快捷，提高了裁切工作的效率。

通过后天抑制剂获得法制备了取向硅钢,对渗氮前后和高温退火升温阶段析出物的析出和转化规律进行了研究。研究结果表明,渗氮前脱碳退火态基体中存在少量的粗大AlN颗粒和细小AlN颗粒,渗氮处理后新析出大量的Si3N4析出物,高温退火升温阶段Si3N4将转化为(Al,Si)N,随着温度的继续升高(Al,Si)N颗粒将发生粗化,(Al,Si)N是后天抑制剂获得法制备取向硅钢的主要抑制剂。 Grain-oriented silicon steels were produced by acquired inhibitor method.The rule of precipitate transformation was studied after nitriding treatment and high-temperature finishing annealing.The results show that a small amount of large AlN and fine AlN are found in matrix before nitriding treatment,and a large amount of Si3N4 is precipitated in matrix after nitriding treatment.During the temperature rising period of high-temperature finishing annealing,Si3N4 would transform into(Al,Si)N,and(Al,... 

为了解决目前冷轧产线硅钢现有切边技术存在的微裂纹、应力、毛刺和边浪等问题,采用光纤激光器进行了高速切割实验,对激光功率、切割速度、激光模式等影响因素进行了分析,同时对高速切割时的切割前沿形状进行了研究。结果表明,切割最高速度随着功率的增加而增加;随着离焦量的增加,切割质量下降,挂渣增多,切缝宽度增加,切割深度变浅;基模激光器能量密度更高,所以薄板切割时的切割速度高于多模激光器;切割前沿随着切割速度的增加会变得平缓,速度足够大时,切割前沿甚至接近与切割方向平行,此时切缝下部存在挂渣现象。 In order to solve the problems such as micro crack,stress,burr,edge waves and so on,existing in cold rolling production line of silicon steel side cutting,experimentsof high speed laser cutting using fiber laser were carried out.Laser power,cutting speed,laser mode and other factors were analyzed,at the same time,cutting front geometries were studied.The results show that the maximum speed increases with power.And the increases of defocus result in poor quality,wider kerf and shallowerkerf.Energ... 

介绍了CSP工艺生产无取向电工钢各工序的设备特点、采用的工艺控制手段和电工钢产品质量情况,结合生产实践证明了马钢CSP工艺开发的无取向电工钢产品丰富了薄板坯连铸连轧的品种结构,发挥了薄板坯连铸连轧生产无取向电工钢性能均一、稳定的特点。 The equipment characteristic,the process control method and the quality of non-orientated silicon steel by CSP process were introduced.Combined with the production situation,it is proved that production of non-orientated silicon steel developed on Masteel CSP line would enrich product structure of thin slab continuous casting and rolling,and it exerts stable performance of non-orientated silicon steel. 

本发明提出了一种控制磁畴结构来降低铁损的取向性电磁钢板的制造方法中，即使在实施了去应力退火的情况下，也能够保持铁损降低效果，并且在磁畴控制处理后磁通密度不会降低的方法。本发明的制造方法中，在取向性电磁钢板的表面，沿与钢板的轧制方向交叉的方向线状地照射周边比中心低的环状的强度分布的激光。

本发明公开了一种硅钢片宽度偏差检测装置及其检测方法，属于硅钢片检测领域。一种硅钢片宽度偏差检测装置，包括检测装置上的第一输送机体，还包括：多个均匀分布的隔板，均固定安装在第一输送机体的皮带表面；开槽，设置在所述第一输送机体的侧壁；装置盒，通过上下滑动机构与所述第一输送机体连接，其中，所述装置盒内通过顶紧机构滑动安装有滚轮；第一支架，固定安装在第一输送机体的侧壁；装置板，通过转轴转动连接在第一支架的侧壁，所述转轴位于装置板的侧壁中部，所述装置板两端设有自动推料机构；本发明中的硅钢片宽度偏差检测装置不仅可以更高精度的检测硅钢片的宽度，并且还能将不达标的硅钢片自动筛选出来，使用更加的方便。

本发明提供一种含铜一般取向硅钢及其制备方法，制备方法包括：对钢板进行脱碳退火，得到脱碳钢，其中，将所述脱碳钢的氧含量控制在如下公式计算的范围内：ψO＝(0.0504×ωSi×H2±0.00005)×106，其中，ψO为脱碳钢的氧含量，单位为ppm；ωSi为钢板中Si的重量百分含量；H为钢板的厚度，单位为mm；将所述脱碳钢进行冷轧、涂布氧化镁涂层、卷曲和成卷退火，得到退火钢卷；对所述退火钢卷进行开卷，再涂敷张应力涂层和拉伸平整退火，制得含铜一般取向硅钢。本发明根据钢板中Si的实际含量及钢板厚度，调整脱碳钢的氧含量，以获得表面质量良好、磁性水平稳定的含铜一般取向硅钢产品。

【机构】 商务部进出口公平贸易局； ...

本发明涉及薄规格高牌号无取向硅钢冷轧领域。一种提高超薄规格高牌号无取向硅钢厚度精度的冷轧方法，硅钢成品厚度规格在0.15mm～0.25mm，坯料采用常化酸洗切边后的硅钢卷，初始厚度为2.0～2.3mm，采用二十辊单机架轧机轧制，在轧制过程中，对整个轧制过程进行控制。本发明的有益效果是：解决二十辊轧机超薄规格无取向冷轧硅钢纵向厚度波动同时减小横向同板差的方法。

对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验,借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角在10°以上;900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒;950~1000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角3°~6°;在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势. The high-temperature annealing process of high permeability grain-oriented silicon steel with AlN as an inhibitor was studied by interrupting test.The evolution of Goss texture in this process was analyzed by electron back-scattered diffraction.It is found that the Goss grain size first decreases and then increases with the rise of temperature.Goss texture appears in the orientation distribution function at 800 ℃,but the intensity is very weak and the deviation angle is more than 10°.The average...