钢厂
CN202023246581.7硅钢冷轧用厚壁套筒
本实用新型涉及硅钢生产设备技术领域,具体公开了硅钢冷轧用厚壁套筒,包括外筒和内筒,所述外筒与内筒之间固定有若干连接板,所述外筒上开设有插缝槽,所述外筒的内壁上设有靠近插缝槽设置的限位件,所述限位件包括锁止板和弹性件,弹性件一端固定在外筒的内壁上,另一端固定在锁止板的顶部,所述锁止板上设有朝向插缝槽的斜面。本专利中通过外筒与内筒设置,既提高了整个套筒的厚度,使其能够承受硅钢带卷绕时的压力,同时也减少因提高套筒厚度使得套筒的重量增加的问题,这样设置整个套筒的质量较轻。
CN202122881600.1一种无取向硅钢的绝缘涂料喷涂装置
本实用新型公开了一种无取向硅钢的绝缘涂料喷涂装置,包括喷涂支架,所述喷涂支架安装有输送装置,所述喷涂支架的顶端侧壁水平方向固定有横向支撑板;本实用新型通过电机与第二行程开关接触启动工作,带动齿轮转动,驱动支撑杆左移,使喷涂喷头左移喷涂硅钢左端上表面,当电机接触到第一行程开关后,使电机工作带动齿轮反向转动,驱动支撑杆和喷涂喷头右移,在一定范围内,使喷涂喷头可以喷涂不同宽度的硅钢,通过施力转动螺杆,使螺杆左移、右移,使第一行程开关在水平方向移动,调节第一行程开关和第二行程开关之间的水平距离,从而调节喷涂喷头水平方向活动范围,根据硅钢宽度需求喷涂。
电工钢热压缩时动、静态再结晶组织及取向分析
采用热模拟方法及EBSD技术,研究Fe-3 wt%Si电工钢在不同温度下组织的动、静态再结晶及晶粒取向特征,特别是少量奥氏体对铁素体动、静态再结晶组织及取向的影响。结果表明,不同温度形变的组织主要分三类:形变长条铁素体、珠光体和等轴细小铁素体。长条形变铁素体内发生动态回复或连续式的动态再结晶,奥氏体周围的铁素体动态再结晶加速,部分以传统的不连续方式动态再结晶。铁素体、奥氏体都可发生静态再结晶。奥氏体的静态再结晶在1050℃以上明显,铁素体的静态再结晶随温度的升高逐渐进行,最显著的再结晶发生在1050℃。不同温度形变的样品,其形变晶粒取向主要以<111>和<100>为主,小等轴铁素体晶粒除与大形变铁素体取向相近外,出现了<110>取向及其它取向。 Static and dynamic recrystallization and grain orientations in a hot-compressed Fe-3 wt% Si electrical steels were studied at different temperatures using Gleeble simulator and EBSD technique,particularly focusing on the effect of small amount of austenite on ferritic microstructure and orientations.The results show that microstructure of the compressed steel,depending on deformation temperature,consisted of elongated and deformed ferrite,pearlite and fine equal-axed ferrite.The elongated ferrit...
CN202121016000.2一种冷轧取向硅钢带整平装置
本实用新型公开了一种冷轧取向硅钢带整平装置,包括两个上下对称分布的保护罩,所述保护罩的内部均转动连接有展平辊,且展平辊的一端均延伸至保护罩的外部,所述保护罩的外壁设置有传动罩,且传动罩的外壁设置有动力箱,所述动力箱与展平辊传动连接,上下两个所述展平辊之间设置有其,特征在于,所述保护罩的两侧外壁均固定连接有支撑架,且支撑架的一侧外壁均设置有延展机构,两个所述延展机构之间设置有连接架,且连接架的一侧外壁设置有吸水布,所述吸水布的内部设置有胶板。本实用新型吸水布与硅钢带本体的外壁滑动接触,以此将展平时涂抹在硅钢带本体表面的水溶性润滑剂刮抹掉,减少硅钢带本体表面上的水分。
CN202123179290.5一种新型冷轧硅钢片的剪切装置
本实用新型公开了一种新型冷轧硅钢片的剪切装置,包括支架,为装置主要的支撑安装结构,所述支架的顶表面设置有剪切机,所述支架的中端设置有轨道架,所述支架底表面设置有导轨;第一底座,位于所述导轨外表面,所述第一底座对立面设置有第二底座,所述第一底座与所述第二底座内部连接有双向螺杆;夹持板,位于所述第一底座顶部,所述夹持板内部分别设置有丝杆与滑杆。该新型冷轧硅钢片的剪切装置,通过调整硅钢片在硅钢片纵剪线上的夹持方式,可以实现硅钢片剪切时两边不留余边的剪切制作过程,剪切完成后的硅钢片经过横剪及叠装后,在试验中检测不会增加空载损耗,不会造成多余的浪费,也不需要调整后期工序的加工工艺。
低温高磁感取向硅钢高温退火过程高斯晶粒的演变
对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验,借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角在10°以上;900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒;950~1000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角3°~6°;在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势. The high-temperature annealing process of high permeability grain-oriented silicon steel with AlN as an inhibitor was studied by interrupting test.The evolution of Goss texture in this process was analyzed by electron back-scattered diffraction.It is found that the Goss grain size first decreases and then increases with the rise of temperature.Goss texture appears in the orientation distribution function at 800 ℃,but the intensity is very weak and the deviation angle is more than 10°.The average...
退火工艺对3.15%Si冷轧无取向硅钢组织和织构的影响
试验研究了退火温度(850~950℃)和时间(5~18 min)对2.3 mm热轧硅钢板(/%:0.036C,3.15Si,0.21Mn,0.005P,0.007S,0.032A1)6道次轧制的0.35 mm冷轧板组织和织构的影响。结果表明,退火温度越高,晶粒平均尺寸越大,900℃5 min退火时平均晶粒尺寸41.39μm,试样织构主要集中在γ取向线上的{111}<112>织构组分和{111}<110>织构组分;900℃18 min退火时平均晶粒尺寸为48.08μm,试样的{111}面织构和{112}面织构密度都明显减弱,{001}面织构增强,磁性能较优。 The effect of annealing temperature(850 ~950 ℃) and holding time(5 ~ 18 min) on structure and texture of 0.35 mm sheet by 6 passes cold-rolling from 2.3 mm hot-rolled plate of silicon steel(/%:0.036 C,3.15 Si,0.21 Mn,0.005 P,0.007 S,0.032A1) has been tested and studied.Results show that the higher the annealing temperature the coarser the average grain size;As annealing at 900 ℃ for 5 min the average grain size of steel sheet is 41.39 μm,and the texture in sample is mainly concentrated in y orie...
CN202110734844.9一种硅钢片铁芯用自动叠装系统
本发明涉及一种硅钢片铁芯用自动叠装系统,托板、上料单元、精定位单元、叠装单元、抓取单元,所述上料单元有一个,位于中部位置,所述精定位单元一共有两个,分别位于上料单元的两侧,所述叠装单元一共有两个,分别位于两个精定位单元的两侧,从而使得整个自动叠装系统由中间向两侧方向均依次为上料单元、精定位单元、叠装单元。本发明的优点在于:通过对上料单元、精定位单元、叠装单元的数量及排布位置进行重新设计,采用由中间向两侧供料的方式,使得两侧的上料顺序均独立运行,不存在相互干涉的风险,确保单侧的上料顺序的顺利进行,相对应的也就降低了程序设计的复杂程度,减轻了设计人员的工作强度。
Si在纯Fe及低硅钢中扩散行为
采用磁控溅射方法,分别在纯Fe以及低硅钢基片上沉积富Si膜,并对其进行真空扩散热处理.通过能谱分析及X射线衍射研究了Si在纯Fe与低硅钢基体中的扩散特征,运用DICTRA软件建立了扩散模型.研究发现Si在纯Fe基体中扩散时发生γ-Fe(Si)→α-Fe(Si)相转变,扩散速率受控于相界面的迁移.当沿截面Si含量梯度不足以驱动相界面正向迁移时,延长扩散时间会发生相界面回迁现象,最终趋于单一相内均匀化扩散过程.Si在低硅钢基体中的扩散符合Fick扩散第二定律. Si-rich films were deposited on pure iron and low-Si steel substrates by direct current magnetron sputtering,and then were subjected to vacuum annealing.The distribution characteristics of Si across Fe and low-Si steel substrates were studied by energy spectrum analysis(EDS) and X-ray diffraction(XRD).DICTRA software was used to simulate the diffusion models.It is found that the diffusion behavior of Si in the Fe substrate is from γ-Fe(Si) phase to α-Fe(Si) phase and the rate of diffusion is con...

