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借助电子背散射(EBSD)技术对AlN为主抑制剂的Hi-B取向硅钢常化工艺的中间冷却制度进行了研究。结果表明:常化后试样均发生了完全再结晶,在60℃/s冷速下组织最均匀;在合适的冷却制度下常化板表层保留了强的Goss织构,它深入到1/4厚度处,并且形成对Goss织构有利的强{554}<225>织构。 The intermediate cooling system of Hi-B oriented silicon steel with AlN main inhibitor in normalizing process was studied by means of electron back diffraction(EBSD) technique. The results show that:the specimens after normalizing are fully recrystallization, and the microstructure is most uniform under the intermediate cooling rate of 60℃/s; under suitable cooling system, normalized plate surface retains strong Goss texture, it penetrates into the 1/4 thickness of the plate and forming strong {... 
2014-11-28 136 5.8

针对攀枝花钢钒有限公司难以稳定生产w(S)≤0.006%高级别电工钢的问题,通过开发RH脱硫剂、钢包渣改性及工艺参数控制,形成了RH脱硫系统工艺技术。经工业试验表明,采用该工艺技术后,钢水脱硫率最高达到42%,成品w(S)控制在0.005%以下,全氧、氮含量也得到了较好的控制,且脱硫剂没有引起钢水增碳,满足高级别电工钢的生产要求。 In light of the difficulty of production of high level electrical steel w(S)≤0.006 % steadily in Panzhihua steel & vanadium Co.,Ltd.the process technology of RH desulfurization system has been formed by developing the RH desulfurizer,modifying the ladle slag and controlling the process parameters.Industrial experiments show that the desulfurization rate of hot metal rises to 42 % and the w(S) of the finished products is controlled in below 0.005 % and total oxygen and nitrogen contents are a... 
2013-01-28 131 5.8

本实用新型公开了一种变压器硅钢片剪切收料装置,其包括底板和存放架推出机构,底板的前侧中部设置有用于放置外设剪切设备的放置区;存放架推出机构包括滑动板座、锁紧组件,滑动板座可左右滑动地安装于底板的上表面,在滑动板的上表面设置有两个用于放置外设的硅钢片存放架的存放架放置槽,两个存放架放置槽呈左右间隔设置,锁紧组件用于锁紧滑动板座与底板之间的相对位置。当该硅钢片存放架存放完后,将滑动板座推动至使得另外一个存放架放置槽设置于放置区的正后方,另外的硅钢片存放架继续接受剪切设备掉落的硅钢片体,可连续地实现硅钢片体的落料存放,令转运和落料的操作不相互干涉,提高生产的效率。
2021-04-26 115 6.8

本实用新型公开了一种用于硅钢绝缘涂料生产的吸尘装置,包括底板、支撑平台和集尘箱,所述底板底端四角处通过螺栓连接固定有可制动万向轮,所述底板上端四角处焊接有导向套。有益效果在于:本实用新型通过设置真空泵、集尘箱、万向吸气臂、吸尘罩以及活性炭滤网,可在硅钢绝缘涂料生产过程中将逸出的物料粉尘进行有效的收集,确保硅钢绝缘涂料生产环境的洁净,有利于人体健康,通过设置电机、螺套、螺杆、导向柱以及导向套,可实现根据实际吸尘的需要实现装置高度的便捷调节,提高了装置的实用性。
2021-03-01 123 6.8

本发明涉及硅钢收卷技术领域,具体公开了硅钢冷涂后锥度张力收卷工艺,将张力卷筒装配到卷取机上,张力卷筒包括转轴和若干支撑板,若干支撑板形成圆筒结构,若干支撑板上连接块底部的斜面形成锥形结构;还包括位于转轴两端的驱动杆,驱动杆转动连接有锥形杆,锥形杆与锥形结构为锥度配合,锥形杆的长度为L;将硅钢头部搭接在张力卷筒外部,当硅钢在张力卷筒外部卷绕4~7圈后,驱动杆移动的速度为V;当锥形杆进入的距离为1/3L时,将速度降低至2/3V;当锥形杆进入的距离为2/3L时,将速度降低至1/3V;当锥形杆全部进入时,驱动杆停止移动,硅钢继续卷绕。本专利公开的收卷工艺利用了锥度张力原理,得到的硅钢卷不会坍塌。
2021-01-27 145 6.8

本实用新型公开了一种用于激光切割的铁芯硅钢片夹持装置,包括固定座,所述固定座的上方设置有底板,所述底板的上方设置有压板,所述压板与底板的内部且靠近前后侧边缘处均活动连接有转动辊,所述转动辊的表面活动连接有输送带,所述固定座的表面开设有排料口,所述底板的上表面开设有泄料口,所述压板的上表面开设有加工预留口,所述压板的内部且位于转动辊之间固定连接有转轴,所述转轴的表面固定连接有从动锥齿轮,所述压板的内部且靠近左侧边缘处固定连接有电机,所述电机的输出端固定连接有转动杆。本实用新型,该装置结构简单合理,能很好地解决现有技术的不足,能实现在夹持的时候进行送料工作,有利于提高硅钢片的加工效率。
2021-04-14 122 6.8

本发明属于硅钢制备技术领域,具体涉及一种无底层取向硅钢的制备方法。其中,所述脱碳退火的过程中,带钢表层的氧化膜厚度为1.5~2.5μm;所述氧化膜中Si元素和Fe元素的原子重量比满足:Si/(Si+Fe)≥0.76;所述高温退火的过程中,冷却段依次包括:在温度为1200~500℃时,罩内冷却;其中,保护气体为包括有氮气和氢气的混合气体,所述混合气体中氢气的体积百分比>3%;在温度为500~200℃时,罩内冷却;其中,保护气体为氮气;在温度<200℃时,揭开内罩进行空气冷却。本发明提供的无底层取向硅钢的制备方法中,通过控制带钢在脱碳退火阶段的氧化膜厚度以及高温退火的冷却段等一些工艺,从而得到了表面光洁化好、表面均质化好、成材率高、磁性能优良的无底层取向硅钢。
2020-12-17 168 6.8

本实用新型公开了一种硅钢卷上料装置,包括两支撑台和设置在两支撑台之间的输送组件,所述输送组件包括轨道和设置在轨道上的输送件,所述输送件包括滑板、支撑板、承重板和气缸,所述轨道平行于两支撑台设置在两支撑台之间,所述滑板可滑动设置在轨道上,所述支撑板通过气缸可升降设置在滑板上,所述承重板设置在支撑板上,所述承重板的截面呈U型,其上设置有第二缓冲条。其可实现硅钢卷的轻松上料,省时省力的同时,安全性大大提高。
2021-12-20 152 6.8

无取向硅钢特别是中牌号以上的无取向硅钢,随着含硅量的提高,常温下塑性较差,冷轧过程中轧制力明显提高,如果存在原料质量问题,极易发生断带事故,影响硅钢冷轧过程的成材率和生产效率。通过优化冷轧工艺参数,可提高冷轧稳定性。生产中通过合理分配冷轧各道次压下量和轧制速度,保证了轧制过程的稳定,很大程度减少了冷轧断带事故的发生。 Non-oriented silicon steel, especially in the low and middle grade, with the increase of silicon content, plasticity is poor at room temperature, rolling force in cold rolling process significantly improved .If there is the quality defect of raw materials , easily sheet is rolling off. Affect finished product rate and production efficiency in process of cold-rolled silicon steel. Through optimization of cold rolled process parameter , improve the stability of cold-rolling process. Through reason... 
2011-02-28 164 5.8

本发明公开了一种高效无取向电工钢的制备方法,属于电工钢技术领域,具体步骤包括:开卷→焊接→清洗→连续退火脱碳→冷却→涂层→绝缘涂层干燥→绝缘涂层烧结→空冷→表面质量检查→分卷包装。本发明使产品的铁损为3.08w/kg,磁感为1.711T,达到了高效无取向电工钢的产品要求,并通过稳定生产,其铁损稳定在3.1w/kg,磁感稳定在1.71T,完全能达到产品需求。
2021-05-19 150 6.8

试验了通过NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐在电流密度50 mA/cm2、电沉积脉冲电流正反向比9:1和750850℃60min电沉积下阴极(/mm)20×20×0.5的1.6Si无取向冷轧硅钢片断面层硅的分布,并通过计算得出Si的扩散系数。结果表明,电沉积温度由750℃提高至850℃时,试样中Si含量增加,扩散的深度由18μm提高到40μm;电沉积温度与Si在钢中的扩散系数近似符合Arrhenius指数关系。 The distribution of silicon at cross section of cathode(/mm) 20 × 20 × 0.5 sheet of 1.6Si non-oriented cold rolled silicon steel after electro-deposit treatment by NaCl-KCl-NaF-SiO2 molten salt with current intensity 50 mA/cm2,electro-deposit pulse current positive-negative ratio 9:1 at 750 850 ℃ for 60 min has been tested and the diffusion coefficient of Si is obtained by calculation.Results show that with increasing electro-deposit temperature from 750 ℃ to 85... 
2014-06-28 158 5.8

本实用新型公开了一种优化取向硅钢底层质量的打孔隔板,包括取向硅钢底层和分隔板,所述取向硅钢底层的上方安装有分隔板,且分隔板的内部设置有通孔,所述通孔的下方安装有卡合板,且卡合板的下方安装有硅胶密封垫,所述分隔板的右侧安装有三脚架,且三脚架的右侧安装有螺钉,所述三脚架的左侧安装有螺母,且三脚架的下方安装有固定横杆,所述分隔板的上方安装有定位套筒,且定位套筒的内部设置有内螺纹,所述内螺纹的内部安装有定位横杆,且定位横杆的两侧设置有外螺纹。该种优化取向硅钢底层质量的打孔隔板中,通过设置的通孔,分隔板将取向硅钢底层分隔时,通过通孔可以将分隔连通,减少在使用时分隔板阻拦取向硅钢底层的磁感性能。
2020-12-14 151 6.8

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