硅钢资料

本发明提供了一种无取向硅钢RH顶枪喷粉脱硫工艺，RH脱碳结束测温定氧，立即加入铝粒脱氧合金化、之后立即依次连续加入合金进行成分调整，合金加完后立即开始顶枪喷粉；加入铝粒的量＝铝粒理论加入量+0.2‑0.4kg/t钢；喷粉时，控制喷粉速度与钢液循环流量相匹配；本发明从真空条件下脱硫热力学和动力学角度出发对具有顶枪喷粉功能的RH脱硫工艺进行改进，提高脱硫率。

运用电子背散射衍射(EBSD)和X射线衍射(XRD)技术对硅钢热轧板的织构在板厚方向的分布进行了研究,并分析了两种织构测量方法的特点。EBSD技术能直观给出板厚方向的微观织构,XRD能得到钢板的宏观统计织构信息,结合两种技术的分析,能更直观更精确的研究不同织构在板厚方向的分布。 The texture distribution along the thickness of the silicon steel has been investigated by electron backscatter diffraction(EBSD) and X-ray diffraction(XRD) technique.The characteristics of two technique of texture analysis have been investigated.Combined the two techniques,the texture distribution along the thickness of the silicon steel could be realized distinctly and accurately. 

本发明提供了一种取向硅钢的磁畴细化方法，属于高磁感取向硅钢生产技术领域技术领域，包括：采用激光在带钢表面烧蚀出若干沟槽；采用腐蚀液对所述沟槽进行腐蚀，获得刻槽；其中，所述沟槽与带钢宽度方向的夹角为0‑20°；所述沟槽的深度为0.5～20μm，宽度为30～200μm；所述刻槽深度为0.5～30μm、宽度为30～300μm。该方法能够显著的细化磁畴，降低取向硅钢片单位损耗，同时细化磁畴的效果能够承受800℃‑900℃的消除应力退火。本发明还提供了一种取向硅钢的磁畴细化方法在取向硅钢生产中的应用。

本发明是关于一种薄规格无取向硅钢35BW440，该无取向硅钢35BW440包括以下质量百分比的元素：C：≤0.003％，Si：0.8％‑2.0％，Mn：0.4％‑1.2％，P：≤0.015％，S：≤0.003％，Als：0.25％‑0.6％，N：≤0.003％，Sb：0.04％‑0.1％，O：≤0.0025％，其余为Fe及不可避免的杂质。在没有电磁搅拌设备增加无取向硅钢磁感应强度的前提下，通过加入Sb元素，增加对电磁性能有利的{110}和{100}织构组分，提高电磁性能，采用二次冷轧及中间连续退火的工艺，提高无取向硅钢的表面质量。

本实用新型公开了水性硅钢绝缘涂料制备用袋式过滤机，包括下壳体，所述下壳体顶部铰接有一对上壳体，一对所述上壳体均具有连接板，一对所述连接板通过若干个吊环连接，所述上壳体外侧壁面设有上固定座，所述下壳体后壁面设有出液管，所述下壳体内部设有弹出支撑板机构，所述上壳体内部设有上壳体清洁机构，所述下壳体内部设有下壳体清洁机构。本实用新型涉及袋式过滤器技术领域，本装置结构紧凑，通过一对第一气缸铰接于一对上壳体两侧，使上壳体实现向自动两侧打开的功能，取出支撑板时较为方便，上壳体内壁面的挤压销能够对支撑板进行挤压，当上壳体被打开时，支撑板失去挤压销的限位作用时就会从限位槽中弹出，给人们带来了方便。

本实用新型属于输送设备技术领域，具体涉及一种硅钢拉伸平整用转向辊，包括辊本体，辊本体的中部可拆卸的安装有环形凸块，环形凸块的宽度在350‑450mm，环形凸块的厚度在3‑5mm。在本方案中，在辊本体的中部设置环形凸块，环形凸块能较好的与硅钢的中部位置接触贴合，辊本体通过环形凸块除了能较好的将硅钢输送向前，还能有效防止硅钢跑偏。环形凸块可拆卸的安装辊本体上，当环形凸块使用了一段时间发生了严重的磨损时，更换新的环形凸块即可，无须更换辊本体，有效节省成本。

为了确定普通冷轧取向硅钢最优的中间完全脱碳退火工艺,在其一次冷轧后进行5种不同工艺的脱碳退火处理,借助扫描电镜及电子背散射衍射技术研究了不同工艺脱碳退火后的组织、织构和脱碳效果。结果表明:经5种工艺脱碳退火处理后,初次再结晶的平均晶粒尺寸均约为19μm,且不随退火温度和时间的变化而变化;经840℃×10min工艺退火后的晶粒最均匀,高斯织构位向更准确,高斯织构面积分数最多,为3.1%,可将碳脱至0.003 5%。 In order to determine the optimal intermediate complete decarburizing annealing processes for common grain-oriented(CGO)silicon steel,five kinds of intermediate decarburizing annealing processes were conducted,the microstructure,texture and decarbonization after different decarburizing annealing processes were studied by scanning electron microscopy and electro back-scattered diffraction(EBSD)technology.The results show that the average grains sizes of primary recrystallization were about 19μm a... 

主要研究了0.7%Si无取向电工钢退火试样的组织、晶粒尺寸和织构对其磁性能的影响。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大,组织的均匀性得到改善;ɑ取向线上的纤维织构多集中于{114}<110>和{223}<110>附近,再结晶结束后,织构含量变化不大。{111}<110>织构取向密度值随温度升高而下降,{112}<111>织构与{111}<110>织构变化相反。晶粒尺寸增大对磁感强度的影响较小,而对铁损的影响较大。 Influences of microstructure,grain size and texture on the magnetic properties of 0.7% Si non-oriented electrical steels annealed samples were studied.The results show that with annealing temperature increasing the average grain size is increased gradually.Uniformity of the microstructure is improved;the textures of ɑ-fiber gathered in the vicinity of the { 114} < 110 > and { 223 } < 110 > texture.After recrystallization,the volume fraction of texture changes small.{ 111} < 110 &g... 

本发明涉及取向硅钢制造技术领域，公开了一种快速判断取向硅钢初次再结晶晶粒直径的方法，包括如下步骤：选取取向硅钢热轧来料，进行生产，对产出的钢板在同部位各取若干个拉伸试样，加工拉伸和分析，取得屈服强度，在拉伸试样部位两侧连续制取金相试样，计算对应拉伸试样的平均晶粒直径D，将性能数据和平均晶粒直径进行统计分析，建立屈服强度与晶粒直径的对应关系，实际生产时，在产出的钢板上取判断试样，取得判断试样的屈服强度，进而取得判断试样的晶粒直径。本发明快速判断取向硅钢初次再结晶晶粒直径的方法，通过机械性能检验，来间接指示初次晶粒的大小，检测速度快，评价更准确。

本发明公开了一种取向硅钢极薄带的工业连续化生产方法，包括异步轧制、脱脂、热处理、急速冷却、涂绝缘层、烘干烧结、卷带收集各工序；其中，异步轧制中使用异步比为1：1.05～1：1.24；脱脂、热处理、急速冷却、涂绝缘层、烘干烧结、卷带收集工序为连续化生产工艺；热处理工序中，第一步为预热，预热温度为500℃～700℃，预热时间4秒～120秒；第二步为相变热处理，相变热处理温度为820℃～920℃，相变加热时间100秒～600秒；急速冷却工序中，钢带30秒内降温到350℃以下。优点在于：实现工业化连续生产取向硅钢极薄带，有效提高产能，生产的取向硅钢极薄带制备高磁感、低铁损等磁性能。

本实用新型涉及一种硅钢片抓取平台，其包括抓取框架，包括抓取框架，所述抓取框架上设有多个支架，对应于非切割区域的支架上设有大真空吸盘，对应于切割区域的支架上设有小真空吸盘。本实用新型结构简单，通过多个真空吸盘来进行硅钢片的抓取也不会损坏加工后的硅钢片，还提高了硅钢片的搬运效率。此外，通过气动系统实现对吸盘的自动吸气，提高了对吸盘操作的便利性。

采用CVD法制备6.5%Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响。结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定;渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定;扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足Δw表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间。 6.5%Si high silicon steel was manufactured by using CVD method and the process was introduced,the influence of temperature on the siliconizing rate and quality reducing rate,diffusion time on silicon distribution were investigated.Results as follows: the siliconizing rate will increase quickly when the temperature is higher than 1050 ℃,but the siliconizing rate will become steadily as the temperature up to 1200 ℃;The quality reducing rate will increase with the elevating of temperature and the r...