硅钢资料

本实用新型公开了一种防溢出的无取向硅钢绝缘涂液存储装置，涉及无取向硅钢绝缘涂液技术领域，为解决现有无取向硅钢绝缘涂液存储设备在存储过程中存在涂液过满，导致液体溢出产生浪费现象的问题。所述绝缘涂液存储机构本体上方的一侧设置有液位监测器，所述液位监测器的下端设置有监测杆，所述液位监测器的输出端设置有单片机，且液位监测器的输出端与单片机电性连接，所述绝缘涂液存储机构本体的内壁设置有压力传感器，且压力传感器设置有若干个，所述压力传感器的输出端与单片机的输入端电性连接，所述绝缘涂液存储机构本体的内部设置有泵体，且泵体设置有两个，所述泵体的一端设置有溢流输送管。

对两种硅钢水溶性极厚绝缘涂层进行了不同温度的热老化实验。通过TG-DTA,GDS,FT-IR,SEM和光泽度仪等测试方法对老化的涂层进行分析表征,提出了评估硅钢水溶性极厚绝缘涂层热老化性能的合理温度区间,探讨了涂层热老化行为,并分析了两种涂层热老化性能的差异。结果表明,涂层附着性随着老化时间的延长逐渐下降。FT-IR表征结果显示,热老化过程中,涂料交联形成的化学键未发生断裂,交联剂氨基树脂的三嗪环被破坏是聚合物三维网络结构坍塌的主要原因。 Thermal aging expriments at different temperature were carried out on two types of water-soluble and extra-thick insulation coatings for non-oriented silicon steel,and a series of test methods such as glossmeters,TG-DTA,FT-IR,GDS,SEM were applied in analysis.For evaluating the thermal aging effect of this kind of insulation coating,the proper temperature range was proposed.The difference of aging performance between two coatings was been investigated and the related behaviors were been discussed... 

在实验室模拟CSP工艺条件下制备了取向硅钢,研究了二次冷轧中间退火工艺对组织和织构的影响。结果表明,中间退火温度对取向硅钢脱碳,高温退火组织及织构均产生明显影响。经940℃中间退火后,取向硅钢脱碳再结晶晶粒较850℃中间退火的多,且再经高温退火处理后,晶粒粗化,最大晶粒尺寸达4.8 mm;高斯织构组分密度达27.00,较850℃中间退火试样高。 Grain-oriented silicon steel was prepared by simulated CSP technology in laboratory. Effects of secondary cold-rolled intermediate annealing on microstructure and texture were studied. The results show that intermediate annealing has obvious effects on the microstructure and texture of the steels after decarburization annealing and high temperature annealing. After intermediate annealing at 940 ℃,recrystallized grain of decarburization annealed steel is more than that of intermediate annealed at... 

本实用新型公开了一种硅钢板带加工用表面成型设备，包括底座，所述底座的上端固定连接有底部支撑架，所述底部支撑架的上端固定连接有机体，所述机体的上端固定连接有密封盖。本实用新型在打磨过程中，水泵可以将过滤箱内的冷却液通过进液机构上的进液管泵入到进液机构内，再经过进液孔进入到第二转轴内，再进入到打磨辊筒内，最后经过喷头喷到钢带表面，对钢带表面进行冷却，且可以将打磨下来的粉末带走，防止粉末飘散；冷却在喷出后，经过集液斗的收集，进入到过滤箱内，在过滤箱内设置过滤网可以对冷却液进行过滤，从而可以对冷却液进行重复使用。

本发明涉及一种常化后免酸洗生产取向硅钢的方法，取向硅钢的生产工艺路线为：冶炼→连铸→热轧→常化退火→拉伸矫直→抛丸→冷轧→脱碳退火→渗氮→涂MgO→高温退火→热拉伸平整及涂绝缘膜；本发明在常化退火后通过物理方法去除带钢表面的氧化铁皮，且效率高、效果好、操作简单、易于控制；与常规工艺相比，省去了酸洗及后续废酸处理工作，排除了酸雾对环境的污染，消除了取向硅钢带因酸洗而产生的潜在缺陷，产品质量更加稳定可靠。

该电磁钢板为母材钢板的其中一个或两个表面中的至少一部分被具有接合能力的绝缘被膜覆盖的电磁钢板，所述绝缘被膜的25～100℃的温度范围的对数衰减率为0.3以下。

本实用新型提供了一种变压器硅钢片吊装工具，属于变压器技术领域。其技术方案为：一种变压器硅钢片吊装工具，包括勾体，所述勾体上端设置有吊环，所述勾体下端设置有吊台，所述吊台上设置有阻挡机构，所述阻挡机构设置在所述吊台的底面。本实用新型的有益效果为：本实用新型通过勾体对硅钢片进行起吊，可以有效的防止硅钢片两端卷边，从而减少了变压器空载损耗，阻挡机构可以有效的防止硅钢片在运输过程中从吊台上摔落，从而保护了硅钢片的完整性，提高了使用效率。

本发明公开了一种取向硅钢高温退火底板，涉及钢卷生产技术领域，解决了钢卷的尺寸变形导致钢卷切边量过大的技术问题。包括应变诱导板，应变诱导板的板面开设有若干凹槽，相邻凹槽之间于应变诱导板的板面形成凸楞，钢卷放置于应变诱导板的板面上，其中部分的钢卷端面支撑于凸楞上，其余的钢卷端面悬置于凹槽上。本发明通过在应变诱导板上设置凹槽与凸楞，钢卷在高温退火过程中同样受重力产生蠕变变形，但蠕变变形按照凸楞所设定的方向进行，从而将产生的不均匀的“大浪”分割成碎化均匀的“细浪”，使得钢卷边部的变形细小、均匀、可控，从而降低了大象脚变形的缺陷影响程度，减小了钢卷的切边量，提高了成材率，同时能够获得良好的边部板形。

本实用新型公开了一种取向硅钢绝缘涂液用废液回收利用装置，涉及取向硅钢绝缘涂液技术领域，为解决现有取向硅钢绝缘涂液的废液在回收时没有进行多层热分解，导致回收利用率低的问题。所述下料筒的下端设置有调节筒，所述调节筒的下端设置有分流筒，所述分流筒的下端设置有出料筒，所述调节筒的内部设置有下料板，所述下料板的一端设置有转轴，所述转轴的一端设置有交流电机，所述下料板的侧表面设置有外接孔，所述下料筒的筒壁内设置有加热板，所述下料筒的内部设置有一级过滤网，所述分流筒的内部设置有隔挡板，所述隔挡板的一侧设置有二级过滤网。

本实用新型涉及一种方便叉车转运的硅钢卷，属于硅钢卷技术领域。包括卷盘、转轴、支撑板、底座和叉车叉座，所述卷盘与转轴固定，所述支撑板为两件，对称布置在底座上，支撑板上设有卡槽，转轴安装在卡槽内，所述底座的下方设有两个对称布置的叉车叉座，所述叉车叉座上设有供叉车叉板插入的叉板槽；本实用新型硅钢卷通过可拆卸安装在带叉车叉座的支撑架上，在实际生产中，通过叉车就可以很方便地实现在车间复杂环境下转运，快速灵活，提高了工作效率。

本发明公开了一种高磁感取向硅钢高效脱碳退火工艺，主要工艺流程为：炼钢连铸→热轧→酸洗常化→冷轧→脱碳和初次再结晶退火→渗氮处理(低温Hi‑B)→涂覆氧化镁隔离剂→高温退火→拉伸平整退火→涂覆绝缘涂层→精整，低温HiB不同于高温Hi‑B的工艺流程主要是在脱碳退火后增加了渗氮段。本发明在保证产品实物质量不低于现有水平(国内领先水平)的前提下，使Hi‑B钢退火效率达到世界领先，制造成本大幅降低。

采用双辊连铸工艺制备了硅的质量分数分别为0.5%,1.0%,3.0%,4.5%的硅钢薄带,用光学显微镜观察其组织,并研究了后处理工艺对薄带组织和性能的影响。结果表明:硅含量为0.5%和1.0%的薄带适合采用一次冷轧+850～950℃退火的后处理工艺,而硅含量在3.0%以上的薄带适合采用二次冷轧+950℃退火的后处理工艺;硅含量为3.0%和4.5%的薄带在冷轧并950℃退火后,其磁性能最佳,铁芯损耗约为4.30 W·kg^-1,磁感应强度约为1.68T。 Silicon steel thin strips with silicon content of 0.5wt%,1.0wt%,3.0wt%and 4.5wt%were prepared by twin-roll continuous casting process,and the microstructure of the strips were observed by means of optical microscopy,and on the basis,the effect of post-treatment process on microstructure and properties of the strips was studied.The results show that the post-treatment process of one-time cold rolling and annealing between 850—950℃was suitable for the strips with silicon content of 0.5wt%and 1.0wt...