硅钢资料

本发明涉及一种无取向电工钢片绝缘涂液，它的主要有效成分包括有机树脂、水溶性磷酸二氢盐、硅溶胶、涂料助剂、和特定水溶性金属盐。上述各组分的质量组成比例为：有机树脂100份，水溶性磷酸二氢盐100‑250份，硅溶胶0‑100份、涂料助剂0‑20份，特定水溶性金属盐10‑50份，其余为水，涂液的固含量为15～40％。其中特定水溶性金属盐是指水溶性磷酸二氢盐以外的二价或多价金属盐，这种盐可以在磷酸二氢盐溶液中稳定存在，但是在电工钢涂层烧结温区会氧化或分解。本发明的绝缘涂液固化速度快且固化彻底，涂层具有优异的耐盐雾性能。

本实用新型公开了转盘式硅钢片转运装置，属于硅钢片转运领域，包括本体，所述本体的顶部设置有收纳箱，所述本体的内部水平设置有横板，所述横板的两侧分别与本体内腔的两侧固定连接，所述横板的底部设置有平移机构，所述横板横向活动套接在连接杆，所述连接杆顶端与收纳箱的底部固定连接，所述连接杆的底端固定连接有转动盘，所述转动盘的底部固定连接有固定杆，所述固定杆上活动套接有套筒，通过设置平移机构，平移机构带动铰接杆，铰接杆拉动固定杆，固定杆带动转动盘，转动盘通过连接杆带动收纳箱，使得收纳箱可以进行旋转，将远离工作人员的一侧，调整至靠近工作人员的一侧，从而方便进行安放硅钢片。

本发明公开了一种低铁损高磁导率无取向电工钢及其生产方法，所述生产方法包括以下步骤：钢水连续浇铸成板坯，板坯经加热炉加热，再经热轧得到热轧板，然后经空冷和水冷后在500～650℃进行卷取；热轧板经常化处理、盐酸酸洗；酸洗后在可逆轧机上进行冷轧；最后经成品退火，退火温度为840～900℃，加热时间为240～500s；然后以不超过3℃/s的冷却速度冷却至500℃以下；涂覆绝缘涂层、固化，后经二次退火，即可得到低铁损高磁导率无取向电工钢，其磁性能满足P1.5/50≤3.50W/kg，μ1.5≥3800Gs/Oe，B5000≥1.76T的要求。

【摘要】 <正>目前,日本进口硅钢猛增,6月份4181吨,...

本实用新型涉及变压器铁芯装配技术领域，具体公开了一种硅钢片铁芯的装配工装，包括底座、对称设于底座上的两个承压条以及快速装夹机构；所述快速装夹机构包括设于两个承压条一侧的安装框架、安装于安装框架两侧的侧挡板、紧固组件以及将安装框架和承压条之间定位的卡接组件；所述卡接组件包括安装于安装框架一侧的定位块、以及开设于承压条一侧的定位槽，所述定位块的内部开设有安装槽，本实用新型通过快速装夹机构能够实现安装框架的快速定位，从而便于安装框架的安装，有效的提高了安装框架的拆装效率，有助于硅钢片铁芯的快速装配，可提高硅钢片铁芯的装配效率，增加硅钢片铁芯的生产效益。

本实用新型公开了一种硅钢片生产用机器人定位台，包括箱体，所述箱体的顶部中心处活动安装有转动盘，且转动盘的顶部安装有多组转动块，所述转动块由电机驱动旋转，其中，所述转动盘的中心处安装有中心定位圆，且中心定位圆的外部设置有键槽凸口；所述箱体的顶部安装有多组气缸。本实用新型所述的一种硅钢片生产用机器人定位台，一是定圆心，四个气缸对产品的外圆挤压定位，定位完成后，产品内圆掉落至中心定位圆内；二是，定方向，现有的硅钢片内圆具有键槽口，在电机带动转动盘转动时，由于转动盘上内嵌磁铁，能将产品进行旋转，直到产品的键槽口掉落至中心定位圆的键槽凸口内，完成定位，从而将定位设计的简单化与精准化。

本发明涉及取向硅钢制造技术领域，公开了一种快速判断取向硅钢初次再结晶晶粒直径的方法，包括如下步骤：选取取向硅钢热轧来料，进行生产，对产出的钢板在同部位各取若干个拉伸试样，加工拉伸和分析，取得屈服强度，在拉伸试样部位两侧连续制取金相试样，计算对应拉伸试样的平均晶粒直径D，将性能数据和平均晶粒直径进行统计分析，建立屈服强度与晶粒直径的对应关系，实际生产时，在产出的钢板上取判断试样，取得判断试样的屈服强度，进而取得判断试样的晶粒直径。本发明快速判断取向硅钢初次再结晶晶粒直径的方法，通过机械性能检验，来间接指示初次晶粒的大小，检测速度快，评价更准确。

本实用新型公开了一种变压器铁芯硅钢片叠装对齐工装，包括叠装平台、定位板、推齐板和下压板；定位板和推齐板分别位于叠装平台的两侧，下压板位于叠装平台的上方；定位板用于对铁芯长度或宽度侧进行定位；推齐板平推铁芯使各硅钢片抵靠定位板而对齐；下压板下压铁芯使各硅钢片叠装紧密。本实用新型提供的一种变压器铁芯硅钢片叠装对齐工装，能够提高铁芯生产精度，并提高硅钢片叠装效率。

对高磁感取向硅钢冷轧板分别进行800、950、1050和1120℃不脱碳的预退火处理,在800℃预退火,成品的磁性能较好。织构分析的结果表明,随着预退火温度升高,初次再结晶后有利织构组分{111}<112>与不利织构组分(118)[110]的比值f(111)/f(118)逐渐降低,初次再结晶织构的变化是成品磁性的影响因素之一。 Preliminary annealing process at different temperatures for cold-rolled strips of a high permeability grain-oriented silicon steel was investigated to study the effect of the annealing temperature on microstructure and magnetic performance of the steel.Results show that the magnetic performances of the products annealed at 800 ℃ are best.Analysis of primary recrystallization texture indicates that with rising temperature,f(111)/f(118) which is the ratio of the favorable component {111}<112>... 

本发明提供一种含铜一般取向硅钢及其制备方法，制备方法包括：对钢板进行脱碳退火，得到脱碳钢，其中，将所述脱碳钢的氧含量控制在如下公式计算的范围内：ψO＝(0.0504×ωSi×H2±0.00005)×106，其中，ψO为脱碳钢的氧含量，单位为ppm；ωSi为钢板中Si的重量百分含量；H为钢板的厚度，单位为mm；将所述脱碳钢进行冷轧、涂布氧化镁涂层、卷曲和成卷退火，得到退火钢卷；对所述退火钢卷进行开卷，再涂敷张应力涂层和拉伸平整退火，制得含铜一般取向硅钢。本发明根据钢板中Si的实际含量及钢板厚度，调整脱碳钢的氧含量，以获得表面质量良好、磁性水平稳定的含铜一般取向硅钢产品。

借助电子背散射(EBSD)技术对AlN为主抑制剂的Hi-B取向硅钢常化工艺的中间冷却制度进行了研究。结果表明:常化后试样均发生了完全再结晶,在60℃/s冷速下组织最均匀;在合适的冷却制度下常化板表层保留了强的Goss织构,它深入到1/4厚度处,并且形成对Goss织构有利的强{554}<225>织构。 The intermediate cooling system of Hi-B oriented silicon steel with AlN main inhibitor in normalizing process was studied by means of electron back diffraction(EBSD) technique. The results show that:the specimens after normalizing are fully recrystallization, and the microstructure is most uniform under the intermediate cooling rate of 60℃/s; under suitable cooling system, normalized plate surface retains strong Goss texture, it penetrates into the 1/4 thickness of the plate and forming strong {... 

采用CVD法制备6.5%Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响。结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定;渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定;扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足Δw表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间。 6.5%Si high silicon steel was manufactured by using CVD method and the process was introduced,the influence of temperature on the siliconizing rate and quality reducing rate,diffusion time on silicon distribution were investigated.Results as follows: the siliconizing rate will increase quickly when the temperature is higher than 1050 ℃,but the siliconizing rate will become steadily as the temperature up to 1200 ℃;The quality reducing rate will increase with the elevating of temperature and the r...