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本实用新型公开了一种硅钢片制作用防止硅胶泄露结构,包括运行组件与固定密封组件,所述运行组件的内侧壁设有固定密封组件,所述运行组件包括板体、第一凹槽、壳体、硅钢片、支撑板、连接块、密封圈、防护板和通孔,所述板体的内侧壁开设有第一凹槽,所述第一凹槽的内部设有壳体,所述壳体的内侧壁设有硅钢片,所述硅钢片的两侧相互对称焊接有四个连接块,四个所述连接块相斥一侧均贴合于第一凹槽的内侧壁,本实用新型首先通过硅钢片两侧密封圈保障密封效果,设置的橡胶管起到二次密封防护作用,并借助其内部的弹簧及U型板实现防偏移的效果,最后一方面可以在壳体相邻组件内侧加胶并且提高其内部硅钢片的厚度,以此实现多重密封防漏。
2021-11-10 169 6.8

本发明公开了一种酸洗低牌号无取向硅钢的方法,从酸洗线前拉矫机的延伸率设定、酸液浓度、酸液温度、酸洗槽内液位的控制、酸液中铁离子的含量等方面入手,解决酸洗低牌号无取向硅钢的问题。
2021-01-13 164 6.8

本实用新型提供了一种便于清洗的冷轧硅钢生产用轧机,两个所述支架安装在底座上,所述支架上设有安装盖,支架之间设有上支撑辊,上支撑辊下设有上工作辊,上工作辊安装在支架之间,上工作辊下设有下工作辊,这种便于清洗的冷轧硅钢生产用轧机,在使用的时候,可以对于冷轧硅钢进行生产处理,生产之后可以进行清洗设备,安装的上工作辊与下工作辊可以对于硅钢进行冷轧处理,在工作时,两侧安装的承重块可以对于机械进行一个固定,起到稳固作用,两侧安装的转动辊可以放置硅钢,安装的清洗头可以对于机械进行清洗,吹风器可以对于机械进行干燥处理,防止机械生锈,底座上安装的沥水板可以隔断灰尘和铁屑,防止堵塞。
2021-09-28 154 6.8

本发明公开了一种物理喷砂方式制备取向硅钢薄带无底层原料的方法,步骤包括:S1、坯料预处理;S2、涂覆隔离剂,后进行高温退火;S3、拉伸热平整;S4、表面喷砂处理,去除底层;S5、去应力退火;本发明优点在于,采用喷砂的物理办法制备取向硅钢薄带无底层原料,代替了传统的用酸去除取向硅钢涂层或硅酸镁底层,结合退火去应力,显著改善了加工质量,使整个加工过程更加环保,也有利于控制成本。
2021-05-07 147 6.8

本实用新型公开了一种薄带取向电工钢的热处理炉板,炉板的中心设置有气流循环通孔,炉板的硅钢卷预定压接面设置有通气槽,炉板内设置有进气孔,进气孔的第一孔口设置于通气槽中,进气孔的第二孔口设置于炉板的侧壁上。该薄带取向电工钢的热处理炉板在设置通气槽的基础上,进一步设置进气孔,通过向进气孔中导入气流,增加通气槽的进气量,有助于硅钢卷与炉板压接侧边处水蒸气的及时排出,进一步提高卷内硅钢的热处理品质。本实用新型还公开了一种包含热处理炉板的薄带取向电工钢罩式炉。
2021-08-28 169 6.8

本发明公开了一种高磁感取向硅钢,其含有Fe及不可避免的杂质元素,其还含有质量百分含量如下的下述各化学元素:C:0.02~0.08%,Si:2.0~4.5%,Mn:0.02~0.30%,S≤0.0050%,Als:0.01~0.04%,N:0.002~0.01%,Nb:0.0050~0.0600%;以及P:0.01~0.1%,Sn:0.01~0.30%,Cu:0.01~0.50%的至少其中一种。此外,本发明还公开了上述高磁感取向硅钢的制造方法,其包括步骤:(1)制得板坯;(2)板坯加热;(3)热轧,其包括:粗轧、在热卷箱内卷取保温,以及精轧;其中粗轧结束温度高于970℃;卷取温度为800~1050℃,卷取时间为30~200s;精轧开始温度低于1050℃;(4)冷轧;(5)脱碳退火;(6)渗氮;(7)涂覆退火隔离剂;(8)高温退火;(9)涂覆绝缘涂层和激光刻痕。
2021-10-19 171 6.8

本实用新型涉及硅钢生产设备技术领域,具体公开了硅钢用氧化镁冷涂托盘结构,包括机架和托盘本体,托盘本体固定在机架上,托盘本体位于涂层机上,所述涂层机包括一对上下设置且转动连接在机架上的胶辊,所述托盘内设有气管,所述气管一端固定在机架上,另一端水平设置在托盘本体靠近底部的位置,机架上设有连通气管的供气件。本专利中,通过对气管提供气流,从气管鼓出的气体对托盘本体内的涂层液形成搅拌的作用,避免涂层液中的氧化镁颗粒沉底结晶,本方案结构简单,无需对托盘本体进行其它加工改造,适合在结构紧凑的涂层机中使用。
2020-12-29 178 6.8

本发明公开了一种新能源汽车驱动电机用低铁损高强度无取向电工钢及其制造方法,所述无取向电工钢的化学成分及重量百分比包括C:0.001‑0.005%、Si:2.4‑3.0%、Mn:0.25‑0.5%、Al:0.70‑1.10%、P:≤0.02%、S:≤0.005%、0.015%≤Ce+Sn≤0.035%,余量为铁和不可避免的杂质,本发明通过加入Ce和Sn,净化钢质、微合金化提高无取向电工钢强度和磁性能,不需要添加固溶金属元素,且避免了高Si体系下的轧制困难问题,且不需要高温退火,解决了退火温度过高使晶粒异常长大,晶粒尺寸均匀性降低的问题,生产出的无取向电工钢具有较高强度的同时,还具有优良的磁性能。
2021-10-29 202 6.8

本实用新型公开了一种取向电工钢的多项性能检测装置,涉及取向电工钢技术领域,为解决检测装置在对取向电工钢涂层性能检测时较为繁杂,增加了检测难度,检测的误差增加,且检测装置的性能检测较为单一,检测效果不佳的问题。所述底座的上方设置有安装架和吊梁架,所述安装架上设置有输料辊,输料辊设置有两个,两个所述输料辊之间设置有输送带,所述吊梁架的下方设置有弹性胶带,所述弹性胶带上方的两侧均设置有第三电动伸缩杆,且第三电动伸缩杆的两端分别与吊梁架和弹性胶带通过螺钉连接,所述弹性胶带的一侧设置有检测架,所述检测架上设置有激光灯、第一滤光片、接收器、第二滤光片和聚光片,所述激光灯和第一滤光片设置在弹性胶带的上方。
2021-11-24 190 6.8

采用CVD法制备6.5%Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响。结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定;渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定;扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足Δw表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间。 6.5%Si high silicon steel was manufactured by using CVD method and the process was introduced,the influence of temperature on the siliconizing rate and quality reducing rate,diffusion time on silicon distribution were investigated.Results as follows: the siliconizing rate will increase quickly when the temperature is higher than 1050 ℃,but the siliconizing rate will become steadily as the temperature up to 1200 ℃;The quality reducing rate will increase with the elevating of temperature and the r... 
2013-01-28 165 5.8

本实用新型公开了水性硅钢绝缘涂料制备用袋式过滤机,包括下壳体,所述下壳体顶部铰接有一对上壳体,一对所述上壳体均具有连接板,一对所述连接板通过若干个吊环连接,所述上壳体外侧壁面设有上固定座,所述下壳体后壁面设有出液管,所述下壳体内部设有弹出支撑板机构,所述上壳体内部设有上壳体清洁机构,所述下壳体内部设有下壳体清洁机构。本实用新型涉及袋式过滤器技术领域,本装置结构紧凑,通过一对第一气缸铰接于一对上壳体两侧,使上壳体实现向自动两侧打开的功能,取出支撑板时较为方便,上壳体内壁面的挤压销能够对支撑板进行挤压,当上壳体被打开时,支撑板失去挤压销的限位作用时就会从限位槽中弹出,给人们带来了方便。
2021-11-09 166 6.8

采用传统的轧制和退火工艺制备了0.30mm厚的6.5%(质量分数)Si高硅电工钢薄板,采用X射线衍射技术对退火过程中的再结晶织构进行了研究。冷轧高硅钢薄板700℃退火形成以{111}〈112〉为峰值的γ织构(〈111〉∥ND)和以{001}〈210〉为峰值的{001}织构;而900℃以上温度退火则形成强{001}〈210〉织构。进一步的研究表明是在晶粒长大过程中{001}〈210〉发展成为主要再结晶织构组分。 High silicon steel thin sheets with thickness of 0.3mm were successfully produced by conventional rolling and annealing methods.Recrystallization texture was investigated by means of X-ray diffraction.It is found that recrystallization texture is mainly composed of γ fiber(〈111〉∥ND)with peak at {111}〈112〉 and {001} fiber with peak at {001}〈210〉 after annealing at 700℃,while strong {001}〈210〉 component dominates recrystallization texture after annealing above 900℃.It is during grain growth that {... 
2011-11-28 208 5.8

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