硅钢资料

2.9 mm热轧3%Si高牌号无取向硅钢板（/%:0.004 6C、3.04Si、0.32Mn、0.49Als、0.004S、0.013P、0.0042N）由CSP（Compact Strip Production紧凑式带材生产线）流程:120 t BOF-70 mm CC-热轧工艺生产。热轧终轧温度872℃,卷取温度683℃。铸坯及热轧板的组织和夹杂物的分析结果表明,铸坯组织为典型的贯穿柱状晶组织;热轧板边部为再结晶组织,中部为纤维组织带有少量再结晶晶粒;高牌号无取向硅钢的主要夹杂物为铸坯-Al₂O₃,AlN和Cu₂S+MnS;热轧板-Al₂O₃,AlN,AIN+MnS和Cu₂S+MnS。 The 2.9 mm hot rolled 3%Si high grade non-oriented silicon steel plate（/%:0.004 6C,3.04Si, 0.32Mn,0.49Als,0.004S,0.013P,0.004 2N） is produced by CSP（Compact Strip Production） flow sheet i.e.120 t BOF-70 mm CC-hot rolling process with end rolling at 872℃and coiling at 683℃.The analysis results on structure and inclusions in casting slab and hot rolled plate show that the structure of slab is typical trans-columnar crystal,the structure of hot rolled plate at edge is recrystallized grain and in ce... 

本发明提供退火隔离剂的制备方法以及退火隔离剂和方向性电磁钢板。由该方法得到的退火隔离剂纯度高、分散性以及密接强度优异，可以在方向性电磁钢板表面形成均匀致密的镁橄榄石层。退火隔离剂的制备方法，其包括：工序(1)：将氧化镁和铵盐溶液混合并反应，制备镁盐溶液和氨，然后使精制的镁盐溶液与氨反应而得到氢氧化镁；工序(2)：将得到的氢氧化镁的一部分在155～230℃下高温熟化，并且将得到的氢氧化镁的另一部分在10～100℃下低温熟化；工序(3)：将在上述各条件下熟化的氢氧化镁混合、烧成，得到氧化镁用于退火隔离剂。

【机构】 武钢研究院； ...

研究了铝和铬元素在无取向电工钢晶粒长大过程中对织构及晶界变化的影响规律。试验结果表明:电工钢在晶粒长大过程中的主要织构组分均为{111}<112>。在晶粒生长期间,不加铝的1号试样中,{111}<112>、{111}<110>织构组分强化,而{100}<001>织构组分弱化;与1号试样相比,在加入0.2%的铝(质量分数,下同)的2号试样中,{111}<112>、{111}<110>织构组分强化(增加)的速率下降,{100}<001>织构组分变化不明显,甚至稍有增加。在含铝的试样中再加入0.3 5%的铬之后(3号试样),{111}<112>{、111}<110>和{100}<001>织构组分的变化规律与1号试样相似,但当电工钢中加入0.72%的铬之后(4号试样),上述3种织构组分的变化规律与2号试样相似。对于在晶粒生长期间持续变化的3种织构组分而言,1号试样的{1 1 1}<112>和{111}<110>织构组分的高(低)取向差角度晶界频率下降(... The effect rule of Aluminm and Chromium on texture and grain boundary transformation in the nonoriented electrical steel during grain growth was investigated.The experimental result shows that the main texture component is {111}<112> in the electrical steel.The {111}<112> and {111}<110> components in specimen 1 without Alumium were strengthened during grain growth whereas {100}<001> component was weakened.But the growth rate of {111}<112> and {111}<110> compon... 

本发明涉及磁悬浮电机轴硅钢片叠压领域，尤其涉及一种永磁电机内嵌式硅钢片的叠压装置、叠压工装及方法和磁悬浮鼓风机。该装置包括带槽钢板和多个长钢板；带槽钢板设置有转轴孔，转轴孔面积大于电机转轴套合硅钢片部分的截面积并且被电机转轴穿过；多个长钢板底端分别与带槽钢板相连接，并且带槽钢板上表面与硅钢片相贴合；多个长钢板竖直分布并且其分布位置与硅钢片中的多个磁钢槽相对应，长钢板外表面与硅钢片中的磁钢槽相配合。该装置通过对硅钢片的磁钢槽进行定位，保证叠压后的硅钢片的磁钢槽对齐，提高硅钢片内嵌磁钢质量。

组织和织构是影响无取向硅钢性能的重要因素。为改善产品性能，研究了冷轧压下率（71.7%～87.0%）对高牌号无取向硅钢组织、织构、磁性能和力学性能的影响。结果表明，随冷轧压下率的增加，退火晶粒平均尺寸先减小后增大；高斯和立方织构强度减弱，γ纤维织构增强，α纤维织构转变为较强的α^*（{h, 1, 1}〈1/h, 1, 2〉）织构，并随冷轧压下率的增加而增强，同时其峰值逐渐向{111}面移动；工频铁损P_1.5/50、高频铁损P_1.0/400和磁极化强度J₅₀₀₀同时降低，屈服强度变化不大，表面硬度逐渐增加。当冷轧压下率由84.7%增至87.0%、厚度减至0.30 mm时，高频铁损降幅是工频铁损的11倍，表面硬度增幅变大。以上研究成果对硅钢减薄后织构及组织的优化提供了很好的指导。 Microstructure and texture are critical factors on non-oriented silicon steel properties. In order to improve product properties, this paper studied the effect of cold rolling reduction rate（71.7%-87.0%） on microstructure, texture, magnetic properties and mechanical properties of high-grade non-oriented silicon steel. The results show that with the increase of cold rolling reduction rate, the average size of annealing grain decreases first and then increases. The intensity of Goss and λ fiber te... 

【机构】 宝山钢铁股份有限公司规划与科技部； ...

本发明公开了一种降低取向硅钢铁损的方法。本发明所述方法包括如下步骤：(1)将取向硅钢样品腐蚀，清理后，拍摄得到晶粒分布图；(2)计算平均晶粒大小S，确定刻痕间距；刻痕间距与晶粒大小S的关系为：S＜600mm2时，刻痕宽度为5.0mm；600≤S＜1000mm2时，刻痕宽度为4.5mm；1000≤S＜1400mm2时，刻痕宽度为4.0mm，S≥1400mm2时，刻痕宽度为3.5mm。本发明通过计算不同来料晶粒大小确定其刻痕间距的大小，通过对刻痕间距的调整，降低了取向硅钢的铁损。

本发明公开了一种利用取向硅钢氧化镁废弃物生产镁质球团的方法，采用取向硅钢生产过程中的废氧化镁污泥、废氧化镁粉等氧化镁废弃物，以及粗粒铁矿粉、镜像赤铁矿、磁铁精矿、膨润土和石灰石粉为原料，依次经预处理、配料、造球后，再在链箅机‑回转窑‑环冷机上进行干燥预热、焙烧和冷却，得到镁质球团。本发明利用氧化镁废弃物制备镁质球团，既有利于减少氧化镁废弃物带来的环保压力及其外运时产生的处置费用，也能显著降低镁质球团的制造成本，综合利用了钢铁厂的现有资源，生产出环境友好、低成本的镁质球团，为高炉提供优质原料，最终降低炼铁过程的污染物排放，减少环境污染。

【作者】 潘恒韬； 欧阳帆； ...

本实用新型公开了用于变压器铁芯硅钢片的叠片翻转支架，包括槽板，所述槽板内部卡装有转板，转板两侧对称安装有卡杆，槽板底部安装有风扇；所述转板另外两侧对称安装有放置槽，放置槽底部卡装有电磁铁，转板两侧皆设置有两组开关；在开关不受到压力时，此时开关所在电路处于通电状态，开关与电磁铁为电性连接，每个开关独立控制一组电磁铁，电磁铁处于工作状态，电磁铁正常运行产生的磁吸力，使得铁芯硅钢片固定在放置槽内，在使用机械臂取用铁芯硅钢片时，机械臂底部连接的触发条持续压迫开关，此时开关所在电路处于断路状态，开关所控制的相应电磁铁不产生磁力，机械臂可以较为容易的取用铁芯硅钢片。

根据本发明的一个实施例的无取向电工钢板，以重量％计，所述钢板包含Si：2.2至4.5％、Mn：0.5％以下且0％除外、Al：0.001至0.5％、Sn：0.07至0.25％和N：0.0010至0.0090％，余量包含Fe和不可避免的杂质。所述钢板包含从钢板表面向内存在的表层部和存在于表层部里面的中心部，中心部包含0.005重量％以下的N，所述表层部比中心部更包含0.001重量％以上的N，表层部的平均晶粒粒径为60μm以下，中心部的平均晶粒为70至300μm。