CN202111183528.3一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法

权利要求

1.一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法，其特征在于：包括取样→制样→冷轧轧制规程制定→实验轧机二次冷轧；具体为：

1)取样

实验材料选取经过脱碳退火后的厚度为0.63mm的CGO取向硅钢试样

2)制样

试样的尺寸为轧向650mm×30mm；将试样表层轻涂轧制油准备开展二次冷轧实验；

3)冷轧轧制规程如下表：

说明书

一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法

技术领域

本发明涉及冶金技术领域，尤其涉及一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法。

背景技术

取向硅钢属于铁素体钢，是一种应用于变压器铁芯制造的重要软磁材料，在电子电力行业得到广泛应用。近年来市场对其需求日益增加，而且对其质量的要求也越来越高。高品质取向硅钢主要体现在其优异的磁性能，尤其是铁损和磁感应强度这两个性能参数。因此，能够生产出具有更低铁损和更高磁感应强度的取向硅钢是企业关注的热点。

取向硅钢的硅元素含量基本在2.9％～3.5％之间，取向硅钢的磁感应强度只与{110}<001>晶粒取向度或{110}<001>位向偏离角有关。<001>与轧向的平均偏离角和磁感应强度有明显的关系。

取向硅钢的生产流程长，工艺复杂，每一步工艺都对最终的性能有重要的影响。提高取向硅钢的生产效率和产品质量，研发高效、节能、高性能产品的新工艺，成为发展取向硅钢的重要工作。CGO取向硅钢生产过程中需要经过两次冷轧过程。取向硅钢的二次冷轧过程是将经过脱碳退火后的厚度为0.63mm的取向硅钢带轧制成0.27mm厚度的薄带，由于Si含量较高且钢带较窄，实验室轧制时容易发生断带。本发明提供的方法为在实验室利用冷轧机开展取向硅钢窄带材二次冷轧轧制规程，为后续取向硅钢高温退火过程的研究提供材料。

发明内容

本发明的目的是提供一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法，对于开展后续研究提供了更加可靠的试样和条件。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

本发明一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法，其主要流程为：取样→制样→冷轧轧制规程制定→实验轧机二次冷轧；

1)取样

实验材料选取经过脱碳退火后的厚度为0.63mm的CGO取向硅钢试样

2)制样

采用取向硅钢专用剪板机剪切试样，试样的目标尺寸为650mm(轧向)×30mm。将试样表层轻涂轧制油准备开展二次冷轧实验。

3)冷轧轧制规程制定如下表：

与现有技术相比，本发明的有益技术效果：

本发明提供的方法制备出来的取向硅钢二次冷轧试样满足后续加工要求，对于实验室研究取向硅钢后续退火工艺提供了更加可靠的条件。

附图说明

下面结合附图说明对本发明作进一步说明。

图1(a)为本发明实施例1的取向硅钢二次冷轧后显微组织；

图1(b)为本发明实施例2的取向硅钢二次冷轧后显微组织；

图1(c)为本发明实施例3的取向硅钢二次冷轧后显微组织。

具体实施方式

实施例1

本发明所提供的是一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法，其主要流程为：取样→制样→冷轧轧制规程制定→实验轧机二次冷轧；

1)取样

实验材料选取经过脱碳退火后的厚度为0.63mm的CGO取向硅钢试样

2)制样

采用取向硅钢专用剪板机剪切试样，试样的目标尺寸为650mm(轧向)×30mm。将试样表层轻涂轧制油准备开展二次冷轧实验。

3)冷轧轧制规程制定

表2冷轧轧制规程

轧制道次
轧前厚度(mm)
轧后厚度(mm)
压下率(％)

1
0.63
0.40
36.5

2
0.40
0.20
50.0

实施例2

本发明所提供的是一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法，其主要流程为：取样→制样→冷轧轧制规程制定→实验轧机二次冷轧；

1)取样

实验材料选取经过脱碳退火后的厚度为0.63mm的CGO取向硅钢试样

2)制样

采用取向硅钢专用剪板机剪切试样，试样的目标尺寸为650mm(轧向)×30mm。将试样表层轻涂轧制油准备开展二次冷轧实验。

3)冷轧轧制规程制定

表3冷轧轧制规程

轧制道次
轧前厚度(mm)
轧后厚度(mm)
压下率(％)

1
0.63
0.45
28.6

2
0.45
0.35
22.2

3
0.35
0.28
20.0

4
0.28
0.23
17.9

实施例3

本发明所提供的是一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法，其主要流程为：取样→制样→冷轧轧制规程制定→实验轧机二次冷轧；

1)取样

实验材料选取经过脱碳退火后的厚度为0.63mm的CGO取向硅钢试样

2)制样

采用取向硅钢专用剪板机剪切试样，试样的目标尺寸为650mm(轧向)×30mm。将试样表层轻涂轧制油准备开展二次冷轧实验。

3)冷轧轧制规程制定

表3冷轧轧制规程

以上所述的实施例仅是对本发明的优选方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。