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从影响高牌号无取向硅钢退火工艺的主要参数入手,介绍高牌号无取向硅钢退火炉在加热、气氛控制、冷却、涂层烘烤方面的新技术,并展望无取向硅钢退火炉的发展方向。 Based on the technology parameters of high-grade non-oriented silicon steel annealing,the new technology of the annealing line,which includes heating,atmosphere control,cooling,coating baking,is introduced,and the development direction of non-oriented silicon steel annealing furnace is pointed out. 
2013-02-28 173 5.8

冷轧无取向硅钢(/%:0.003C,2.35Si,0.22Mn,0.011P,0.002S,0.36A1,0.003 0N)经890℃或940℃3 min常化的2.3 mm热轧板冷轧成0.35 mm薄板。研究了常化温度和800920℃3 min退火对该钢高频(400Hz)磁性能和抗拉强度的影响。结果表明,830920℃退火时高频铁损P10/400值最低,随退火温度增加,晶粒尺寸增大,钢的抗拉强度降低;该钢的最佳热处理工艺为常化温度940℃,退火温度830℃,其抗拉强度Rm、高频铁损P10/400和磁感应强度J50分别为565 MPa,21.5 W/kg和1.69 T。 The cold-rolled non-oriented silicon steel(/%:0.003C,2.35Si,0.22Mn,0.011P,0.002S,0.36A1,0.003 0N) is cold-rolled to 0.35 mm sheet from 2.3 mm hot-rolled plate normalized at 890 ℃ or 940℃ for 3 min.The effect of normalizing temperature and annealing process at 800 920 °C for 3 min on high frequency(400 Hz) magnetic properties and tensile strength of the steel has been tested and studied.Results show that with annealing at 830 920 ℃the high frequency iron loss value P10... 
2014-03-28 162 5.8

本发明公开了一种适用于无取向硅钢极薄带表面涂覆的涂液,它由水溶性丙烯树脂、成膜助剂、耐盐雾助剂、流平剂、纳米氢氧化锆、消泡剂、水按质量比100:(2~8):(1~3):(1~5):(0~1):(0.1~0.5):(70~130)组成。将该涂液在无取向硅钢极薄带表面可表现出良好的涂覆性,经烘烤固化后形成的绝缘涂层表面透明光滑,附着性和绝缘性能优良,可有效提升无取向硅钢极薄带的综合性能,适合推广应用。
2021-09-30 168 6.8

本发明公开了一种适应高频率工况下低铁损无取向电工钢及其生产方法,所述生产方法包括以下步骤:钢水连续浇铸成板坯—热轧—正火—酸洗—冷轧—连续退火—涂绝缘涂层并固化;所述冷轧步骤中,采用六辊单机架往复式轧机经5道次一次冷轧至目标厚度,冷轧过程中前三道次采用变速异步轧制方法,使钢板表层在剪应力作用下位错密度增加,这样在退火后表层晶粒尺寸细化而心部晶粒粗大,通过本发明的方法可生产得到心部为粗大等轴晶粒,表层为纳米级细等轴晶粒的电工钢产品,该产品的铁损P1.5/50≤2.35W/kg,P1.0/400≤14.0W/kg。
2021-07-09 196 6.8

本实用新型涉及一种硅钢切边重卷机组,包括依次衔接布置的开卷机、入口穿带装置、入口转向夹送辊、入口剪、切边单元、出口转向夹送辊和卷取单元,所述切边单元包括沿带钢运行方向依次衔接布置的切边夹送辊、入口稳定辊、切边剪和出口稳定辊,所述切边剪的废料出口侧衔接布置有碎边剪,所述碎边剪的废料出口侧配置有切边废料输出装置。本实用新型提供的硅钢切边重卷机组,采用切边剪+碎边剪的组合对带钢进行切边操作,避免了传统的废边卷取方式,能较好地适用于硅钢切边操作。采用切边夹送辊与入口稳定辊和出口稳定辊配合,能显著地提高切边操作时带钢运行稳定性以及保证带钢切边质量,可相应地提高生产效率。
2021-02-22 150 6.8

本发明公开了一种高牌号硅钢的穿带激光焊接方法,包括:将焊缝中硅含量降低到Si焊<1.9%。采用激光+填丝焊接,填丝ER50‑6碳钢焊丝;根据焊缝截面积和激光焊接速度;激光填丝焊接时,激光线能量应足够大,达到填丝在熔池中充分混合,均匀分布,不至于填丝的成分浮在熔池的上半部分。采用此方法使焊缝组织从粗大铁素体变成细小、致密的无碳贝氏体,晶内沉淀相和晶间脆性相相对大幅减少,提高了焊缝韧性和成形性能,保证了高硅硅钢带的穿带焊接和连续生产。
2021-05-12 148 6.8

以水氯镁石为原料,采用氨法沉镁-煅烧-添加剂的方法制备硅钢级氧化镁。考察了反应温度、反应pH值、陈化时间对中间体氢氧化镁纯度及转化率的影响;研究了煅烧温度和煅烧时间对氧化镁水化率的影响及添加剂的量对氧化镁悬浮性能的影响。控制实验条件为:反应温度55℃,pH值为9.5,陈化时间2h,煅烧温度1050℃,煅烧时间2h,添加剂量为0.8%,制得氧化镁的纯度为98.99%、水化率为2.92%、悬浮性能为3mm/h,达到硅钢级氧化镁的要求。 Using bischofite as raw material,the preparation of magnesium oxide with silico-steel grade was studied.The effects of reaction temperature,reaction pH value and aging time on the intermediate magnesium hydroxide purity and conversion rate were studied.Calcinations temperature,calcinations time relationship to the hydration rate of MgO and amount of additive to the suspension performance of MgO were investigated.The results indicated that the optimum technological conditions were as follows:reac... 
2023-05-09 198 5.8

本发明的取向性电磁钢板的制造方法能够稳定地制造被膜特性和磁特性优异的取向性电磁钢板。其包括:对含有规定的添加元素的钢坯进行热轧;冷轧制成最终板厚;进行脱碳退火;涂布以MgO为主剂的退火分离剂;进行最终退火,其中,上述退火分离剂的主剂的BET比表面积比率H2O/N2为0.6~1.6且浆料状态下粒径40μm以上的粒子的比例为5质量%以下。
2021-08-31 201 6.8

本发明公开了一种降低无取向硅钢W800头部窄尺的控制方法,步骤1、筛选板坯长度,并使板坯进入加热炉后头部均朝向轧机方向;步骤2、控制板坯头部温差小于10℃;步骤3、固定粗轧到精轧区间内的轧机机架轧制速度;步骤4、固定相变机架,使板坯的奥氏体‑铁素体相变发生在F2和F3机架中;步骤5、调整精轧机架间的负荷分配,降低F2和F3机架的压下量;步骤6、调整活套张力,降低F2和F3机架的活套单位张力补偿;步骤7、降低模型AGC增益,降低F2和F3机架的AGC补偿的辊缝波动量。本发明通过控制固定相变机架、优化相变机架的负荷分配、AGC补偿系数、活套张力等,使秒流量保持平衡,减少无取向硅钢W800头部窄尺。
2021-12-27 217 6.8

本申请实施例公开了一种硅钢片卷绕机调节装置,包括底部支撑座,所述底部支撑座一侧的内部活动套接有伸缩调节板,所述伸缩调节板的上部固定连接有上部定位套,所述上部定位套内部的上端活动套接有第一定位板,所述上部定位套的内部安装有第一螺纹定位杆。该硅钢片卷绕机调节装置,通过带动硅钢片夹持在上下两个夹持板之间,即可带动夹持板之间的挤压力,带动硅钢片两侧位置进行限定,避免硅钢片收卷时出现振动和偏移的问题,同时装置夹持板的内部活动套接有滚轮,即可在硅钢片移动过程中,可带动滚轮旋转,即可带动硅钢片与滚轮之间的摩擦阻力降低,至此可带动硅钢片移动时的灵活性,避免硅钢片移动时出现卡死的问题。
2021-12-15 182 6.8

针对硅钢连续生产线设备存在的故障、隐患以及精度等影响产品质量的问题进行分析及改造,实现保证生产线设备稳定运行、提高设备精度及硅钢产品质量的目的。 This paper analyzes and transforms the electrical equipment failures, risks existed in slicon continuous production line, and the effect of accuracy to product quality, in order to ensure stable operation of equipment in production line and improve the accuracy of device, quality of silicon. 
2014-04-28 144 5.8

【作者】 吴玉美; 陆晔; ...
2023-05-09 200 5.8

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