硅钢资料

本发明提供能够制造实现高磁通密度且磁特性优异的方向性电磁钢板的新颖并且得以改良的方向性电磁钢板的制造方法。本发明的一方案提供一种方向性电磁钢板的制造方法，其特征在于，其包含热轧工序、冷轧工序、一次再结晶退火工序、最终退火工序及平坦化退火工序，并进行喷丸处理和/或矫平加工处理及与溶液相接触的处理，上述溶液含有规定量的Cu等，pH为‑1.5以上且低于7，液温为15℃以上且100℃以下，钢板在上述溶液中浸渍的时间为5秒以上且200秒以下。

本发明提供能够制造磁特性与被膜密合性优异的电磁钢板的新颖并且得以改良的电磁钢板的制造方法。一种电磁钢板的制造方法，其特征在于，其包括以下工序：使电磁钢板与溶液相接触，所述电磁钢板以质量％计含有C：超过0％且0.10％以下、Si：2.5％以上且4.5％以下、Mn：0.01％以上且5.0％以下、S、Se及Te中的1种或2种以上的合计：超过0％且0.050％以下、酸可溶性Al：超过0％且5.0％以下、N：超过0％且0.015％以下、P：超过0％且1.0％以下、剩余部分由Fe及杂质构成，其中，上述溶液含有Cu、Hg、Ag、Pb、Cd、Co、Zn及Ni中的1种或2种以上，各元素的浓度合计为0.00001％以上且1.0000％以下。

本发明提供虽然为薄壁但磁特性优异的方向性电磁钢板的制造方法。本发明的一个方案提供一种方向性电磁钢板的制造方法，其包括热轧工序、任选的热轧板退火工序、酸洗工序、冷轧工序、一次再结晶退火工序、成品退火工序和平坦化退火工序，在酸洗工序中，使用包含0.0001g/L～5.00g/L的Cu的酸洗溶液，冷轧钢板的板厚为0.15mm～0.23mm，一次再结晶退火工序的升温工序中的30℃～400℃的温度区域的平均升温速度超过50℃/秒且为1000℃/秒以下。

该电磁钢板包括母材钢板、第1绝缘被膜及第2绝缘被膜，该第1绝缘被膜被形成于所述母材钢板的第1面，并具有粘结能量，该第2绝缘被膜被形成于作为所述母材钢板的所述第1面的背面的第2面，并具有粘结能量，所述第1绝缘被膜的平均铅笔硬度为HB以上3H以下，所述第2绝缘被膜的平均铅笔硬度比所述第1绝缘被膜的平均铅笔硬度更高。

该电磁钢板用涂布组合物是含有环氧树脂、高温固化型交联剂以及无机微粒的电磁钢板用涂布组合物，相对于所述环氧树脂的100质量份，所述高温固化型交联剂为5～30质量份，所述无机微粒是从金属氢氧化物、在25℃下与水反应而成为金属氢氧化物的金属氧化物、以及具有羟基的硅酸盐矿物中选择的一种以上，所述无机微粒的体积平均粒径为0.05～2.0μm，所述环氧树脂的含量相对于所述电磁钢板用涂布组合物的总质量为45质量％以上，所述无机微粒的含量相对于所述环氧树脂100质量份为1～100质量份。

该电磁钢板用涂敷组合物含有环氧树脂、潜伏性环氧树脂固化剂和热塑性弹性体，上述热塑性弹性体的熔点为100℃～200℃，并且弯曲弹性模量为超过5MPa且为100MPa以下，相对于上述环氧树脂与上述潜伏性环氧树脂固化剂的合计100质量份，上述热塑性弹性体的含量为10质量份以上且低于40质量份。

层叠铁芯使用的电磁钢板是在母材钢板(2)的表面具有涂布电磁钢板用涂布组合物而形成的绝缘被膜(3)的电磁钢板，所述电磁钢板用涂布组合物以特定的比率配合有环氧树脂、由烷基酚构成的第一固化剂、由苯酚甲阶酚醛树脂和苯酚酚醛清漆树脂中的任意一方或双方构成的第二固化剂。

该电磁钢板用涂布组合物含有环氧树脂、酚类固化剂(A)、以及从芳香族胺和双氰胺中选择的一种以上的胺类固化剂(B)，所述酚类固化剂(A)的含量相对于所述环氧树脂100质量份为1～40质量份，所述胺类固化剂(B)的含量相对于所述环氧树脂100质量份为0.5～5质量份。

该电磁钢板为母材钢板的其中一个或两个表面中的至少一部分被具有接合能力的绝缘被膜覆盖的电磁钢板，所述绝缘被膜的25～100℃的温度范围的对数衰减率为0.3以下。

用于层叠铁芯的电磁钢板为一种在母材钢板(2)的表面具有绝缘被膜(3)的电磁钢板，该绝缘被膜(3)是涂布电磁钢板用涂布组合物而构成的，所述电磁钢板用涂布组合物以特定的比例配合有环氧树脂、第1固化剂及第2固化剂，该第1固化剂由包含具有烷基及烷氧基中的任意一者或两者的酚骨架的酚醛树脂构成，该第2固化剂为从酚醛甲阶树脂及苯酚酚醛清漆树脂中选择的1种以上。

用于层叠铁芯的电磁钢板为一种电磁钢板，其在母材钢板(2)的表面，具有涂布电磁钢板用涂布组合物而成的绝缘被膜(3)，所述电磁钢板用涂布组合物含有环氧树脂、环氧树脂固化剂、以及弹性体改性酚醛树脂，所述弹性体改性酚醛树脂的含量相对于所述环氧树脂100质量份，为10质量份以上100质量份以下。

一种无取向性电磁钢板，其母材的化学组成以质量％计为：C：0.0010～0.0040％、Si：3.5～4.9％、Mn：0.05～0.20％、Al：0.05～0.45％、P：0.030％以下、S：0.0030％以下、N：0.0030％以下、O：0.0100～0.0400％、Ca：不足0.0010％、Ti：不足0.0050％、Nb：不足0.0050％、Zr：不足0.0050％、V：不足0.0050％、Cu：不足0.20％、Ni：不足0.50％、Sn：0～0.05％、Sb：0～0.05％、剩余部分：Fe和杂质；满足[4.0≦Si+Al≦5.0]；除了从母材的表面到深度方向10μm的位置以外的区域的O含量不足0.0050％。