硅钢资料

本实用新型涉及硅钢片钢卷技术领域，且公开了一种用于硅钢片钢卷制造的焊接装置，解决了目前对钢片钢卷的夹持效果不好，导致硅钢片钢卷在焊接时会出现两侧位置偏移，焊接效果不好的问题，包括底板，所述底板上端中部连接有安装板，安装板上端两侧通过第一螺栓与底板上端固定连接；本实用新型，通过对硅钢卷本体的位置进行固定，且不会导致硅钢卷本体位置发生偏移，导致硅钢卷焊接效果不好；通过第一电机带动第一滑块滑动，使得第一转杆与第二转杆位于第一滑块上端与下端转动，带动第一支撑板与第二支撑板移动，能够对硅钢卷本体进行支撑，能够对硅钢卷本体进行支撑，便于进行焊接。

一种薄规格中高牌号无取向硅钢酸轧生产工艺，属于无取向硅钢冷轧成型技术领域，该生产工艺在焊接前对焊缝预加热和焊接后对焊缝两次后加热，采用五机架六辊冷连轧机组轧制，其压下率分别为35％‑45％、35％‑45％，30％‑36％，25％‑30％，1％‑10％，第一二冷轧机间、第二三冷轧机间、第三四冷轧机间、第四五冷轧机间的单位张力分别为120‑130KN/mm2、130‑140KN/mm2、150‑160KN/mm2和160‑180KN/mm2，本发明的有益效果是，本发明通过对冷连轧的工艺进行改进优化，提高了薄规格中高牌号无取向硅钢带的轧制效率，提高了同板差的合格率，降低了轧制的断带率和轧烂率。

本发明公开了一种低铁损高磁导率无取向电工钢及其生产方法，所述生产方法包括以下步骤：钢水连续浇铸成板坯，板坯经加热炉加热，再经热轧得到热轧板，然后经空冷和水冷后在500～650℃进行卷取；热轧板经常化处理、盐酸酸洗；酸洗后在可逆轧机上进行冷轧；最后经成品退火，退火温度为840～900℃，加热时间为240～500s；然后以不超过3℃/s的冷却速度冷却至500℃以下；涂覆绝缘涂层、固化，后经二次退火，即可得到低铁损高磁导率无取向电工钢，其磁性能满足P1.5/50≤3.50W/kg，μ1.5≥3800Gs/Oe，B5000≥1.76T的要求。

本实用新型涉及取向硅钢高温连续退火炉领域，尤其涉及一种取向硅钢高温连续退火炉隔离装置，包括安装在炉壳上的隔离炉门及设置在隔离炉门四周的密封井；隔离炉门顶部两侧安装有水冷却装置；水冷却装置上部设有隔离炉门动力牵引装置；密封井包括固定密封井和伸缩密封井，伸缩密封井位于固定密封井内部并与固定密封井滑动连接，伸缩密封井与固定密封井端部连接处设有密封装置。本实用新型可以确保隔离炉门升降过程中实现无缝全密封状态，提高密封效果，且采用伸缩密封井实际降低了密封井的高度，间接降低了水冷却装置连接管道上升至最高点的净空标高，与传统固定式密封井高度相比可以降低高度50％～80％，从而降低厂房净空标高，节省厂房基建投资。

本申请提供了涂布的晶粒取向电工钢板及其生产方法。在一个示例性实施方案中，所述方法包括生产具有约2.5至约4重量％的硅、约0.005至约0.1重量％的碳和约90至约97.5重量％的铁的熔融钢。将熔融钢浇铸成板坯并且然后冷轧成具有表面的板。使用脱碳退火对板进行脱碳，然后使用重结晶退火进行重结晶以生产晶粒取向电工钢。施加涂层覆盖所述表面，其中所述涂层包括有机可辐射固化交联剂和光引发剂。通过将涂层暴露于辐射源来固化涂层。

本实用新型涉及硅钢技术领域，尤其为一种用于硅钢绝缘涂料生产用储存装置，包括储存装置、顶盖和定位板，所述储存装置与顶盖铰链连接，所述顶盖内侧后端固定连接有定位块，所述定位块前端转动连接有连接块，所述连接块的另一端内侧转动连接有转动杆，通过设置的定位块、连接块、转动块、转动杆、推杆、档杆、挡块、弹簧、固定板和垫片，在使用时，盖上顶盖后，通过推动推杆，使推杆通过转动块带动转动杆在连接块内转动，推杆推动挡块，使挡块通过档杆挤压弹簧，从而对推杆进行限位，然后带动连接块在定位块上转动，从而使连接块挤压固定板，使固定板带动垫片，使垫片与储存装置贴合更紧，防止漏气，防止空气进去，防止涂料干燥。

在实验室模拟CSP工艺条件下制备了取向硅钢,研究了二次冷轧中间退火工艺对组织和织构的影响。结果表明,中间退火温度对取向硅钢脱碳,高温退火组织及织构均产生明显影响。经940℃中间退火后,取向硅钢脱碳再结晶晶粒较850℃中间退火的多,且再经高温退火处理后,晶粒粗化,最大晶粒尺寸达4.8 mm;高斯织构组分密度达27.00,较850℃中间退火试样高。 Grain-oriented silicon steel was prepared by simulated CSP technology in laboratory. Effects of secondary cold-rolled intermediate annealing on microstructure and texture were studied. The results show that intermediate annealing has obvious effects on the microstructure and texture of the steels after decarburization annealing and high temperature annealing. After intermediate annealing at 940 ℃,recrystallized grain of decarburization annealed steel is more than that of intermediate annealed at... 

本发明涉及金属加工技术领域，且公开了一种电机硅钢片加工方法，包括底板，所述底板的顶面活动连接有夹板，所述底板的顶面固定安装有固定板，所述固定板的中部活动连接有螺纹杆，所述螺纹杆的表面固定安装有齿轮一，所述底板的顶面固定安装有固定轴，所述固定轴的顶端活动连接有齿圈。该电机硅钢片加工用码垛装置及其操作方法，齿圈在旋转时带动啮合齿旋转，通过啮合齿与齿轮一的啮合带动齿轮一转动，齿轮一在转动时通过与夹板底端的啮合，可以带动三个夹板同时移动，从而可以改变三个夹板之间的面积值，从而实现装置可以对不同规格的硅钢片进行码垛，操作简单，降低了操作人员的劳动强度。

采用非水溶液电解方法来提取无取向硅钢中夹杂物。通过扫描电镜(SEM)观察结果表明:无取向硅钢中主要夹杂物为六棱柱的AlN、不规则硅酸盐及球状的铁的硫化物和氧化物,其中AlN夹杂尺寸在1~5μm,数量较多,还有部分AlN的复合夹杂。进一步研究了AlN复合夹杂形成机理,采用了Thermo-Calc热力学计算软件计算出该钢样中AlN、MnS析出温度分别为1 240℃、1 200℃,而Al2O3析出温度大于1 800℃,从而为AlN复合夹杂形成机理提供了一个理论依据。 Extracting inclusions from non-oriented silicon steel in non-aqueous electrolysis is a nondestructive method to gain inclusions.Scanning electron microscopy shows that the main inclusions in non-oriented silicon steel were hexagonal AlN,which was of large quantity,irregular silicate,spherical iron sulfide and oxide.The size of AlN inclusions ranged from 1to 5μm,and there were some duplex inclusions of AlN.To further study the formation mechanism of AlN duplex inclusions,Thermo-Calc thermodynamic... 

本发明涉及一种在连续的退火和覆层线(1)中对非晶粒取向的电工钢带(2)进行再结晶退火的方法，其中电工钢带(2)在感应炉(5)中以至少80K/s的加热速率加热到至少680℃的温度，并且然后在可能的第二连续炉(8)中以最大20K/s的加热速率加热到至少820℃的温度，其中在感应炉(5)上游将电工钢带(2)首先经由第一连续炉(3)以至多60K/s的加热速率加热到至少300℃的温度。

本实用新型属于检测设备技术领域，尤其为永磁同步电动机硅钢片的检测设备，包括检测台板，所述检测台板的两侧固定连接有立固框，所述立固框的上端固定连接有交叉式顶板，所述交叉式顶板的上端固定安装有液压缸，所述液压缸的输出端固定连接有挤压板，所述检测台板的上端表面固定连接有立固块，所述立固块上插设有拔拉杆，所述拔拉杆的一端固定连接有夹固板，所述检测台板的上端表面开设有条形槽，所述条形槽的内部固定连接有横固杆，所述横固杆的外围套设有弹簧。本实用新型通过设置夹固机构，使得硅钢片冲片在进行抗压检测之前能够得到更好的固定，从而避免检测的过程中产生飞弹现象，确保了设备的使用安全性。

根据本发明的一个实施例的双取向电工钢板，以重量％计，所述钢板包含Si：2.0至4.0％、Al：0.01至0.04％、S：0.0004至0.02％、Mn：0.05至0.3％、N：0.01％以下且0％除外、C：0.005％以下且0％除外、P：0.005至0.15％、Ti：0.001至0.005％、Ca：0.0001至0.005％和Mg：0.0001至0.005％，余量包含Fe和其他不可避免的杂质，具有从{100}＆lt;001＆gt;起15°以内的取向的晶粒的面积分数为60至99％，具有从{100}＆lt;025＆gt;起15°以内的取向的晶粒的面积分数为1至30％。