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本发明提出一种预判取向硅钢冷轧脆断发生的方法,将酸洗带头20‑30cm进行剪切取样,在取到的样板上面注明工作侧和传动侧;将取好的样板送至焊缝检测冲压机处,通过冲压机对样板进行冲压,根据不同钢带厚度,设定不同冲孔机压力,对样板进行冲压后,通过观察裂纹形貌,预判常化卷在冷轧轧制过程中是否会发生脆断,本发明使带钢在冷轧前能够制定相应的对策措施,从而降低冷轧断带所产生的损失。
2021-03-05 75 6.8

针对硅钢连续退火机组的主要能源介质消耗现状,对现有生产工艺和设备研究采取机组循环用水、增加清洗段漂洗级数等措施可节约大概27 m3/h的过滤水量,并可减少78%的弱碱处理量;将炉子烟气换热系统增加一级余热回收,每年回收的余热相当于583 t标煤消耗,可节约蒸汽5 368 t。 The present situation of energy consumption for silicon steel annealing line is analyzed in this paper.In existing process and equipment conditions,increasing the number of cleaning series will lead to a saving of about 27 m3/h of filter water and reduce 78 % of weak base processing volume.For the flue gas heat-exchange system,adding a waste heat recovery device will recover waste heat equivalent to 583 tons of standard coal per year,corresponding to a saving of steam 5 368 t per year. 
2011-05-28 75 5.8

本申请涉及硅钢制造技术领域,尤其涉及一种去除耐热刻痕取向硅钢中熔覆物的化学试剂及其方法。所述化学试剂的组分以质量分数计包括:强酸溶液:8%~20%;酸性氧化剂:5%~15%或助剂:5%~20%;其余为溶剂;其中,所述强酸溶液包括硫酸、盐酸和硝酸中任意一种。本申请实施例提供的该方法,通过10%~20%强酸溶液,可快速有效地去除取向硅钢刻痕处的熔融物,而酸性氧化剂:5%~15%,或助剂:5%~20%结合合适浓度的强酸溶液,可以将取向硅钢的基体破坏降到最小,两种综合作用,得到表面平整的耐热刻痕取向硅钢。
2021-11-17 75 6.8

本发明公开了一种无瓦楞状缺陷的高磁感低铁损无取向电工钢板,其各化学元素质量百分含量为:0<C≤0.0035%、Si:1.2~2.8%、Mn:0.2~1.0%、P:0.04~0.15%、Sn+Sb:0.02~0.2%,余量为Fe和其他不可避免的杂质。此外,本发明还公开了上述高磁感低铁损无取向电工钢板的制造方法,其包括步骤:(1)冶炼和连铸,其中在该步骤不采用电磁搅拌;(2)热轧,其包括:粗轧、精轧、卷取和均热;其中在粗轧步骤采用2~6道次进行轧制,且粗轧单道次压下率控制在20%~40%之间;(3)上述热轧步骤后不进行常化步骤而直接进行冷轧;(4)连续退火。本发明所述的无瓦楞状缺陷的高磁感低铁损无取向电工钢板在保证较低生产成本的同时,还具有高磁感和低铁损的特性。
2021-04-09 75 6.8

本实用新型公开了一种堆垛硅钢片接料装置,它涉及变压器零部件加工技术领域。导向滚轮沿平移轨道滚动带动接料底座沿平移轨道移动;接料底座上设有剪力臂架,升降油缸驱动剪力臂架调节高度带动滚筒架升降,滚筒架上安装有数排滚筒,滚筒为双链轮滚筒,每排的数个滚筒中,相邻滚筒间通过链条与链轮的配合连接,电机驱动一个滚筒转动带动一排的数个滚筒同时转动;每排的数个滚筒上方两侧分别设有导向槽板,导向槽板与滚筒架固定连接。本实用新型的优点在于:可对左右侧、不同层的硅钢片柱进行出料,可同时对多柱硅钢片进行出料,出料效率高;接料的稳定性提高,接料底座移动稳定性提高,接料后硅钢片柱可直接输送至叠装处,操作便捷,转运效率高。
2021-06-09 75 6.8

1.本外观设计产品的名称:硬质合金刀(硅钢片刃切剪用)。;2.本外观设计产品的用途:用于硅钢片刃的剪切。;3.本外观设计产品的设计要点:在于其整体形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。;5.使用时为安装面,故不常见,省略后视图。;
2021-08-10 75 6.8

本发明提供一种无铝低合金无取向硅钢氧含量控制方法,属于钢铁冶炼技术领域。该无取向硅钢化学成分按质量百分比为C≤0.005%,Si:0.2%‑0.6%,Mn:0.20%‑0.50%,P:0.03%‑0.08%,S≤0.005%,Als≤0.005%,余量为Fe及不可避免的杂质。其工艺流程为:KR铁水预处理→转炉冶炼→RH真空精炼→连铸。转炉出钢严格控制下渣量,加石灰、萤石、高铝渣面脱氧剂控氧调渣;RH真空精炼脱碳结束后,加低碳低硫硅铁、金属锰、磷铁等脱氧合金化,循环5min后,再加入金属铝终脱氧,同时向钢包渣面加入高铝渣面脱氧剂对炉渣进行脱氧,成分全部达标后净循环时间≥8min,破空、出钢;连铸进行全程保护浇注。使用本发明提供的操作方法,可以得到自由氧含量≤15ppm,总氧含量≤35ppm的钢水,提高钢水洁净度。
2021-01-21 75 6.8

一种取向硅钢极薄冷轧板钢带的焊接系统及方法,于该系统内设有焊轮及与焊轮电连接的焊接控制器;所述焊轮由前后呈直线布设的主焊轮、副焊轮构成;所述焊接控制器由分别与主焊轮电连接的第一焊接控制器、与副焊轮电连接的第二焊接控制器构成。所述焊接基于单排焊,仅使用一次焊接行程,通过设置的第一次焊接与第二次碾压焊接依次作业完成。本发明的一种取向硅钢极薄冷轧板钢带的焊接系统及方法,针对取向硅钢极薄钢带冷轧板焊接的问题,对传统电阻焊焊机拥有的碾压轮改造及建立的相应焊接工艺。平衡了热量积累与质量保证两者,解决了取向硅钢极薄钢带冷轧板焊接容易发生虚焊、爆焊和焊接时间长等问题。同时和传统电阻焊焊机相比焊接工艺窗口更大,焊接效率更高。
2021-09-27 75 6.8

本实用新型涉及一种改进的点火器线圈硅钢片结构,包括E型件和I型件,所述E型件和I型件组合成日字形,它们可相互转动;所述E型件包括竖边和设置在竖边三个横边,三个横边分别为上横边,中横边和下横边,它们分别与竖边垂直连接;其中所述竖边的转角位置圆角处理,竖边外侧为弧形边;所述上横边的端面设置插缝;所述中横边的端头设置凹部;所述下横边的端头设置凸部;所述I型件上端两侧对称设置凹台;所述凹台具有弧形凹边;所述I型件通过凹台设置在插缝可以旋转。本实用新型设计新颖,改进巧妙,由于E型件具有弧形边可以有利于拾取,方便工作操作,E型件和I型件采用插合的方式,整体结构稳定,便于安装,增加了组合体的稳定性。
2021-08-20 75 6.8

采用火花源原子发射光谱分析测定电工钢中超低C,研究试样制备方法、Ar纯度和压力等条件对分析结果的影响,并对工作曲线进行了优化,实现了一次分析同时测定电工钢的多种元素,满足炉前和精炼在线分析的要求。 Ultra-low carbon in electrical steel is determined with spark-source atom emission spectrum.It is researched the influence of sample making method,purity of Ar,and pressure on analysis result.The work curve is optimized.The determination of many elements in electrical steel only in one analysis is realized.It meets demands of on-line analysis for blast furnace and refining. 
2011-09-28 75 5.8

本实用新型公开了一种镀铝锌硅钢钣冲压装置,包括安装板,所述安装板的上表面延伸至下表面开设有上下管贯通的板件交换槽,所述安装板的上表面且位于板件交换槽的正上方通过固定螺栓固定连接有模座板。本实用新型,通过设置二次镀膜箱,对冲压后的硅钢钣进行二次铝锌镀膜,避免了冲裁面的暴露导致硅钢钣慢性腐蚀,提升了镀铝锌硅钢板的质量和使用寿命,通过设置夹取机构,对硅钢钣自动取放操作,减少了人力操作,提高了效率的同时,提高了设备安全性,通过设置废料回收槽,对冲压产生的边角料进行集中回收在利用,提升了生产过程中的环保性,通过优化结构设计,提高了镀锌硅钢钣的生产效率,降低生产成本。
2021-01-02 75 6.8

针对硅钢连续生产线设备存在的故障、隐患以及精度等影响产品质量的问题进行分析及改造,实现保证生产线设备稳定运行、提高设备精度及硅钢产品质量的目的。 This paper analyzes and transforms the electrical equipment failures, risks existed in slicon continuous production line, and the effect of accuracy to product quality, in order to ensure stable operation of equipment in production line and improve the accuracy of device, quality of silicon. 
2014-04-28 75 5.8

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