所有分类
  • 所有分类
  • 未分类

本实用新型公开了一种硅钢板带加工用表面成型设备,包括底座,所述底座的上端固定连接有底部支撑架,所述底部支撑架的上端固定连接有机体,所述机体的上端固定连接有密封盖。本实用新型在打磨过程中,水泵可以将过滤箱内的冷却液通过进液机构上的进液管泵入到进液机构内,再经过进液孔进入到第二转轴内,再进入到打磨辊筒内,最后经过喷头喷到钢带表面,对钢带表面进行冷却,且可以将打磨下来的粉末带走,防止粉末飘散;冷却在喷出后,经过集液斗的收集,进入到过滤箱内,在过滤箱内设置过滤网可以对冷却液进行过滤,从而可以对冷却液进行重复使用。
2021-08-11 149 6.8

本实用新型涉及一种电机定子硅钢片激光焊接装置,其包括底座;工作台,其安装于所述底座;下压旋转组件,其包括:焊接支座,其安装于所述底座上;用于压紧定子硅钢片的下压组件,所述下压组件位于所述工作台的上方,且可沿垂直于所述工作台的板面的方向移动;用于驱动所述定子硅钢片旋转的旋转组件,其安装于所述下压组件靠近所述工作台的一端,所述旋转组件可绕所述下压组件的轴线旋转;以及激光焊接头组件,其固定于所述底座。通过在焊接工作台上设置下压旋转组件,下压组件可以驱动下压使定子硅钢片压紧,旋转组件可以驱动定子硅钢片旋转,进行下一道焊缝焊接,直到该定子硅钢片所有焊缝焊接完成,使用方便,省时省力。
2021-12-31 247 6.8

【作者】 严伟明; ...
2013-09-28 122 5.8

本实用新型公开了一种实验室模拟硅钢带连续常化退火炉,属于热处理技术领域。该退火炉包括:炉膛,沿退火炉本体的长度方向贯通,所述炉膛的两端的开口处设有炉门,炉门上设有透气孔,炉膛内自左向右依次分为多个加热区;滑轨,沿炉膛的长度方向设于所述炉膛的底部;移动机构,设在滑轨上且能沿滑轨移动;牵引绳,由耐高温材料制成,其一端与移动机构连接,另一端延伸至退火炉本体的外部;牵引绳收放机构,设于退火炉本体的外部,并与牵引绳的外端连接,用于收放牵引绳。本实用新型的退火炉采用三段加热区域,独立控温,能够模拟硅钢带预热、加热、均热、冷却等连续常化工艺,实验条件更接近工业生产。
2021-02-04 110 6.8

采用CVD法制备6.5%Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响。结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定;渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定;扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足Δw表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间。 6.5%Si high silicon steel was manufactured by using CVD method and the process was introduced,the influence of temperature on the siliconizing rate and quality reducing rate,diffusion time on silicon distribution were investigated.Results as follows: the siliconizing rate will increase quickly when the temperature is higher than 1050 ℃,but the siliconizing rate will become steadily as the temperature up to 1200 ℃;The quality reducing rate will increase with the elevating of temperature and the r... 
2013-01-28 141 5.8

本实用新型公开了E字型硅钢片的级进模冲压装置,属于冲压模具设备领域,所述下模具包括与冲孔凸模、冲方孔凸模、切断凸模分别对应且相适配的冲孔凹模、冲方孔凹模、切断凹模,所述上模具上设有对条料板进行输送的导料板,所述冲孔凸模、冲孔凹模均设有两对并且并排设置,且每对冲孔凸模、冲孔凹模均设有两个,每个所述冲孔凸模、冲方孔凸模、切断凸模的顶端均用微米级间隙固定安装于上模具上,所述冲孔凹模、冲方孔凹模、切断凹模的底端均用微米级间隙固定安装在下模具上。本实用新型中各个凸、凹模分别采用硬质合金拼块、镶块式的结构并用微米级间隙固定安装在上、下模具上,这样不仅可节省材料的费用,同时还便于人们后期对模具的维修和使用。
2021-03-10 163 6.8

此无取向性电磁钢板具有预定的化学组成,所述化学组成满足(2×[Mn]+2.5×[Ni]+[Cu])-([Si]+2×[sol.Al]+4×[P])≧1.50%,以SEM-EBSD测定距表面1/2板厚深度的与轧制面平行的面时,将{hkl}<uvw>取向的晶粒相对于全部视野的面积率记为Ahkl-uvw时,A411-011在15.0%以上,且平均晶体粒径为50μm~150μm。
2021-03-24 134 6.8

本发明提供的一种耐热型低损耗取向硅钢,取向硅钢的单面采用激光刻痕形成平行线状沟槽;所述激光刻痕为取向硅钢制备工艺中的渗氮步骤之后和在涂覆MgO涂层步骤之前实施;在渗氮步骤之后和在涂覆MgO涂层步骤之前进行激光刻痕加工不会破坏高温退火后形成的硅酸镁底层,底层完整性好,刻痕形成的沟槽位于取向硅钢带材金属基体表面,在高温退火过程中沟槽内直接反应生成硅酸镁底层,最终取向硅钢带材表面涂覆张应力涂层后光滑、平整、无凹凸,取向硅钢带材损耗低、叠片系数高、耐热,成品取向硅钢带材既可用于制备立体卷铁心变压器也可用于制备叠片铁心变压器。
2021-11-23 142 6.8

本实用新型公开了硅钢片铁芯叠片机构,包括送料装置和叠片装置,送料装置包括有磁性传送带、送料件和第一定位杆,磁性传送带用于将已剪切的硅钢片传送至送料件,送料件安装于磁性传送带的下方,并且可沿磁性传送带的正交方向平行伸出,第一定位杆安装于送料件上,用于定位硅钢片,叠片装置设置于送料件的伸出的一方,包括有叠放台、第二定位杆和机械手,叠放台用于叠放硅钢片,第二定位杆用于定位硅钢片,机械手用于将送料件的硅钢片搬运至叠放台上,机械手包括有转动臂和取料单元,取料单元安装于转动臂的端部,包括有电永磁铁,电永磁铁用于吸取硅钢片。根据本实用新型的硅钢片铁芯叠片机构,可有效提高叠片速度,降低能耗,提高生产效率。
2020-12-30 121 6.8

本发明公开了一种硅钢高温加热炉用铬基高氮合金垫块及其制备方法,所述合金垫块含有Cr、Mo、N、La、Ce和Fe,不含有钨;所述合金垫块在高温抗氧化性能和高温抗蠕变性能上,优于现有技术的铬铁合金;本发明可以优化替代现有的硅钢高温加热炉用铬铁合金垫块,满足硅钢在加热炉中的加热需求,大规模工厂化生产,拥有极高的使用价值和广阔的应用市场。
2021-07-08 146 6.8

为研究退火工艺对普通取向硅钢初次再结晶组织的影响,对经不同温度、保温时间和升温速率退火后的材料组织进行了分析。结果表明:在等温退火条件下,加热至600℃时开始发生初次再结晶,800℃以上初次再结晶组织发展完善;而在最终冷轧板直接进行最终高温退火的情况下,加热温度在500~700℃时,将升温速率提高到80℃/h,初次再结晶组织更易于发展完善。 To investigate the influence of annealing process on the recrystallization of common grain oriented silicon steel,microstructures of sheets annealed at different temperature,soaking time and heating rate are observed.Results show that under the condition of isothermal annealing,recrystallization begins at 600℃ and fully develops above 800℃,while in the case that the final cold rolled sheets are directly thrown to final high temperature annealing,recrystallization is likely to develop with the he... 
2014-04-28 150 5.8

通过对辉光放电发射光谱参数的优化,以铁元素为内标来消除基体效应,建立了测定硅钢薄板中微量硼元素的方法。优化的实验参数为:放电电压1200 V,放电电流50 mA,预溅射时间40 s,积分时间10 s。校准曲线硼元素含量范围0.0001%~0.022%,相关系数大于0.999,测量结果与认定值一致,相对标准偏差小于10%。完全能够满足日常分析测试的要求。 A glow discharge optical emission spectrometry(GD-OES) method for determining trace boron element in silicon steel sheets were established through optimization of instrumental parameters and using Fe element as an internal standard to eliminate the matrix effect.The optimized instrumental parameters included discharge voltage,discharge current,pre-sputtering time and integration time,which are 1200 V,50 mA,40 s,and 10 s,respectively.The content of boron element that can be determined from the ca... 
2011-03-28 139 5.8

站点公告

网站试运行,请大家关注本站公众号,多提宝贵意见!

显示验证码
没有账号?注册  忘记密码?