钢厂
CN202110670657.9无取向硅钢及其生产方法
本发明揭示了一种无取向硅钢及其生产方法。所述生产方法包括:按照Si0.8~1.1%、Mn0.2~0.4%、不添加Sn和Sb进行炼钢,并制坯;将铸坯加热到1060~1120℃并保温150min以上,而后轧成厚度40~45mm的中间坯,再经精轧、卷取得到厚度为3.00±0.25mm的热轧卷板,精轧开轧温度≤872℃+1000*(11*[Si]‑14*[Mn]+21*[Al]);精轧终轧温度≤820℃,卷取温度≤560℃;常化、酸连轧,得到厚度为0.500±0.005mm的冷硬卷,常化温度850~900℃;成品退火温度820~880℃,退火后经冷却、涂层和精整,得到无取向硅钢。
CN202111000220.0一种硅钢冷轧吹扫辊
本发明公开了一种硅钢冷轧吹扫辊,涉及硅钢加工设备领域,包括安装架、上轧辊和下轧辊、下调节机构、上调节机构以及吹扫机构;所述下调节机构包括调节支撑底板、楔形插块以及调节油缸;所述上调节机构包括顶升油缸、顶升杠杆和顶升连杆;所述吹扫机构包括吹扫连接座、吹扫管道和吹扫排管。本发明通过在上轧辊和下轧辊的出料端安装吹扫机构能够便于对出料的钢带表面进行吹扫清洁,能够有效提升钢带成品的表面质量;由于下轧辊在轧制过程中承受的重量较大,通过调节油缸带动下轧辊两侧的楔形插块来回移动的方式对下轧辊的高度进行微调,能够保证下轧辊在轧制过程中整体的稳定可靠性。
CN202023147451.8一种带缓冲保护装置的硅钢片纵剪线
本实用新型公开了一种带缓冲保护装置的硅钢片纵剪线,包括工作台,工作台的顶部外壁设置有放料辊,工作台靠近放料辊的一侧设置有牵引辊,工作台靠近牵引辊的一侧设置有整平机构,工作台的内部设置有第一缓冲坑,第一缓冲坑的顶部设置有导料辊,第一缓冲坑的内部设置有第三转轴,第三转轴的外壁传动连接有皮带,皮带的内壁传动连接有第二转轴,皮带的外壁传动连接有第一转轴,第三转轴的外壁固定安装有转筒,转筒的外壁设置有伸缩杆,伸缩杆的外壁套接有弹簧,伸缩杆的底部设置有滚珠,通过设置的第一缓冲坑与第二缓冲坑结构,可防止硅钢片在进入第一缓冲坑与第二缓冲坑时弯曲程度过大导致的断裂,且双重的缓冲装置更有利于对硅钢片的保护。
CN202111010835.1一种无取向电工钢清洗工艺
本发明公开了一种无取向电工钢清洗工艺,包括以下步骤:1)在脱脂剂箱体中添加脱脂剂溶剂,通过喷射泵将脱脂剂分别从上下两路管道喷出,经过流量控制电磁阀进入喷射梁,通过喷嘴喷洒在带钢表面;2)带钢轧制后温度为100~150℃,速度为600~1000m/min,带钢表面高温确保脱脂剂与带钢表面残留油脂反应充分,且在高速下喷射的脱脂剂与带钢相向而行,使带钢表面反应后残留硅泥、铁粉被迅速带走;3)喷射后的脱脂剂流入收集槽中,通过泵重新打入脱脂剂箱体中,实现脱脂剂的循环利用。其利用轧制时产生的高温及高速对带钢表面残留乳化液斑迹、铁粉、硅泥进行清洗,清洗彻底高效。
CN202111444256.8无取向硅钢RH顶枪喷粉脱硫工艺
本发明提供了一种无取向硅钢RH顶枪喷粉脱硫工艺,RH脱碳结束测温定氧,立即加入铝粒脱氧合金化、之后立即依次连续加入合金进行成分调整,合金加完后立即开始顶枪喷粉;加入铝粒的量=铝粒理论加入量+0.2‑0.4kg/t钢;喷粉时,控制喷粉速度与钢液循环流量相匹配;本发明从真空条件下脱硫热力学和动力学角度出发对具有顶枪喷粉功能的RH脱硫工艺进行改进,提高脱硫率。
CN202120497890.7一种变压器用硅钢板滑石丸粘接加工设备
本实用新型公开了一种变压器用硅钢板滑石丸粘接加工设备,用于对变压器用硅钢片进行贴片,其结构包括:机械臂、抓取头、分道排序机构,所述抓取头位于机械臂的末端,用于抓取滑石丸,在抓取头上能够同时抓取多个滑石丸,配合机械视觉系统,就能够更精确的确定贴片位置,并完成贴片,提高了生产效率;所述分道排序机构包括:振动盘、排料板,振动盘中储存有一定的滑石丸,振动盘顶部的出料口与排料板连接,工作时振动盘中的滑石丸依次从出料口进入排料板中,在排料板上的物料通道中运动,物料通道的末端是多条分支,且末端向外敞开,抓取头能够在物料通道末端同时抓取多个滑石丸。
退火温度对3.1%Si无取向硅钢组织织构与磁性能的影响
研究了退火温度对3.1%Si无取向硅钢组织和磁性能的影响规律。结果表明:退火温度从940℃提高至1 000℃,平均晶粒尺寸由98μm增加到145μm,铁损P1.5/50从2.576 W/kg降低至2.408W/kg。随着退火温度的升高,γ不利织构组分强度逐渐降低,{111}〈112〉织构组分强度降低约16%,磁感B50逐渐升高,磁性能水平提高。 The effects of annealing temperature on microstructure and texture and magnetic properties of 3.1%Si non-oriented silicon steel were investigated in this paper.The results showed that,when the annealing temperature increased from 940℃ to 1 000℃,the average grain size of metallographic structure increased from 98μm to 145μm,the iron loss value P1.5/50 decreased from2.576 W/kg to 2.408 W/kg.And as the annealing temperature increased,the strength of the unfavorable texture componentγgrad...
CN202111301117.X一种高牌号硅钢用连铸结晶器保护渣及其制备方法和应用
本发明涉及冶金技术领域,具体涉及一种高牌号硅钢用连铸结晶器保护渣及其制备方法和应用。本发明提供的连铸结晶器保护渣,所述保护渣包括如下质量百分比的化学成分:SiO2:40‑45%、CaO:20‑27%、MgO:1.0‑2.5%、Al2O3:1‑3%、Na2O:12‑16%、F:10‑13%、C:1‑3%,其余为不可避免的杂质;其中所述保护渣的二元碱度CaO/SiO2为0.5‑0.6,熔点为950‑1000℃,1300℃下的粘度为0.25‑0.35Pa·s。本发明提供的连铸结晶器保护渣,通过低碱度、低熔点、低粘度的保护渣可有效抑制高牌号硅钢材料在连铸时铸坯表面易出现凹陷和裂纹的现象。
CN202121322174.1一种方便叉车转运的硅钢卷
本实用新型涉及一种方便叉车转运的硅钢卷,属于硅钢卷技术领域。包括卷盘、转轴、支撑板、底座和叉车叉座,所述卷盘与转轴固定,所述支撑板为两件,对称布置在底座上,支撑板上设有卡槽,转轴安装在卡槽内,所述底座的下方设有两个对称布置的叉车叉座,所述叉车叉座上设有供叉车叉板插入的叉板槽;本实用新型硅钢卷通过可拆卸安装在带叉车叉座的支撑架上,在实际生产中,通过叉车就可以很方便地实现在车间复杂环境下转运,快速灵活,提高了工作效率。
CN202111188431.1一种无取向电工钢的制造方法
本发明提供一种无取向电工钢的制造方法,包括连铸和RH精炼工序,连铸坯化学元素质量含量为C≤0.0050%、Si:0.50~2.20%、Mn:0.20~1.20%、P:0.020~0.040%、S≤0.0020%、Als≤0.0050%、Ti≤0.0005%、N≤0.0025%,余量为Fe及不可避免的杂质;且0.4≤Mn/Si≤0.6;RH精炼工序,脱碳结束后向钢中同时加入铝粒、微碳硅铁复合脱氧,使用铝粒脱除氧量与使用微碳硅铁脱除氧量之比为1/15~1/5,钢中主要生成低熔点MnO‑SiO2‑Al2O3夹杂,能被快速去除,钢水洁净度高。本发明电工钢与现有的电工钢相比,在相同磁感应强度下铁损更低。
冷轧工艺对取向硅钢初次再结晶织构的影响
研究了取向硅钢制备过程中常见的两种冷轧工艺,主要研究了一阶段冷轧与两阶段冷轧+中间退火工艺对初次再结晶组织及织构的影响.结果表明:采用两阶段冷轧+中间退火工艺制备以Cu2S为主抑制剂的取向硅钢,其初次再结晶平均晶粒尺寸为18.1μm,高斯晶粒的体积分数为0.6%,迁移性强的重位点阵晶界(Σ5+Σ9)和高能晶界(20°~45°取向偏差角)所占比例分别为1.8%和50.4%.与一阶段冷轧工艺相比,其初次再结晶晶粒较细,且高斯晶核与特征晶界所占的比例较高,有利于高斯晶粒发生二次再结晶. Two common cold-rolling processes of grain oriented silicon steel and the effects of the single stage cold rolling and tw o-stage cold rolling w ith intermediate annealing processes on the primary recrystallization microstructure and texture w ere investigated. The results revealed that for the grain oriented silicon steel prepared under the tw o-stage cold rolling process w ith intermediate annealing w ith Cu 2 S as the main inhibitor,the average grain size of the primary recrystallization micr...

