硅钢资料

变压器D21硅钢铁芯片采用冲压工艺生产。首先对其工艺进行了分析,确定了冲压方案。对产品进行了排样设计,计算了冲压力,确定了压力中心。然后,设计了单工序落料模具,完成了模具装配图。 D21 silicon steel chips for transformer are produced by stamping.First,its stamping process was analyzed and the scheme of the stamping process was determined.The product layout was designed,the punching pressure was calculated,the pressure center was determined.Then,the blanking die with single procedure was designed,the die assembly drawing was completed. 

本实用新型涉及硅钢生产设备技术领域，具体公开了硅钢冷轧用厚壁套筒，包括外筒和内筒，所述外筒与内筒之间固定有若干连接板，所述外筒上开设有插缝槽，所述外筒的内壁上设有靠近插缝槽设置的限位件，所述限位件包括锁止板和弹性件，弹性件一端固定在外筒的内壁上，另一端固定在锁止板的顶部，所述锁止板上设有朝向插缝槽的斜面。本专利中通过外筒与内筒设置，既提高了整个套筒的厚度，使其能够承受硅钢带卷绕时的压力，同时也减少因提高套筒厚度使得套筒的重量增加的问题，这样设置整个套筒的质量较轻。

一种增大压下率的电工钢冷轧装置及冷轧方法，属于电工钢冷轧技术领域，该电工钢冷轧装置，包括单机架可逆轧机，单机架可逆轧机的两侧均设置有电磁感应加热装置和氮气风冷装置，氮气风冷装置靠近单机架可逆轧机的轧制进口或入口设置，本发明的有益效果是，本发明通过在单机架可逆轧机两侧增设电磁感应加热装置和氮气风冷装置，对每道次轧制过程中可在线调节电磁感应加热温度，实现了边去应力退火边轧制，保证了正常的轧制工作，达到了高效轧制更薄规格电工钢产品的目的和消化生产CSP热轧超厚过渡坯的目的。

本发明特别涉及一种中频用取向硅钢极薄带及其钢基板的制备方法，属于硅钢极薄带制备技术领域，方法包括：将硅钢原料进行冷轧，获得硅钢薄带；将硅钢薄带进行退火，退火采用至少3段式连续退火工艺，获得钢基板；采用本法制得的钢基板制备的中频用取向硅钢极薄带具备优良的磁性能和板形，采用多段式退火，获得稳定的成品性能，制造工艺简单，可实施性高，采用无底层取向硅钢作为母材，节能环保，产品表面质量好，产品可满足中频条件下(≧400Hz)的使用要求。

本实用新型公开了一种取向硅钢绝缘涂层液生产用分散机，包括固定底座，固定底座顶端的一侧固定安装有套筒，套筒的内部滑动设有活塞杆，套筒的内部设有电动液压升降柱，电动液压升降柱的底端固定安装在固定底座顶端的中部，电动液压升降柱的顶端与活塞杆的底端固定连接，活塞杆的顶端固定连接有箱体，箱体底端的一侧固定安装有伺服电机，本实用新型的有益效果是：通过滑块、橡胶块、空心转轴和伺服电机的配合使涂层液搅拌分散的更加均匀，通过固定装置可以将盛有涂层液的桶固定住，防止涂层液桶转动，这样可以使涂层液进行充分搅拌，不需要时刻对其调整固定，这样也可以提升工作效率，提高生产速率，而且操作方便。

取向硅钢利用析出物作为抑制剂,抑制初次再结晶晶粒的长大,抑制剂是取向硅钢发生二次再结晶的基本条件之一。文中通过低温板坯加热技术制备取向硅钢,采用透射电镜(TEM)观察并研究了高温退火阶段抑制剂的演化过程。结果表明,渗氮后形成的非晶态Si3N4析出物不稳定,在700～750℃退火升温阶段转化为(Al,Si)N;(Al,Si)N颗粒在800℃发生团聚,随后长大并粗化;(Al,Si)N是低温取向硅钢主要抑制剂,随退火温度的升高,(Al,Si)N抑制力大幅下降。 Precipitates as inhibitor are used to inhibit the grain growth of primary recrystallization in grain-oriented silicon steel,and inhibitor is one of the basic conditions for occurring of secondary recrystallization.The grain-oriented silicon steel was produced by low temperature slab heating and nitriding technique.The evolution of inhibitor was observed by transmission electron microscopy.The results show that Si3N4 particles are precipitated after nitriding,and Si3N4 particles are amorphous and... 

本发明涉及一种硅钢片视觉识别与无损检测方法，测量硅钢片的厚度并且计算已经叠积完成的硅钢片的总高度，记录最后叠积的一片硅钢片的形状和两定位孔坐标，计算和输出当前硅钢片的形状、两定位孔坐标的位置偏差值和两定位孔坐标的定位孔间距，记录硅钢片两端的接缝宽度和坐标并且输出搭接形状，判断定位孔间距、两定位孔位置、接缝宽度是否符合标准，以及两片硅钢片是否已经搭接上，通过打齐硅钢片使之符合要求、或者停机人工调整。本发明还涉及一种硅钢片视觉识别与无损检测装置。本发明利用激光测距仪、相机实现了无损检测，实现了每片硅钢片高度值、定位孔、接缝宽度的即时自动测量，通过PLC控制系统将控制信息传输至机械臂进行放置精度微调。

本发明属于取向硅钢制备技术领域，具体涉及一种软磁材料取向硅钢退火工艺。所述退火工艺主要包括：涂覆隔离剂、按照一定速率升温后进行保温，以5‑10℃/min的速率进行降温；在降温过程中施加恒定磁场，之后继续降温即可实现。该退火工艺能够有效降低铁损失，提高磁感强度。同时具有较好的耐腐蚀性能和机械性能。

本实用新型提供一种定子铁心硅钢片固定结构，包括硅钢片堆叠结构、扣片，所述硅钢片堆叠结构由多个硅钢片层层堆叠而成，所述硅钢片沿边缘处设有多个凹槽，多个硅钢片堆叠后，其凹槽形成一条条通槽，所述扣片扣在通槽上，其扣片的两端设有弯折面将硅钢片堆叠结构的两端卡住，利用扣片的方式进行硅钢片固定，减少硅钢片导通现象，达到减少涡流损失的目的，扣片有极易更换的方便性，可轻易改变硅钢叠片的厚度，只需要更换扣片长度即可。

本发明公开了一种高强度碳化硅钢球，所述高强度碳化硅钢球包括以下重量份的原料：碳化硅20‑30份、铬1‑2份、氮化硼3‑5份、铁10‑20份、钼2‑3份、锰钢30‑40份、镍5‑8份、钛6‑8份、磷2‑3份、硫2‑3份；一种高强度碳化硅钢球制备方法，包括如下步骤S1、熔融；S2、模锻成球；S3、打磨；S4、二次加热；S5、高温淬火；S6、机油回火；S7、检测成品。本发明制备的高强度碳化硅钢球具有抗折强度高、洛氏硬度高及抗压强度高等优异的机械性能，并且使用寿命长，运转精确度高，并且其工艺简单，生产耗能低，无“三废”产生，环保性高。

本实用新型涉及变压器铁芯装配技术领域，具体公开了一种硅钢片铁芯的装配工装，包括底座、对称设于底座上的两个承压条以及快速装夹机构；所述快速装夹机构包括设于两个承压条一侧的安装框架、安装于安装框架两侧的侧挡板、紧固组件以及将安装框架和承压条之间定位的卡接组件；所述卡接组件包括安装于安装框架一侧的定位块、以及开设于承压条一侧的定位槽，所述定位块的内部开设有安装槽，本实用新型通过快速装夹机构能够实现安装框架的快速定位，从而便于安装框架的安装，有效的提高了安装框架的拆装效率，有助于硅钢片铁芯的快速装配，可提高硅钢片铁芯的装配效率，增加硅钢片铁芯的生产效益。

本发明公开了一种物理喷砂方式制备取向硅钢薄带无底层原料的方法，步骤包括：S1、坯料预处理；S2、涂覆隔离剂，后进行高温退火；S3、拉伸热平整；S4、表面喷砂处理，去除底层；S5、去应力退火；本发明优点在于，采用喷砂的物理办法制备取向硅钢薄带无底层原料，代替了传统的用酸去除取向硅钢涂层或硅酸镁底层，结合退火去应力，显著改善了加工质量，使整个加工过程更加环保，也有利于控制成本。