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本发明公开了硅钢片卷材加工用张力机构以及硅钢片剪切机,包括安装架、转动装置和按压装置,安装架的上安装块、连接块和下安装块组成凹槽,转动装置包括下转轴和转动驱动单元,下转轴水平设置,可转动地安装于下安装块上,设置于凹槽中,按压装置包括有上转轴和按压驱动单元,上转轴水平设置于下转轴的上方,可转动地安装于上安装块上,设置于凹槽中,并且可沿上安装块上下运动,其中,上转轴可与下转轴抵接。根据本发明的硅钢片卷材加工用张力机构以及硅钢片剪切机,可加强硅钢片卷材输送过程中的张力,降低硅钢片卷材输送的位置偏差率,提高产品合格率,提高原材料利用率,从而提高生产效率。
2020-12-30 162 6.8

本实用新型涉及硅钢技术领域,尤其为一种用于硅钢绝缘涂料生产用储存装置,包括储存装置、顶盖和定位板,所述储存装置与顶盖铰链连接,所述顶盖内侧后端固定连接有定位块,所述定位块前端转动连接有连接块,所述连接块的另一端内侧转动连接有转动杆,通过设置的定位块、连接块、转动块、转动杆、推杆、档杆、挡块、弹簧、固定板和垫片,在使用时,盖上顶盖后,通过推动推杆,使推杆通过转动块带动转动杆在连接块内转动,推杆推动挡块,使挡块通过档杆挤压弹簧,从而对推杆进行限位,然后带动连接块在定位块上转动,从而使连接块挤压固定板,使固定板带动垫片,使垫片与储存装置贴合更紧,防止漏气,防止空气进去,防止涂料干燥。
2021-05-12 138 6.8

本实用新型公开了一种硅钢片高效切割装置,包括切割工作台,切割工作台的顶部两侧设置有支承板,右侧支承板的一侧设置有控制面板,两组支承板相互贴近一侧的底部开设有若干组滑槽,若干组滑槽的内壁设置有滑轨,滑轨的外侧壁滑动设置有定位调节装置,定位调节装置的一侧设置有与支承板一侧滑动连接的固定块,两组支承板相互远离一侧设置有固定板座,固定板座与切割工作台之间转动连接有丝杆,丝杆与固定块之间相螺接,丝杆的顶部设置有把手,两组支承板相互贴近一侧的顶部设置有连接板,连接板的顶部两侧设置有电动推杆,电动推杆的底部设置有切割装置,本实用新型提供了一种防止硅钢片上浮的高效切割装置。
2021-06-29 183 6.8

一种冷轧硅钢生产线的带钢卷曲控制装置,由卷取机、导向辊、液压站、伺服阀及其油缸、计算机控制系统、卷取机位移传感器和带钢边部位置探测器组成的卷曲机系统,该系统在带钢辊道的两侧各装有一个带钢边部位置探测器,以分别检测带钢的两个边缘在辊道上的位置,其检测信号分别传送到计算机控制系统中去。计算机控制系统可对两个带钢边部位置探测器输入的信号进行带钢的中心位置计算,并与卷取机位移传感器输入的卷取机中心位移信号进行比较,根据比较结果控制油缸的推杆推动卷取机移动,以使卷取机的卷曲中心与带钢的中心线保持一致。本发明的有益效果是:实现了使卷取机的卷曲中心与带钢的中心线保持一致,因而不再切边,提高了带钢的成材率。
2021-02-10 159 6.8

通过试验确定氩气分析流量为3.5L/min,静态流量为0.75L/min,冲洗时间为3s,预燃时间为12s,积分时间为5s的激发条件,采用火花源原子发射光谱法测定取向硅钢中碳、硅、锰、磷、硫。分别采用铣床铣样、砂轮磨样两种制样方式进行了精密度考察,发现制样方式对结果影响不大;讨论了取向硅钢样品中碳、硅、锰、磷、硫测定时可能存在的共存元素干扰,发现硅对锰元素的干扰不可忽略,采用干扰系数法进行了校正,据此拟合得到各元素校准曲线的相关系数均在0.999 0以上。精密度考察结果表明,碳、硅、锰、磷、硫的相对标准偏差(n=10)在0.71%~9.4%之间。对两块取向硅钢生产样品进行分析,并与钢铁研究总院进行比对分析,结果一致,且偏差均在允许范围内。 Carbon,silicon,manganese,phosphorus and sulfur in oriented silicon steel were determined by spark source atomic emission spectrometry.The selected excitation conditions were as follows:the analytical flow rate of argon was 3.5L/min,the static flow rate was 0.75L/min,the flush time was3s,the precombustion time was 12sand the integration time was 5s.Two sample preparation methods,including milling machine and grinding wheel,were investigated.The precision test results showed that,the determination... 
2013-10-28 197 5.8

本发明公开了一种生产高表面质量镀铝硅钢带的方法,属于连续热浸镀铝硅技术领域。本发明的生产高表面质量镀铝硅钢带的方法,包括酸洗、冷轧、清洗、连续退火、热浸镀铝硅和冷却处理,所述冷却包括预冷段和强冷段,其中预冷段是通过预冷风机将带钢温度冷却至620~630℃,强冷段包括三段强冷,三段强冷采用水雾冷却,且控制强冷段冷却速率≥30℃/s。本发明通过控制钢带表面粗糙度、清洗质量、退火炉气氛、气刀参数以及镀层结晶控制器参数,可以有效控制铝硅产品表面结晶尺寸、减少漏镀等典型缺陷,生产出高表面镀铝硅钢带。
2021-08-18 150 6.8

本实用新型公开了E字型硅钢片的级进模冲压装置,属于冲压模具设备领域,所述下模具包括与冲孔凸模、冲方孔凸模、切断凸模分别对应且相适配的冲孔凹模、冲方孔凹模、切断凹模,所述上模具上设有对条料板进行输送的导料板,所述冲孔凸模、冲孔凹模均设有两对并且并排设置,且每对冲孔凸模、冲孔凹模均设有两个,每个所述冲孔凸模、冲方孔凸模、切断凸模的顶端均用微米级间隙固定安装于上模具上,所述冲孔凹模、冲方孔凹模、切断凹模的底端均用微米级间隙固定安装在下模具上。本实用新型中各个凸、凹模分别采用硬质合金拼块、镶块式的结构并用微米级间隙固定安装在上、下模具上,这样不仅可节省材料的费用,同时还便于人们后期对模具的维修和使用。
2021-03-10 197 6.8

本申请公开了一种低铝无取向硅钢结晶器液面波动的控制方法,包括:步骤1:KR脱硫,脱硫后铁水硫含量≤0.0015%;步骤2:转炉吹炼,转炉出钢后钢包顶渣厚度≤30mm;步骤3:RH真空处理,RH脱碳结束后,加入铝粒脱氧后钢液循环3‑5min,提升气体流量至0.8‑1.0m3/(h·t);随后加入合金进行脱氧合金化,提升气体流量至0.5‑0.7m3/(h·t);步骤4:连续浇注,长水口氩气流量150‑200L/min,连铸塞棒氩气流量5‑10L/min,背压≥0.05bar。本申请的控制方法控制结晶器液面波动≤±1.5mm的比例稳定在90%以上。
2021-09-24 194 6.8

【摘要】 <正>2014年5月9日,从武钢硅钢事业部获悉,...
2014-06-28 164 5.8

本实用新型涉及一种硅钢卷用放料架,属于硅钢卷放料技术领域。包括底板、升降台、支撑座、旋转座、固定轴、内限位块、轴套和外挡块,所述底板上设有升降台,升降台上设有支撑座,支撑座上设有旋转座,旋转座上对称设有两组固定轴,所述固定轴内侧固定有内限位块,其外侧设有可拆卸的外挡块,所述轴套安装在内限位块和外挡块之间的固定轴上且可相对固定轴转动;本实用新型采用升降台,方便人工将笨重的硅钢卷轻松的装入固定轴上,通过可拆卸的外挡块固定,安装快捷,节省人力,安全可靠。
2021-06-15 160 6.8

采用取向分布函数和取向线分析方法对低温板坯加热取向硅钢从热轧到初次再结晶工艺阶段的织构进行了研究。研究表明:一次冷轧后各层的织构组分与热轧板各层面的织构组分存在着继承关系,次表层存在很强的{001}<110>织构,中心层的织构和热轧板的中心层相似,存在强的{001}<110>和{112}<110>织构;中间退火后发生再结晶,各织构组分的强度有所减弱,Goss织构组分再次出现;二次冷轧后沿厚度方向上的织构不均匀性不明显,{111}<112>织构强度最高,几乎是其他织构组分的1倍,{001}<110>织构大幅降低;初次再结晶后织构沿厚度方向没有明显的不均匀性,{111}<110>为最强的织构组分,并且具有一定强度的Goss位向。 The texture from the first cold rolling to the primary recrystallization of low temperature slab reheating grain-oriented electrical steel were researched by orientation distribution function and orientation distribution intensity technique.The results show that after the first stage of cold rolling,there is a strong {001}<110> texture in the subsurface and the texture in center layer is very similar to the center layer of hot band which has strong {001}<110> and {112}<110> tex... 
2011-08-28 208 5.8

对低温加热工艺生产的普通取向(common grain-oriented,CGO)硅钢的高温退火过程进行了中断实验,材料为含3.0%Si、0.5%Cu、0.009 8%S(均为质量分数)的以Cu2S为主抑制剂的普通取向CGO钢。原始板坯厚度为230 mm,于1 200℃均热后经4道次粗轧、7道次精轧至2.3mm;热轧板采用两次冷轧法轧至0.3mm,中间完全脱碳退火,最后于1 200℃高温退火。最后样品的磁性能:铁损P17/50为1.182W/kg,磁感应强度B8为1.897T。借助配有EDAX OIM电子背散射衍射(EBSD)系统的ZEISS SUPRA 55VP扫描电子显微镜,对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究,结果表明:升温过程中晶粒尺寸增长缓慢,650℃时取向分布函数(ODF)图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角小于9°;950℃时高斯晶粒平均生长速度超过其他晶粒;950~1 000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角降至约3°;在950℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势。 The high-temperature annealing process of common grain-oriented(CGO)silicon steel was investigated by interrupting test.The samples were rolled from CGO silicon steel slab under low reheating temperature.The CGO silicon steel,taking Cu2S as the main inhibitor,contains3.0%Si,0.5%Cu,and 0.0098%S.The original casting slab is 230mm in thickness.After 1 200℃reheating,four-pass rough rolling and seven-pass finish rolling were conducted to make the thickness of the slab get to 2.3mm.Then the hot rolled... 
2013-11-28 172 5.8

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