硅钢资料

本实用新型属于输送设备技术领域，具体涉及一种硅钢拉伸平整用转向辊，包括辊本体，辊本体的中部可拆卸的安装有环形凸块，环形凸块的宽度在350‑450mm，环形凸块的厚度在3‑5mm。在本方案中，在辊本体的中部设置环形凸块，环形凸块能较好的与硅钢的中部位置接触贴合，辊本体通过环形凸块除了能较好的将硅钢输送向前，还能有效防止硅钢跑偏。环形凸块可拆卸的安装辊本体上，当环形凸块使用了一段时间发生了严重的磨损时，更换新的环形凸块即可，无须更换辊本体，有效节省成本。

为了确定普通冷轧取向硅钢最优的中间完全脱碳退火工艺,在其一次冷轧后进行5种不同工艺的脱碳退火处理,借助扫描电镜及电子背散射衍射技术研究了不同工艺脱碳退火后的组织、织构和脱碳效果。结果表明:经5种工艺脱碳退火处理后,初次再结晶的平均晶粒尺寸均约为19μm,且不随退火温度和时间的变化而变化;经840℃×10min工艺退火后的晶粒最均匀,高斯织构位向更准确,高斯织构面积分数最多,为3.1%,可将碳脱至0.003 5%。 In order to determine the optimal intermediate complete decarburizing annealing processes for common grain-oriented(CGO)silicon steel,five kinds of intermediate decarburizing annealing processes were conducted,the microstructure,texture and decarbonization after different decarburizing annealing processes were studied by scanning electron microscopy and electro back-scattered diffraction(EBSD)technology.The results show that the average grains sizes of primary recrystallization were about 19μm a... 

本实用新型涉及切割设备技术领域，尤其涉及一种电工钢切片用切割刀架。其包括机架、升降架、第一输送辊、第二输送辊、升降块和切割装置；升降架和升降块均设置有两个；两个升降架均设置在机架上；两个升降块分别滑动设置在两个升降架上；第一输送辊的两端分别转动设置在两个升降块上；升降架上设置有用于驱动升降块移动的升降机构；第二输送辊转动设置在机架上，且第二输送辊位于第一输送辊的下方；机架上设置有用于驱动第二输送辊转动的驱动电机；第二输送辊上设置有用于驱动第一输送辊转动的传动机构；切割装置滑动设置在机架上；机架上设置有用于驱动切割装置移动的驱动机构。本实用新型能够方便对电工钢进行切割，且能够自动放卷。

无取向硅钢中夹杂物的存在会抑止晶粒生长,使基体的均匀连续性中断,其在钢中的形态、含量及分布情况都不同程度影响着硅钢的性能,尤其是对磁性能起关键的作用。因此,全尺度分布考察夹杂物对无取向硅钢夹杂物的研究极为重要。本实验确定了适用于不同牌号无取向硅钢夹杂物全尺度分布的分析方法:样品制备—小样电解—过滤喷金—根据不同牌号的要求选择合适的放大倍率扫描观测—夹杂物颗粒的分类统计。通过统计的结果,结合电解的失重量可以得到不同尺度的体积分布数据。实验分析了不同牌号和工艺无取向硅钢夹杂物的种类、形貌、大小和尺度分布,并初步考查了夹杂物与磁性能的关系,对无取向硅钢的工艺研究具有一定参考价值。 Inclusions in non-oriented silica steel could inhibit the growth of grain and cause discontinuity of micro-structure.The configuration,content and size distribution of inclusion have different effects on the performance of silica steel,especially significant on the magnetic property.Therefore,it is very useful to completely characterize inclusions with full size distribution in silica steel.In our research,full size analysis method for inclusion in silica steel had been established as follows: s... 

对CSP流程生产的无取向电工钢M50W800不同尺寸样品的磁性能进行了测试和分析,结果表明:采用不同单片检测的磁性能结果与标准的Epstein方圈样品检测对比,存在明显的偏差;且同一尺寸的单片纵横向样品之间相比较,对应的磁性能差异性也较大。几种不同尺寸的单片样品,以320mm×30mm尺寸的纵横向平均值最接近标准Epstein方圈样的性能值,其铁损偏差最小。 The magnetic properties of M50W800 non-oriented electrical steel produced by CSP process were tested and analyzed with samples of different sizes,showing that significant deviation existed compared to that of Epstein square circle sample.In particular,obvious difference in magnetic properties also existed between longitudinal and transverse samples of the same size.For test samples of different sizes,the average magnetic properties of 320mm×30mm samples are the closest to that of Epstein square ... 

本实用新型涉及分条机技术领域，且公开了一种硅钢加工用分条机，包括支撑台，支撑台的底部四角均安装有支撑腿,支撑台的两侧均垂直安装有U型架，U型架的顶部通过横梁连接固定，横梁的两端均安装有垂直向下设置的下压调节油缸，下压调节油缸的底部均固定连接固定座，固定座相互远离的一侧均安装有第二条形座；第二条形座的两端垂直贯穿设有导向轴，导向轴两端位于第二条形座外，在导向轴的两端均套设有支撑弹簧；导向轴的底部连接在第一条形座上，并且导向轴的顶部贯穿设有第三条形座，导向轴设有将第三条形座固定的螺母。本实用新型在使用时，上下两组剪切轮交错接触后，经过剪切轮下方的硅钢板能够得到有效地剪切，剪切效率高。

对低温加热工艺生产的普通取向(common grain-oriented,CGO)硅钢的高温退火过程进行了中断实验,材料为含3.0%Si、0.5%Cu、0.009 8%S(均为质量分数)的以Cu2S为主抑制剂的普通取向CGO钢。原始板坯厚度为230 mm,于1 200℃均热后经4道次粗轧、7道次精轧至2.3mm;热轧板采用两次冷轧法轧至0.3mm,中间完全脱碳退火,最后于1 200℃高温退火。最后样品的磁性能:铁损P17/50为1.182W/kg,磁感应强度B8为1.897T。借助配有EDAX OIM电子背散射衍射(EBSD)系统的ZEISS SUPRA 55VP扫描电子显微镜,对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究,结果表明:升温过程中晶粒尺寸增长缓慢,650℃时取向分布函数(ODF)图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角小于9°;950℃时高斯晶粒平均生长速度超过其他晶粒;950~1 000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角降至约3°;在950℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势。 The high-temperature annealing process of common grain-oriented(CGO)silicon steel was investigated by interrupting test.The samples were rolled from CGO silicon steel slab under low reheating temperature.The CGO silicon steel,taking Cu2S as the main inhibitor,contains3.0%Si,0.5%Cu,and 0.0098%S.The original casting slab is 230mm in thickness.After 1 200℃reheating,four-pass rough rolling and seven-pass finish rolling were conducted to make the thickness of the slab get to 2.3mm.Then the hot rolled... 

采用CVD法制备6.5%Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响。结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定;渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定;扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足Δw表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间。 6.5%Si high silicon steel was manufactured by using CVD method and the process was introduced,the influence of temperature on the siliconizing rate and quality reducing rate,diffusion time on silicon distribution were investigated.Results as follows: the siliconizing rate will increase quickly when the temperature is higher than 1050 ℃,but the siliconizing rate will become steadily as the temperature up to 1200 ℃;The quality reducing rate will increase with the elevating of temperature and the r... 

本发明公开了一种电力变压器硅钢片自动叠片生产设备，包括支撑板和叠片立板，其中一组所述支撑板的表面安装有叠片立板，另一组所述支撑板的顶部安装有检测立板；所述叠片立板的背面安装有连杆，所述连杆的尾端连接有限位环，所述限位环的内部等距贯穿安装有第一电动伸缩杆，所述第一电动伸缩杆的尾端表面套接有橡胶套，所述叠片立板的背面设有滑槽，所述滑槽的底壁安装有缓冲弹簧，所述滑槽的顶壁安装有第二电动伸缩杆，所述第二电动伸缩杆的尾端连接有拦截条，两组所述支撑板的顶部均安装有立块。本发明通过设置有叠片立板、限位环、拦截条以及缓冲弹簧的配合，可简化本叠片设备的整体占地面积，简化叠片加工程序。

本发明公开了一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法，包括取样→制样→冷轧轧制规程制定→实验轧机二次冷轧。本发明所要解决的技术问题是提供一种取向硅钢实验室轧机二次冷轧方法，本发明提供的方法轧制出来的取向硅钢二次冷轧试样，对于开展后续研究提供了更加可靠的试样和条件。

研究了含铜低碳低硅无取向电工钢中的析出相及其析出机理.由能谱(EDS)及选区电子衍射(SAED)分析可知,铁素体基体上存在的大量弥散分布的等轴状析出相为类B2结构的铜.这些铜析出相的析出机理可以是一般析出、位错析出、台阶机理相间析出和弓出机理相间析出:一般析出在550、650和750℃三个等温温度均可发生;位错析出只发生在较低的等温温度(550℃),此时析出相呈特殊的平行短列状;台阶机理相间析出也可在上述三个等温温度下发生,但650℃等温时最有利于台阶机理相间析出,此时析出相平直列状分布;弓出机理相间析出只发生在较高的等温温度(750℃),析出相弯曲列状分布. Precipitates in low-carbon low-silicon non-oriented electrical steel containing Cu were studied and the precipitation mechanism was analyzed by means of energy dispersive spectrometry(EDS) and selected area electron diffraction(SAED).It is found that the equiaxed precipitates of Cu with B2-like structure distribute dispersively in the non-oriented electrical steel.The precipitation mechanism involves general precipitation,dislocation precipitation,interphase precipitations formed by the ledge me... 

本发明涉及无取向硅钢生产技术领域，公开了一种改善含Cu高强度无取向硅钢冷轧质量的方法，包括如下步骤：A)含Cu高强度无取向硅钢热轧卷化学成分(wt,％)：Si：2.0～3.5％，Als≤1.5％，Cu：1～3％，其他为Fe,Als,Mn以及不可避免的杂质元素，对热轧卷进行常化酸洗处理，常化温度T常满足：T常≤1620‑(0.5Als+1.5Si+Cu)％×104，单位℃；B)将常化后的热轧卷在电磁感应加热炉内进行加热；C)在冷轧机组开卷机进行开卷，冷轧第一道次开卷温度T冷轧满足：1.5×(Si+Cu)％×103‑T室温≤T冷轧≤40+2×(Si+Cu)％×103，单位℃，式中，T室温为室温；D)按照4‑6道次冷轧到目标厚度。本发明改善含Cu高强度无取向硅钢冷轧质量的方法，在采用传统常化工艺路线，保证较高的强度和磁性水平前提下，改善冷轧质量，提高成品成材率。