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研究了退火温度和退火时间对电沉积硅钢试样中的断面层组织、硅在试样中的分布情况、织构分布和磁性能的影响。结果表明:退火温度为1000℃、退火时间为210 min时得到的试样晶粒分布均匀、硅在试样中分布均匀、硅平均浓度为6.3715%(接近6.5%)。试样的织构分析及磁性能检测的结果表明,在较高温度下延长退火时间可增加{100}和{110}面织构,降低铁损,所得试样的磁性能较为良好。 The effect of annealing temperature and time on the microstructure, distribution of silicon,texture and magnetism of the high silicon steel prepared by electrodeposition was investigated. The results showed that after annealing at 1000℃ for 210 min, the mean grain size of steel was about 190 μm with a uniform grain size distribution, and the silicon is also uniformly distributed on the entire cross section with an average Si concentration 6.3715%(close to 6.5%); With the increasing annealing tim... 
2014-07-28 160 5.8

本实用新型公开了一种变压器硅钢片卷吊装件,包括横梁和两个吊钩组件,在横梁两端之间的中部设置有吊挂连接构件;两个吊钩组件呈左右对称设置于横梁,吊钩组件与横梁滑动连接,在吊钩组件与横梁之间设置有第一锁紧机构,横梁通过吊挂连接构件与吊机上的吊索连接,在对不同宽度的硅钢片卷进行吊装时,松开两个第一锁紧机构,调节好其中一个吊钩组件的位置,并锁紧固定好,使得固定好的吊钩组件插入硅钢片卷其中一端内,最后将另外一个吊钩组件插入硅钢片卷另一端内,并锁紧固定,本实用新型通过两个吊钩组件来勾住硅钢片卷的两端,可避免硅钢片卷在起吊过程中损坏卷边,也可满足不同宽度的硅钢片卷的吊装。
2021-04-26 124 6.8

本实用新型涉及硅钢片加工领域,且公开了一种用于硅钢片钢卷制造的风冷装置,解决了目前市场上的用于硅钢片钢卷制造的风冷装置工作效率低下,风冷效果不佳的问题,其包括风冷箱,所述风冷箱两侧的下部分别开设有输入口和输出口,风冷箱的内部通过输入口和输出口活动连接有硅钢片本体,风冷箱内腔的顶部固定连接有制冷框,制冷框内腔的两侧之间安装有制冷环形管,制冷框内腔的顶部通过支架固定连接有吹风罩,风冷箱底部的两侧均安装有稳定架,该用于硅钢片钢卷制造的风冷装置,结构设计巧妙、降温迅速、操作便捷,通过制冷框与集风架进行对硅钢片本体进行双重风冷处理,大大提高了整个装置的风冷效果和工作效率,并且人工维护少、生产成本低。
2021-06-17 128 6.8

【作者】 姚昌国; ...
2011-05-28 137 5.8

本实用新型属于清洁度检测装置领域,具体的说是硅钢前处理带钢表面清洁度在线检测系统,包括操作台和清洁单元;所述清洁单元设置在操作台的端部;所述操作台的端部固接有支撑腿;所述支撑腿的端部固接有顶板;通过设置的清洁单元,对工业相机的镜头表面进行清洁,转动轮盘调节角度,推动推板将水箱内部的水分喷洒在镜头的表面,按压连接杆的端部,橡胶柱和弹簧受力,使用刮板对镜头的表面进行刮擦清理,将镜头的表面灰尘清理干净,避免了灰尘堵塞镜头,影响拍摄效果。
2021-09-24 141 6.8

本实用新型提供了一种硅钢叠铁芯线圈吊装夹具,属于变压器的技术领域,缓解了现有技术中存在的线圈吊装夹具单次只能进行单个垫块装配,效率较低的技术问题。所述夹具包括:中心盘、吊环、连接杆、吊臂、勾具;连接杆一端连接中心盘,所述连接杆的数量为3个,且两两之间的夹角为120°;所述吊环设置于中心盘上方;每个所述连接杆另一端连接一个吊臂;每个吊臂上设置有勾具。
2021-04-21 116 6.8

本申请实施例公开了一种硅钢片卷绕机调节装置,包括底部支撑座,所述底部支撑座一侧的内部活动套接有伸缩调节板,所述伸缩调节板的上部固定连接有上部定位套,所述上部定位套内部的上端活动套接有第一定位板,所述上部定位套的内部安装有第一螺纹定位杆。该硅钢片卷绕机调节装置,通过带动硅钢片夹持在上下两个夹持板之间,即可带动夹持板之间的挤压力,带动硅钢片两侧位置进行限定,避免硅钢片收卷时出现振动和偏移的问题,同时装置夹持板的内部活动套接有滚轮,即可在硅钢片移动过程中,可带动滚轮旋转,即可带动硅钢片与滚轮之间的摩擦阻力降低,至此可带动硅钢片移动时的灵活性,避免硅钢片移动时出现卡死的问题。
2021-12-15 156 6.8

本发明公开一种硅钢级氧化镁制备方法、硅钢级氧化镁保护膜,涉及氧化镁制备技术领域。将得到的粗氧化镁产品进行净化处理;将净化处理后的粗氧化镁产品与金属镁碳还原剂,在真空状态下,利用真空碳热还原技术进行金属镁的置换,制得金属镁;金属镁碳还原剂与粗氧化镁产品的质量比为(1~1.5):1;制得的金属镁在纯氧下制得氧化镁;将制得氧化镁根据实际需求获得不同粒径硅钢级氧化镁颗粒。本发明产品各项指标优于企业标准的硅钢级氧化镁。而且不会受原料中含有的钙等杂质的影响,产品纯度很容易达标,同时,还存在能耗较低、生产成本低等优点,解决了业在降低能耗方面的突破可应用于工业化生产。
2021-11-22 135 6.8

本发明涉及一种硅钢片碎片自动检测吸附的方法,控制系统控制初检装置工作,通过视觉方式进行硅钢片碎片检测,如果成品硅钢片上面没有粘附硅钢片碎片,成品硅钢片检测程序结束;如果成品硅钢片上面粘附有硅钢片碎片,控制系统控制吸附捕捉装置对硅钢片碎片进行吸附捕捉。本发明还涉及一种硅钢片碎片自动检测吸附的装置,成品硅钢片传送机构的上方依次设置有初检相机、吸附捕捉装置和废料盒,初检相机和吸附捕捉装置分别与控制系统连接。本发明通过初检相机实现硅钢片碎片的精准识别,通过吸附装置将粘附在成品硅钢片上的硅钢片碎片吸附捕捉,通过废料盒使得硅钢片碎片的集中存储和清理更加便捷,节省了人力、并且比人工操作更加精准。
2021-06-16 126 6.8

采用X-射线衍射分析技术测定了取向硅钢热轧板在不同压下率下不同厚度处的织构。结果表明,在压下率低于80%的情况下,几乎所有试样的不同厚度处的织构均为旋转立方织构类型{100}<011>,但不同压下率、不同厚度处的织构强度存在很大差异;在压下率大于80%的情况下,不同试样的不同厚度处的织构类型发生了变化,其织构类型为旋转立方织构或高斯织构{011}<100>,且当织构类型为旋转立方织构时,织构强度存在很大差异,而当织构类型为高斯织构时,织构强度差异相对较小。 The texture of the grain oriented silicon steel hot rolled plate at different compressibility has been measured.The experimental results have shown that the texture of all samples at different thickness is {100}<011> when the compressibility is below 80%,and its intensity at different compressibility and thickness is difference.The texture of all samples at different thickness is variable when the compressibility is above 80%,it is {100}<011> or {011}<100>,and the intensity of ... 
2011-04-28 146 5.8

本实用新型涉及一种多物理因素耦合作用电工钢片矢量磁特性自动测量系统,多物理因素耦合作用电工钢片矢量磁特性自动测量系统包括上位机、数据采集卡、低通滤波器、功率放大器、隔离放大器、励磁装置、矢量B‑H传感器、x方向励磁线圈、y方向励磁线圈、单片机系统、电源、温度自动加载模块和应力自动加载模块。本实用新型实现了电工钢片复杂磁特性测量过程中温度和应力的自动加载,解决了人为操作繁琐,耗时的缺点,使得电工钢片复杂磁特性的测量过程更加方便,高效,可行性更高。
2021-05-17 141 6.8

借助电子背散射(EBSD)技术对AlN为主抑制剂的Hi-B取向硅钢常化工艺的中间冷却制度进行了研究。结果表明:常化后试样均发生了完全再结晶,在60℃/s冷速下组织最均匀;在合适的冷却制度下常化板表层保留了强的Goss织构,它深入到1/4厚度处,并且形成对Goss织构有利的强{554}<225>织构。 The intermediate cooling system of Hi-B oriented silicon steel with AlN main inhibitor in normalizing process was studied by means of electron back diffraction(EBSD) technique. The results show that:the specimens after normalizing are fully recrystallization, and the microstructure is most uniform under the intermediate cooling rate of 60℃/s; under suitable cooling system, normalized plate surface retains strong Goss texture, it penetrates into the 1/4 thickness of the plate and forming strong {... 
2014-11-28 138 5.8

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