硅钢资料

介绍了电工钢生产线连退机组的表面处理工艺,特别是电解清洗系统的工作机理、设备构造、生产工艺及各种影响因素。 This paper introduces the technology of surface treatment of continuous annealing unit in electrical steel production line,in particular the working mechanism,structure of equipment,production techniques and various influence factors of the electrolytic cleaning system. 

本发明公开了一种适应高频率工况下低铁损无取向电工钢及其生产方法，所述生产方法包括以下步骤：钢水连续浇铸成板坯—热轧—正火—酸洗—冷轧—连续退火—涂绝缘涂层并固化；所述冷轧步骤中，采用六辊单机架往复式轧机经5道次一次冷轧至目标厚度，冷轧过程中前三道次采用变速异步轧制方法，使钢板表层在剪应力作用下位错密度增加，这样在退火后表层晶粒尺寸细化而心部晶粒粗大，通过本发明的方法可生产得到心部为粗大等轴晶粒，表层为纳米级细等轴晶粒的电工钢产品，该产品的铁损P1.5/50≤2.35W/kg，P1.0/400≤14.0W/kg。

该电磁钢板用涂布组合物是含有环氧树脂、高温固化型交联剂以及无机微粒的电磁钢板用涂布组合物，相对于所述环氧树脂的100质量份，所述高温固化型交联剂为5～30质量份，所述无机微粒是从金属氢氧化物、在25℃下与水反应而成为金属氢氧化物的金属氧化物、以及具有羟基的硅酸盐矿物中选择的一种以上，所述无机微粒的体积平均粒径为0.05～2.0μm，所述环氧树脂的含量相对于所述电磁钢板用涂布组合物的总质量为45质量％以上，所述无机微粒的含量相对于所述环氧树脂100质量份为1～100质量份。

针对攀钢高硫铁水冶炼现状,结合不同生产工艺路线,论述了攀钢近年来为实现低硫电工钢的生产,在铁水预处理、转炉冶炼、钢水精炼过程中硫控制技术的开发与应用,形成了低硫洁净钢生产工艺技术,实现了低硫电工钢的生产。低硫电工钢RH脱硫率可达到20%左右,成品[S]控制在0.006%左右。 According to the smelting situations of hot metal with high sulphur content at Panzhihua Steel,combined with different produce processes,technologies for controlling the sulfur content during hot metal pretreatment,converter smelting,and second refining are developed. Technologies in low-sulfur clean steelmaking are formed. Low-sulfur electric steel are produced. As for the desulfurization rate of lowsulfur electric steel can reach about 20%,and the content of [S] in products is controlled to ab... 

【作者】 陶永根； ...

选取了三种50W 800无取向电工钢,分析了化学成分、晶粒尺寸、织构、以及200℃时效处理48 h前后的磁性能和第二相粒子析出状态的变化。结果表明,钢板中第二相粒子的分布密度对钢板铁损有最重要的影响。降低钢中C、N元素含量,或改进钢板热加工参数以降低成品钢板中第二相粒子形成元素的过饱和度均有利于明显降低钢板磁时效过程中的铁损增幅。钢板中对磁性能有利的织构也有利于降低钢板铁损的时效幅度。 The evolution of chemical composition,grain size,texture,as well as magnetic property after aging treatment at 200 ℃ for 48 h and distribution of second phase particles precipitation in three selected 50W800 non-oriented electrical steels were analyzed.The results show that the distribution density of second phase particles has great influence on core loss.Reducing C and N content,or improving hot-working parameters to reduce the supersaturation of elements forming second phase particles in prod... 

本实用新型涉及拆包装置技术领域，且公开了一种硅钢片钢卷原料拆包装置，解决了现有的硅钢片钢卷原料拆包装置不具备便捷移动功能的问题，其包括装置本体，所述装置本体的底部设有安装块，安装块顶部的两端均安装有螺纹销，安装块的两端均安装有稳定机构，安装块底部的两端均固定连接有支撑板，安装块底部的两侧均安装有连接板，两个连接板底部的两端均安装有移动轮，安装块底部的中部安装有一对气缸；使本装置能够在需要时便捷的进行移动，并且能够有效的保持连接板的稳定，同时能够有效的对插板进行固定，使置物板能够有效的保持稳定，从而能够在需要时便捷的搬运本装置，进而提高了本装置的实用性。

本发明属于涂料技术领域，具体涉及一种用于硅钢水性无机绝缘涂料的助剂及其制备方法，用于硅钢水性无机绝缘涂料的助剂，包括以下质量份配比的材料：磷酸二氢铝溶液10‑40份、氧化镁0.1‑5份、增稠剂0.01‑5份和水1‑80份。本发明还提供了上述助剂的制备方法，通过向磷酸二氢铝溶液中加入氧化镁悬浮液，得到铝镁混合液备用，然后在室温及搅拌条件下，向铝镁混合液中加入增稠剂预溶胶得到所需助剂，利用本申请的助剂制备了无机物料，结果表明，本发明提供的助剂适用于硅钢水性无机绝缘涂料，能改善涂料的稳定性，有效提高硅钢绝缘涂层的附着力和耐腐蚀性，改善硅钢涂层的综合性能。

本发明公开了一种无底层取向硅钢的制备方法，包括以下步骤：S1、坯料预处理、S2、脱碳退火、S3、涂覆隔离剂、S4、高温退火、S5、拉伸热平整和S6、激光去除底层，所述激光去除底层的工艺参数为：激光400‑500W，重复频率100‑150kHz，振镜扫描速度6000‑7000mm/s。本发明利用激光刻痕的物理方法制备了无底层取向硅钢，代替了传统的用酸去除取向硅钢涂层或硅酸镁底层，制备的取向硅钢表面光亮，不含涂层或硅酸镁底层，同时通过退火补偿了激光制备过程中对钢带产生的塑性变形，制备的无底层取向硅钢，磁性能稳定。

本发明涉及电机技术领域，具体涉及一种具有低应力隔磁桥的硅钢片和电机转子。包括硅钢片、开设在硅钢片上的若干个磁钢槽组和永磁体，若干个磁钢槽组沿所述硅钢片周向分布，每个磁钢槽组均至少包括一对沿径向对称分布的磁钢槽，永磁体嵌设于磁钢槽内，磁钢槽朝向硅钢片内侧的一端设有空腔，一对磁钢槽的空腔之间通过隔磁桥隔离，隔磁桥的空腔上壁面与空腔侧壁面之间通过第一椭圆弧过渡连接，隔磁桥的空腔下壁面与空腔侧壁面之间通过第二椭圆弧过渡连接。有效降低该处隔磁桥在拐角处所受应力，进而提高该隔磁桥的强度，避免磁钢和铁芯产生形变而断裂。

本发明公开了一种取向硅钢高温退火底板，涉及钢卷生产技术领域，解决了钢卷的尺寸变形导致钢卷切边量过大的技术问题。包括应变诱导板，应变诱导板的板面开设有若干凹槽，相邻凹槽之间于应变诱导板的板面形成凸楞，钢卷放置于应变诱导板的板面上，其中部分的钢卷端面支撑于凸楞上，其余的钢卷端面悬置于凹槽上。本发明通过在应变诱导板上设置凹槽与凸楞，钢卷在高温退火过程中同样受重力产生蠕变变形，但蠕变变形按照凸楞所设定的方向进行，从而将产生的不均匀的“大浪”分割成碎化均匀的“细浪”，使得钢卷边部的变形细小、均匀、可控，从而降低了大象脚变形的缺陷影响程度，减小了钢卷的切边量，提高了成材率，同时能够获得良好的边部板形。

通过对辉光放电发射光谱参数的优化,以铁元素为内标来消除基体效应,建立了测定硅钢薄板中微量硼元素的方法。优化的实验参数为:放电电压1200 V,放电电流50 mA,预溅射时间40 s,积分时间10 s。校准曲线硼元素含量范围0.0001%~0.022%,相关系数大于0.999,测量结果与认定值一致,相对标准偏差小于10%。完全能够满足日常分析测试的要求。 A glow discharge optical emission spectrometry(GD-OES) method for determining trace boron element in silicon steel sheets were established through optimization of instrumental parameters and using Fe element as an internal standard to eliminate the matrix effect.The optimized instrumental parameters included discharge voltage,discharge current,pre-sputtering time and integration time,which are 1200 V,50 mA,40 s,and 10 s,respectively.The content of boron element that can be determined from the ca...