专利

本发明公开了一种极薄取向硅钢铁芯及其制造方法，所述制造方法，包括：S1、剪切分条：将取向硅钢根据制作铁芯的宽度要求进行分条剪切；S2、卷绕：根据铁芯的规格型号要求，选取铁芯模具进行卷绕；S3、压块固定：将卷绕好的铁芯用压块固定；S4、退火加工：将固定好的铁芯，阶梯式升温至780℃保温3h退火处理，保护气氛为氮气，之后冷却降温；S5、浸胶：将降温后的铁芯，进行真空浸胶处理；S6、烘干：将浸胶处理后的铁芯烘干处理；S7、装配。该发明制造的极薄取向硅钢铁芯，能彻底消除内应力，磁路各处均无高磁阻存在，空载电流与励磁电流均大幅度下降，从而最大限度的恢复了极薄取向硅钢加工后原有择优取向织构及电磁性能。

本实用新型属于硅钢片加工技术领域，具体涉及一种利于常化的硅钢缝合结构，包括上层硅钢片、下层硅钢片和连接带，下层硅钢片的一端位于上层硅钢片的下方并与上层硅钢片叠合，上层硅钢片和下层硅钢片的叠合处开有多个排成直线的桥型孔，连接带依次穿过各个桥型孔并同时卡合在上层硅钢片和下层硅钢片上。本方案中，在上层硅钢片和下层硅钢片的叠合处开设桥型孔，利用连接带穿过上层硅钢片和下层硅钢片叠合处的桥型孔，相当于利用连接带将上层硅钢片和下层硅钢片缝合在一起，这样设置能够较好将上层硅钢片和下层硅钢片连接成一体。

本实用新型公开了一种带缓冲保护装置的硅钢片纵剪线，包括工作台，工作台的顶部外壁设置有放料辊，工作台靠近放料辊的一侧设置有牵引辊，工作台靠近牵引辊的一侧设置有整平机构，工作台的内部设置有第一缓冲坑，第一缓冲坑的顶部设置有导料辊，第一缓冲坑的内部设置有第三转轴，第三转轴的外壁传动连接有皮带，皮带的内壁传动连接有第二转轴，皮带的外壁传动连接有第一转轴，第三转轴的外壁固定安装有转筒，转筒的外壁设置有伸缩杆，伸缩杆的外壁套接有弹簧，伸缩杆的底部设置有滚珠，通过设置的第一缓冲坑与第二缓冲坑结构，可防止硅钢片在进入第一缓冲坑与第二缓冲坑时弯曲程度过大导致的断裂，且双重的缓冲装置更有利于对硅钢片的保护。

本实用新型公开了一种优化取向硅钢底层质量的打孔隔板，包括取向硅钢底层和分隔板，所述取向硅钢底层的上方安装有分隔板，且分隔板的内部设置有通孔，所述通孔的下方安装有卡合板，且卡合板的下方安装有硅胶密封垫，所述分隔板的右侧安装有三脚架，且三脚架的右侧安装有螺钉，所述三脚架的左侧安装有螺母，且三脚架的下方安装有固定横杆，所述分隔板的上方安装有定位套筒，且定位套筒的内部设置有内螺纹，所述内螺纹的内部安装有定位横杆，且定位横杆的两侧设置有外螺纹。该种优化取向硅钢底层质量的打孔隔板中，通过设置的通孔，分隔板将取向硅钢底层分隔时，通过通孔可以将分隔连通，减少在使用时分隔板阻拦取向硅钢底层的磁感性能。