钢厂
CN202111347230.1应用于硅钢片冲压过程的冲压联动接料装置
本发明涉及到一种应用于硅钢片冲压过程的冲压联动接料装置,包括固定连接在冲头侧面上的连杆,连杆一端远离冲头且连接有一根销,销上转动连接有摆杆,摆杆的一端开设有长孔,销插接在长孔内,摆杆另一端通过铰轴转动连接在机架上,摆杆设置有铰轴的一端连接有一根联臂,联臂下端通过转轴连接有接料盘,转轴与冲台之间设置有平行于转轴的托辊,托辊高于转轴,接料盘接近冲台的一端搁置在托辊上,冲头处于上止点时,接料盘接近冲台的一端伸入冲头和冲台之间且位于冲头正下方,冲头处于下止点时,接料盘接近冲台的一端退出冲头和冲台之间,位于冲台一侧,所述冲头下端面设置有凸模,冲台上端面设置有与凸模配合的凹模。
CN202110291809.4一种提高无取向硅钢铁损均匀性的方法
本发明提供了一种提高无取向硅钢铁损均匀性的方法,所述方法包括,对无取向硅钢板坯进行加热和粗轧,获得中间坯;将所述中间坯精轧后以620‑750℃的温度进行卷取,获得热轧卷;将所述热轧卷进行酸洗和冷轧,获得冷轧卷;对所述冷轧卷升温至900‑960℃的温度保温50‑90s的时间,进行退火,获得铁损均匀性良好的无取向硅钢。本发明提供的方法,其铁损P1.0/50为1.379‑2.721W/kg,P1.5/50为2.751‑5.438W/kg,B5000为1.706‑1.741T,在线P1.0/50极差为0.062‑0.188W/kg,无取向硅钢的铁损更均匀。
CN202011611728.X降低无取向硅钢W800冶炼成本的方法
本发明涉及金属冶炼工艺,尤其是一种降低无取向硅钢W800冶炼成本的方法,开吹阶段,着火后,加入头批渣料,石灰加入量占石灰总加入量的70%,石灰石加入量占石灰石总加入总量的100%,轻烧白云石加入量占轻烧白云石总加入总量的100%,待化渣后,枪位降低;化渣后将剩余30%石灰加入,加入剩余石灰过程中利用矿石调整温度;吹炼后期,并逐步压枪,终点拉碳枪位至1.4m,并使枪位在此高度不少于30s;到达冶炼终点。本工艺通过降低转炉渣量、提碳降氧和提高终点温度来减少铁水锰氧化量和促进氧化锰还原量,进而降低RH金属锰加入量,降低生产成本。
CN202110259385.3硅钢退火密封设备
本发明公开了一种硅钢退火密封设备,包括台车、内罩和密封介质,所述台车的上端面设双层环形凹槽,所述内罩对应扣在所述双层环形凹槽内,所述密封介质位于所述双层环形凹槽内,所述内罩为下端口内径大于上端内径的梯度内罩。本发明通过双层密封圈,将传统整体的密封圈变为两部分,下部分为固定密封圈,上部分为活动密封圈,当活动密封圈变形损坏时可以及时更换,不需要拆除耐材,降低了生产成本,同时,通过提高内罩底部直径,扩展了变形空间,延长了内罩的使用时间,同时,加大了底部的空间,有利于保护气体的流动,减少了钢卷与料盘接触面的粘带。
CN202110132821.0一种提高有效氮和底层质量的高磁感取向硅钢制造方法
一种提高有效氮和底层质量的高磁感取向硅钢制造方法:冶炼后连铸成坯;对铸坯加热;热轧、常化及酸洗后时效冷轧;在湿式气氛下脱碳退火;在湿式混合气氛下均热;在湿式混合气氛下渗氮退火;进行后工序。本发明与现有技术相比,通过合理控制渗氮过程,提高渗氮后钢板基体内氮含量与总氮量之间的比例达到80%以上,使无点状露晶产生,最终获得产品的底层质量优异。
硅钢50A1300的流变应力和临界动态再结晶行为
用Gleeble1500D模拟试验机在变形温度为950~1 200℃、应变速率为0.01~8s-1、最大变形程度为60%的条件下,对硅钢50A1300做单道次压缩试验,首先分析了不同参数对流变应力的影响,然后用回归法确定了应力模型中的变形激活能及材料常数,得到硅钢50A1300在峰值应力条件和稳态应力条件下的变形激活能分别为270.360和91.557kJ/mol,同时得到了流变峰值应力模型,模型的相关系数为0.997。最后通过作lnθ-ε图的方法找到了硅钢50A1300发生动态再结晶的临界应变量,并回归得到峰值应变量、临界应变量与参数Z/C的关系式。 To analyze the effects of different parameters on the flow stress and critical strain of the dynamic recrystallization,single-pass compression experiments were carried out with silicon steel 50A1300 specimens using a Gleeble1500D thermal simulator at a temperature range of 950-1 200 ℃ and strain rate range of 0.01-8 s-1 under the condition of maximum deformation of 60%.The average deformation activation energy is respectively 270.360 and 91.557 kJ/mol under the peak stress and steady-state stres...
CN202110291174.8一种硅钢片横剪线裁切设备
本发明公开了一种硅钢片横剪线裁切设备,包括:本体,所述本体包括工作台、挡屑罩和裁切装置,所述挡屑罩内水平固定安装有横杆,所述裁切装置与横杆下表面滑动连接;两个定位机构,所述定位机构包括第一螺纹杆、第一滑块和压板,所述挡屑罩内壁开设有两个安装槽,两根所述第一螺纹杆分别转动安装在两个安装槽内,两个所述第一滑块分别螺纹套设在两根第一螺纹杆上,两个所述压板分别与两个第一滑块远离安装槽槽底的一端水平固定链接;两个驱动机构,所述驱动机构用于控制第一螺纹杆发生转动。通过驱动装置控制定位机构中压板在垂直方向上的位置便可快速实现对硅钢片的定位工作和解除工作,方便快捷,提高了裁切工作的效率。
CN202111083171.1一种高强型高频电磁性能优异的硅钢薄带板及生产工艺
一种高强型高频电磁性能优异的硅钢薄带板,钢中化学成分按重量百分比计为:C≤0.0027%、Si3.10%~3.35%、Als0.80%~1.2%、Mn0.20%~0.85%、P≤0.050%、S≤0.0020%、N≤0.0020%、Ti≤0.0020%、V≤0.0020%、Nb0.0050%~0.080%,其余为Fe和不可避免的杂质。本发明的无取向硅钢薄带产品用于新能源汽车驱动电机的制造,其强度高,中高频电磁特性优异。
含核壳异质结构6.5% Si高硅钢铁芯的制备与磁性能
以构建高磁感、低铁损、免轧制高硅电工钢铁芯为出发点,提出采用单辊甩带制备非晶铁硅合金薄带、微氧化法在铁硅合金粉末表面包覆高电阻率铁硅氧化物薄膜制备核壳异质结构高硅电工钢纳米粉末、放电等离子烧结快速成形制备颗粒间绝缘的高硅电工钢铁芯。研究了不同氧化包覆时间对SPS烧结试样密度、物相组成、微观结构和静磁性能的影响。研究表明,在氧化包覆5h烧结温度800℃工艺条件下,制备的6.5%Si高硅电工钢铁芯的静磁性能最佳,饱和磁化强度为128.84A.m2/kg、矫顽力为2.25kA/m、剩磁为3.47A.m2/kg。其饱和磁化强度与粉末压延法制备的高硅钢相当,但矫顽力降低了1/3。 The paper takes preparation 6.5%Si steel with high induction,low core loss and removing rolling as the starting point,amorphous Fe-Si ribbons was synthesized by melt spinning method,6.5%Si steel nanopowders with high resietivity core shell structure was prepared by the slight oxidation process and 6.5% Si steel iron core with evaluating internal was sintered by spark plasma sintering process(SPS).The essay focuses studies the effects of different oxidation cladding time on sample density,phase c...
CN202023252145.0一种硅钢清洗用多段式清洗辊结构
本实用新型涉及硅钢生产设备技术领域,具体公开了一种硅钢清洗用多段式清洗辊结构,包括中间辊和可拆卸连接在中间辊两端的支撑辊,所述中间辊和支撑辊的外径相等,中间辊与支撑辊的外壁上均固定有刷毛,所述支撑辊远离中间辊的端部为封闭设置,且同轴固定有转轴。采用本专利中的清洗辊结构,只用更换中间辊即可,无需对整个清洗辊进行更换,节省了设备成本投入;另外将支撑辊远离中间辊的端部为封闭设置,则是为了防止在工作时,液体渗入,避免对清洗辊的内部结构产生腐蚀等问题。
CN202110031202.2一种低磁致伸缩取向硅钢及其制造方法
本发明公开了一种低磁致伸缩取向硅钢的制造方法,其包括步骤:(1)在硅钢基板上进行单面激光刻痕,其中进行激光刻痕的表面为第一表面,第一表面的背向一侧表面为第二表面;(2)基于激光刻痕的功率确定第一表面和第二表面的挠度差;(3)基于挠度差获得第一表面和第二表面所涂覆的绝缘涂层的涂覆量差;(4)基于涂覆量差,在第一表面和第二表面上涂覆绝缘涂层,其中第二表面的绝缘涂层涂覆量大于第一表面的绝缘涂层涂覆量。相应地,本发明还公开了采用上述制造方法所制得的低磁致伸缩取向硅钢,其第一表面和第二表面的磁致伸缩偏差≤2db(A),并且所述低磁致伸缩取向硅钢的平均磁致伸缩≤55db(A)。