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对w(Si)=3%无取向硅钢进行表面机械研磨处理(SMAT)和异步轧制(CSR),获得表面纳米结构,再进行550~650℃、4 h固体粉末渗硅处理,用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究表层组织演变。结果表明:经过SMAT后,w(Si)=3%无取向硅钢表面形成了等轴状、取向呈随机分布的、晶粒尺寸为10 nm的纳米晶组织;异步轧制后,表面纳米晶组织保持不变;550~650℃、4 h渗硅处理后,SMAT+CSR样品表面形成化合物层,其厚度随着温度的升高由17μm增加到52μm;化合物层由Fe3Si和FeSi相组成. Nanostructured surface layer was fabricated on a 3%(mass fraction) non-grain oriented silicon steel by means of surface mechanical attrition treatment(SMAT) and cross-shear rolling(CSR),and then a solid powder siliconizing treatment was carried out for the SMAT+CSR sample at 550~650 ℃ for 4 h.The microstructural evolution was examined by using transmission electron microscopy(TEM),scanning electron microscopy(SEM) and X-ray diffraction(XRD).Experimental results show that: equiaxed nanocrystallin... 
2011-03-28 217 5.8

本发明涉及一种控制高牌号硅钢退火产生月牙印缺陷的方法,多次调整硅钢退火线入炉及出炉张力参数,使带钢处于预设悬垂量内;本发明避免高速运行下带钢撞在炉辊上,从而产生月牙印缺陷,提高了产品的质量。
2021-07-09 216 6.8

本发明提供一种能够有效地抑制去应力退火中的渗碳、氮化的,实施了耐热型的磁畴细化处理的取向性电磁钢板。该取向性电磁钢板在一侧面具有多个槽,在所述钢板的表面至少具备镁橄榄石被膜,该多个槽是朝向横切轧制方向的方向线状地延伸且在该轧制方向隔着间隔地并列,并且,形成于所述槽的底部的所述镁橄榄石被膜厚度的平均值为0.45μm以上,并且该厚度的标准偏差σ为0.34μm以下。
2021-03-26 216 6.8

运用电子背散射衍射(EBSD)技术,研究了50W600无取向硅钢在热轧→冷轧→退火工序间织构的演变。结果表明:由于热轧板沿板厚方向的应力场和温度场存在差异,导致热轧板不同层织构类型和强度存在差异;热轧板表层主要存在铜型、黄铜和高斯织构,1/4层织构主要为α纤维织构和较弱的高斯织构,中心层织构较单一,主要为α纤维织构;和热轧板相比,冷轧板各层织构差异较小,为典型的轧制织构(α纤维织构和γ纤维织构);退火板各层都表现为γ纤维织构增强、α纤维织构减弱,旋转立方织构基本消失。 The texture evolution of 50W600non-oriented silicon steel in hot rolling,cold rolling and annealing process was investigated by electron back-scatter diffraction(EBSD)technology.Results show that the hot rolled plate texture types and intensities along thickness direction were different because of the different stress fields and temperature fields.The major texture types in the surface of hot rolled plate were copper,brass and Gauss texture.The texture was composed ofαfibre texture and weaker Ga... 
2014-08-28 216 5.8

本实用新型涉及变压器铁芯制备的技术领域,特别是涉及一种变压器铁芯制备用硅钢片涂漆设备,其满足不同身高的操作人员对装置的操作要求,提高装置的实用性;包括工作台、喷涂机构和输送机构,喷涂机构和输送机构均安装在工作台顶端,输送机构上设置有烘干机构;还包括固定板、支腿、连接板和升降机构,四组支腿呈四角分布安装在固定板底端,连接板横向安装在四组支腿之间,升降机构安装在固定板上;升降机构包括电机、电机座、支杆、第一连接杆、滑套、限位板、丝杆螺母、丝杠和花键轴,电机安装在电机座上,电机座安装在连接板顶端,四组支杆呈四角分布安装在工作台底端,四组第一连接杆呈四角分布安装在固定板顶端。
2021-12-15 216 6.8

本发明公开了一种用于风力发电机定子铁芯扇形硅钢片的保护工装,包括第一防护罩和第二防护罩,第一防护罩、第二防护罩均为扇形罩体,其由弧形底板和两个扇形侧板构成,第一防护罩的两端连接有能够折叠收纳的柔性罩;第一防护罩滑动套设在扇形硅钢的外侧,第二防护罩滑动套设在第一防护罩的外侧。本发明提供的保护工装主要有两个功能,当扇形硅钢片处于运输过程中时,利用第一防护罩、第二防护罩、柔性罩协同配合为其防刮伤防护;当扇形硅钢片装配后,利用第一防护罩内部的冷却散热系统提供散热防护,防止出现高温过热现象;通过这种方式,本发明保护工装满足大规格定子铁芯扇形硅钢片的防护需求。
2021-06-16 216 6.8

本实用新型涉及硅钢生产设备技术领域,具体公开了硅钢用氧化镁冷涂托盘结构,包括机架和托盘本体,托盘本体固定在机架上,托盘本体位于涂层机上,所述涂层机包括一对上下设置且转动连接在机架上的胶辊,所述托盘内设有气管,所述气管一端固定在机架上,另一端水平设置在托盘本体靠近底部的位置,机架上设有连通气管的供气件。本专利中,通过对气管提供气流,从气管鼓出的气体对托盘本体内的涂层液形成搅拌的作用,避免涂层液中的氧化镁颗粒沉底结晶,本方案结构简单,无需对托盘本体进行其它加工改造,适合在结构紧凑的涂层机中使用。
2020-12-29 216 6.8

一种无取向性电磁钢板:以质量%计其母材的化学组成为:C:0.0010~0.0040%、Si:4.0~5.0%、Mn:0.20%以下、Al:0.010%以上且不足0.050%、P:0.030%以下、S:0.0030%以下、N:0.0005~0.0030%、O:0.0100~0.0400%、Ca:不足0.0010%、Ti:不足0.0050%、Nb:不足0.0050%、Zr:不足0.0050%、V:不足0.0050%、Cu:不足0.20%、Ni:不足0.50%、Sn:0~0.05%、Sb:0~0.05%、剩余部分:Fe和杂质;从母材表面到深度方向10μm的位置为止以外的区域中的O含量不足0.0050%。
2021-04-16 216 6.8

本发明涉及硅钢收卷技术领域,具体公开了硅钢冷涂后锥度张力收卷工艺,将张力卷筒装配到卷取机上,张力卷筒包括转轴和若干支撑板,若干支撑板形成圆筒结构,若干支撑板上连接块底部的斜面形成锥形结构;还包括位于转轴两端的驱动杆,驱动杆转动连接有锥形杆,锥形杆与锥形结构为锥度配合,锥形杆的长度为L;将硅钢头部搭接在张力卷筒外部,当硅钢在张力卷筒外部卷绕4~7圈后,驱动杆移动的速度为V;当锥形杆进入的距离为1/3L时,将速度降低至2/3V;当锥形杆进入的距离为2/3L时,将速度降低至1/3V;当锥形杆全部进入时,驱动杆停止移动,硅钢继续卷绕。本专利公开的收卷工艺利用了锥度张力原理,得到的硅钢卷不会坍塌。
2021-01-27 215 6.8

研究了取向硅钢制备过程中常见的两种冷轧工艺,主要研究了一阶段冷轧与两阶段冷轧+中间退火工艺对初次再结晶组织及织构的影响.结果表明:采用两阶段冷轧+中间退火工艺制备以Cu2S为主抑制剂的取向硅钢,其初次再结晶平均晶粒尺寸为18.1μm,高斯晶粒的体积分数为0.6%,迁移性强的重位点阵晶界(Σ5+Σ9)和高能晶界(20°~45°取向偏差角)所占比例分别为1.8%和50.4%.与一阶段冷轧工艺相比,其初次再结晶晶粒较细,且高斯晶核与特征晶界所占的比例较高,有利于高斯晶粒发生二次再结晶. Two common cold-rolling processes of grain oriented silicon steel and the effects of the single stage cold rolling and tw o-stage cold rolling w ith intermediate annealing processes on the primary recrystallization microstructure and texture w ere investigated. The results revealed that for the grain oriented silicon steel prepared under the tw o-stage cold rolling process w ith intermediate annealing w ith Cu 2 S as the main inhibitor,the average grain size of the primary recrystallization micr... 
2014-02-28 215 5.8

【作者】 党其; ...
2013-11-28 215 5.8

【作者】 杨佳直; ...
2013-01-28 215 5.8

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