硅钢资料

本发明提供了一种无取向电工钢，以质量百分比计，其成分包括C：0.0010～0.0050％，Si≤2.5％，Al≤0.01％，Mn≤0.80％，P≤0.10％，S≤0.0070％，N≤0.0030％，其余为Fe及不可避免的杂质。本发明还提供了一种无取向电工钢的制备方法。本发明提供的一种无取向电工钢，不添加偏析或稀土等贵重元素且磁性能好、成材率高，本发明提供的无取向电工钢制备方法，工艺流程简单、生产周期短、制取成本低，且无需热轧板常化。

本实用新型提供了一种防止冷轧硅钢卷错位的剪切用输送装置，所述支架安装在放置架一侧，所述支架上设有安装块，所述安装块上设有支撑杆，所述支撑杆上设有气缸一，所述气缸一上设有固定片，所述放置架下设有安装块一，所述安装块一下设有万向轮，所述放置架一侧设有通口一，在使用的时候，可以对于冷轧硅钢卷进行剪切，可以防止在剪切的过程中错位，安装的支撑杆，可以用来放置硅钢卷，里面安装的气缸一可以固定硅钢卷的位置，方便进行旋转，外壳内两侧安装的压板可以通过气缸二压住硅钢片，可以防止其在剪切的过程中错位，安装的刀片可以通过滑轨进行前后移动切割，支架与底座之间没有连接，可以在一卷硅钢卷使用完之后进行更换。

本实用新型公开了一种新型取向硅钢薄板，所述硅钢薄板包括薄板主体,薄板主体呈方形,薄板主体的内部具有硅钢基板,所述薄板主体的上部具有耐磨层,耐磨层底部还具有抗压层，耐磨层具有若干均匀分布的耐磨条,耐磨层之间分别等距间隔布置，间隔的耐磨条之间形成透气槽,透气槽具有两个侧边，透气槽底部具有透气通孔,所述透气槽两侧具有导风侧凸条,导风侧凸条具有根部和端部，根部分布在透气槽的底部左侧和右侧位置，所述端部延向透气槽两侧边部上部，所述耐磨条为均匀排列的若干双V型结构，双V型结构纵向排列，耐磨条和抗压层之间具有硬质包覆层，在不影响耐磨作用的前提下能够起到透气通风的效果，不需要增加硅钢薄板的厚度。

一种薄规格中高牌号无取向硅钢酸轧生产工艺，属于无取向硅钢冷轧成型技术领域，该生产工艺在焊接前对焊缝预加热和焊接后对焊缝两次后加热，采用五机架六辊冷连轧机组轧制，其压下率分别为35％‑45％、35％‑45％，30％‑36％，25％‑30％，1％‑10％，第一二冷轧机间、第二三冷轧机间、第三四冷轧机间、第四五冷轧机间的单位张力分别为120‑130KN/mm2、130‑140KN/mm2、150‑160KN/mm2和160‑180KN/mm2，本发明的有益效果是，本发明通过对冷连轧的工艺进行改进优化，提高了薄规格中高牌号无取向硅钢带的轧制效率，提高了同板差的合格率，降低了轧制的断带率和轧烂率。

本实用新型公开了一种直流力矩电机的定子硅钢片固定结构，包括设置于外壳内的硅钢片组，所述硅钢片组的后端被所述外壳的后端的内壁抵顶住，所述硅钢片组的前端被设置于所述外壳前端的可动压圈压紧固定。本实用新型所述的直流力矩电机的定子硅钢片固定结构中，通过在外壳内壁的前端和后端分别设置阶梯台，以对硅钢片组前后两端进行限制抵顶，可令散片形式的多个硅钢片组牢固的设置于外壳之内。

利用场发射扫描电镜观察了以MnS为主要抑制剂的普通取向电工钢加工过程中第二相粒子的分布状态,统计了粒子面密度、平均尺寸以及相应的尺寸分布.结果显示,热轧加工造成了大量第二相粒子弥散、细小地析出,同时基体仍保持过饱和状态.冷轧变形会造成第二相粒子的回溶行为,而基体的过饱和状态会减弱回溶现象.中间退火与脱碳退火过程中会同时存在新粒子的形核及已析出粒子的粗化两个过程,而在最终二次再结晶升温阶段则以第二相粒子明显粗化为主. The distribution of second phase particles in conventional grain-oriented electrical steels during manufacturing processes with MnS as inhibitors was observed by field emission scanning electron microscopy,while the areal particle density,the average particle size and the corresponding size distribution were statistically determined.It is indicated that hot rolling leads to dispersive precipitation of a large amount of fine second phase particles and the matrix keeps a supersaturated state furth... 

本实用新型公开了一种硅钢加热保温装置，包括安装板，所述安装板上表面固定连接有加热箱，所述加热箱背面通过固定板连接有多个伺服电机，所述伺服电机输出端固定连接有第一螺杆，所述第一螺杆远离伺服电机的一端贯穿加热箱并螺纹连接有置物板，所述加热箱内侧壁转动连接有多个第二螺杆，所述第一螺杆与相邻的第二螺杆之间通过锥轮组件相连接，所述第二螺杆外侧壁螺纹连接有螺纹块，所述螺纹块上表面通过连接组件连接有夹板。本实用新型，这种保温方式，操作简单，使硅钢在这个过程中，硅钢裸露在空气的时间短，能够起到较好的保温效果，避免因保温不当造成硅钢成品质量降低，从而有效的提高硅钢成品合格率。

本实用新型公开了一种取向硅钢二轧料氧化镁冷涂装置，包括主体，所述主体的中部安装有架体，且架体的右侧安装有冷涂机构，所述冷涂机构的右端一侧安装有液压气缸，且液压气缸的内壁连接有连接杆，所述架体的前后两端安装有调节架机构，所述调节架机构的表面安装有防护块，且防护块的内壁安装有橡皮套。该取向硅钢二轧料氧化镁冷涂装置设置有冷涂机构，且箱体通过安装有单独喷管和连接喷头，便于使用者两者兼合使用，可使用单独喷管也可连接喷头，使用者可根据自己使用的需求，对单独喷管和连接喷头进行针对性使用，单独喷管通过安装扣将连接喷头进行拼接使用，箱体通过旋转轴与支撑架的旋转，便于将箱体进行角度旋转。

【作者】 刘彤； ...

通过热力学计算与模拟试验研究了含钒钛取向硅钢中氮化物析出相的析出规律与析出行为,并探讨了含钒钛元素的氮化物析出相作为薄板坯连铸连轧流程制备取向硅钢中辅助抑制剂的可行性.研究表明,在所冶炼的含钒钛取向硅钢的成分范围内,Ti N在钢液凝固末期便具备析出的热力学条件,而Al N与VN只可能在凝固后的α+γ或α+Fe3C两相区内析出.含钒钛取向硅钢中氮化物析出相以成分复杂的复合析出相为主,且随着钒钛加入量的增加,钢中抑制剂析出相总的分布密度由于含钒钛元素的氮化物析出相的增加而明显提高,使抑制剂抑制初次再结晶晶粒正常长大的能力得以加强,最终成品的磁感应强度值B8由1.857 T提升至1.898 T.同时,加入不高于0.007%的Ti与不高于0.005%的V不会影响中间脱碳退火工序的脱碳效果以及高温退火净化阶段硫、氮的脱除效果,其形成的含钒钛元素的纳米级氮化物析出相适合作为薄板坯连铸连轧流程制备取向硅钢的辅助抑制剂. The precipitation behavior of nitride precipitates in grain-oriented silicon steel containing vanadium and titanium elements produced by thin slab casting and rolling process was studied by thermodynamic calculation and simulation experiment. The feasibility of nitride precipitates containing V and Ti elements as auxiliary inhibitors was also investigated. It is found that Ti N is likely to precipitate at the final stage of solidification in the grain-oriented silicon steel,but VN and Al N can p... 

本发明揭示了一种无取向硅钢及其生产方法。所述生产方法包括：按照Si0.8～1.1％、Mn0.2～0.4％、不添加Sn和Sb进行炼钢，并制坯；将铸坯加热到1060～1120℃并保温150min以上，而后轧成厚度40～45mm的中间坯，再经精轧、卷取得到厚度为3.00±0.25mm的热轧卷板，精轧开轧温度≤872℃+1000*(11*[Si]‑14*[Mn]+21*[Al])；精轧终轧温度≤820℃，卷取温度≤560℃；常化、酸连轧，得到厚度为0.500±0.005mm的冷硬卷，常化温度850～900℃；成品退火温度820～880℃，退火后经冷却、涂层和精整，得到无取向硅钢。

针对硅钢连续生产线设备存在的故障、隐患以及精度等影响产品质量的问题进行分析及改造,实现保证生产线设备稳定运行、提高设备精度及硅钢产品质量的目的。 This paper analyzes and transforms the electrical equipment failures, risks existed in slicon continuous production line, and the effect of accuracy to product quality, in order to ensure stable operation of equipment in production line and improve the accuracy of device, quality of silicon.