钢厂
CN202110018300.2控制无取向硅钢边部黑线的生产方法
本发明公开了一种控制无取向硅钢边部黑线的生产方法,涉及硅钢轧制工艺领域。本发明提供的方法缩小加热区的装钢间距,降低粗轧冷却水量,并减小R1第一道次侧压量,增大R2末道次立辊侧压量,调整精轧区侧导板和卷取区侧导板的开口度,减少或消无取向硅钢边部黑线。本发明提供的生产方法控制了热轧卷边部翘皮黑线问题,将热轧卷出现边部黑线的概率由之前的60%以上降低至现在的3%以下,热轧及冷轧卷的表面质量得到了明显提升,酸洗裁剪量减小,成材率明显提升,冷轧过程的轧制稳定性也明显提升。
普通冷轧取向硅钢中间完全脱碳退火工艺的确定
为了确定普通冷轧取向硅钢最优的中间完全脱碳退火工艺,在其一次冷轧后进行5种不同工艺的脱碳退火处理,借助扫描电镜及电子背散射衍射技术研究了不同工艺脱碳退火后的组织、织构和脱碳效果。结果表明:经5种工艺脱碳退火处理后,初次再结晶的平均晶粒尺寸均约为19μm,且不随退火温度和时间的变化而变化;经840℃×10min工艺退火后的晶粒最均匀,高斯织构位向更准确,高斯织构面积分数最多,为3.1%,可将碳脱至0.003 5%。 In order to determine the optimal intermediate complete decarburizing annealing processes for common grain-oriented(CGO)silicon steel,five kinds of intermediate decarburizing annealing processes were conducted,the microstructure,texture and decarbonization after different decarburizing annealing processes were studied by scanning electron microscopy and electro back-scattered diffraction(EBSD)technology.The results show that the average grains sizes of primary recrystallization were about 19μm a...
CN202110413499.9一种激光刻痕降低取向硅钢铁损的制造方法
本发明公开了一种激光刻痕降低取向硅钢铁损的制造方法,采用0.23‑0.35mm厚取向硅钢作为原材料,钢带在拉伸热平整线出炉后进行激光刻痕处理,细化磁畴,进而降低取向硅钢成品铁损值,达到优化磁性能的目的。本发明的激光刻痕处理后取向硅钢的铁损改善率可达到9‑16%,且经过500℃以上退火后,铁损又恢复到刻痕前状态。
CN202110219142.7快速判断取向硅钢初次再结晶晶粒直径的方法
本发明涉及取向硅钢制造技术领域,公开了一种快速判断取向硅钢初次再结晶晶粒直径的方法,包括如下步骤:选取取向硅钢热轧来料,进行生产,对产出的钢板在同部位各取若干个拉伸试样,加工拉伸和分析,取得屈服强度,在拉伸试样部位两侧连续制取金相试样,计算对应拉伸试样的平均晶粒直径D,将性能数据和平均晶粒直径进行统计分析,建立屈服强度与晶粒直径的对应关系,实际生产时,在产出的钢板上取判断试样,取得判断试样的屈服强度,进而取得判断试样的晶粒直径。本发明快速判断取向硅钢初次再结晶晶粒直径的方法,通过机械性能检验,来间接指示初次晶粒的大小,检测速度快,评价更准确。
CN202110137389.4一种强磁性取向高硅钢极薄带及其制备方法
本发明提供了一种强磁性取向高硅钢极薄带及其制备方法,属于电工钢制造领域,所述强磁性取向高硅钢极薄带包括以下质量百分比的元素:C:0.0045%~0.0060%、Si:4.5%~5.0%、Mn:0.23%~0.32%、S:0.02%~0.03%、Bi:0.03%~0.08%、Als:0.027%~0.035%、Cu:0.02%~0.03%,N:0.008%~0.010%,P<0.005%,其余为铁,其中所述Cu、S、N元素在熔炼时以含硫氮和铜的多核配位化合物的方式加入所述高硅钢;本发明通过对取向高硅钢的原料组分进行设计,采用含硫氮和铜的多核配位化合物和Bi元素作为合金抑制剂,所制得的强磁性取向高硅钢极薄带晶粒细小,组织均匀,具有高磁感应强度,低铁损的优良磁性能。
CN202011597301.9一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法
一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法:将取向硅钢样品加工成俄歇电子能谱仪标准试样;对标准试样进行表面清理;充氢:将标准试样所设定的预设断口处放入充氢装置的含硫脲溶液中,并使取向硅钢样品为阴极;将铂片置入并作为阳极;阴极充氢电流为1.25~1.35A,充氢电流密度在0.1~0.8A/m2,充氢时间在12~50h,充氢电压为36~39V;进行表面分析。本发明不仅工艺简单,便于操作,用时短,所用毒化剂是硫脲,从而避免了采用剧毒的三氧化二砷作为毒化剂,对人体健康有极大威胁的问题,且所获得的取向硅钢断口均为典型沿晶断口,适用于取向硅钢晶界偏聚行为以及晶界微区成分分析。
CN202110347327.6改善含Cu高强度无取向硅钢冷轧质量的方法
本发明涉及无取向硅钢生产技术领域,公开了一种改善含Cu高强度无取向硅钢冷轧质量的方法,包括如下步骤:A)含Cu高强度无取向硅钢热轧卷化学成分(wt,%):Si:2.0~3.5%,Als≤1.5%,Cu:1~3%,其他为Fe,Als,Mn以及不可避免的杂质元素,对热轧卷进行常化酸洗处理,常化温度T常满足:T常≤1620‑(0.5Als+1.5Si+Cu)%×104,单位℃;B)将常化后的热轧卷在电磁感应加热炉内进行加热;C)在冷轧机组开卷机进行开卷,冷轧第一道次开卷温度T冷轧满足:1.5×(Si+Cu)%×103‑T室温≤T冷轧≤40+2×(Si+Cu)%×103,单位℃,式中,T室温为室温;D)按照4‑6道次冷轧到目标厚度。本发明改善含Cu高强度无取向硅钢冷轧质量的方法,在采用传统常化工艺路线,保证较高的强度和磁性水平前提下,改善冷轧质量,提高成品成材率。
退火温度对双辊连铸无取向硅钢组织的影响
利用光学显微镜、TEM和EBSD研究了退火温度对双辊连铸无取向硅钢再结晶组织的影响。结果表明,900℃退火后组织分布不均匀,有大量带状组织,平均晶粒尺寸29.5μm。提高退火温度,晶粒尺寸增大,组织均匀化程度增加,1050℃退火时,带状组织基本消失,平均晶粒尺寸42.2μm。 Effect of annealing temperature on recrystallization microstructure of non-oriented electrical steel produced by twin-roll casting process was investigated using OM,TEM and EBSD.The results show that the recrystallization microstructure is uneven because of many banded grains existing,average grain size is 29.5 μm.With annealing temperature increasing,the recrystallization grain size increases,microstructure becomes more homogeneous.When 1050 ℃ annealing,the banded structure almost disappear and...
CN202110199739.X一种含铝无取向硅钢中残余元素的控制方法
本发明公开了一种含铝无取向硅钢中残余元素的控制方法。工艺流程包括KR脱硫‑转炉冶炼‑RH处理‑连铸。转炉控制合理的炉料结构,采用多渣吹炼,挡渣出钢。所用废钢中Ti、V、Nb等残余元素的质量分数之和≤0.005%,废钢和铁水的比例为0.2‑0.3。转炉吹炼终点炉渣成分中Ti、V、Nb等残余元素的氧化物含量之和为0.1‑0.5%,出钢后钢包顶渣厚度为50‑60mm;RH脱碳、脱氧、合金化后,净循环时间≤5min。通过本发明的实施,含铝无取向硅钢成品中Ti、V的含量≤0.002%,Nb含量≤0.001%,硅钢的磁性能显著提高。
CN202080089003.0取向电工钢板及其制造方法
根据本发明的一个实施例的取向电工钢板的制造方法,其包含:对板坯进行热轧,以制造热轧钢板的步骤;对热轧钢板进行热轧板退火的步骤;对热轧板退火后的热轧钢板进行一次冷轧的步骤;对一次冷轧后的钢板进行一次脱碳退火的步骤;对完成脱碳退火的钢板进行二次冷轧的步骤;对完成二次冷轧的钢板进行二次脱碳退火的步骤;以及对二次脱碳退火后的钢板进行连续退火的步骤。
CN202180026905.4电磁钢板、层叠铁芯及旋转电机
该电磁钢板为母材钢板的其中一个或两个表面中的至少一部分被具有接合能力的绝缘被膜覆盖的电磁钢板,所述绝缘被膜的25~100℃的温度范围的对数衰减率为0.3以下。
CN202122739490.5一种硅钢片制作用防止硅胶泄露结构
本实用新型公开了一种硅钢片制作用防止硅胶泄露结构,包括运行组件与固定密封组件,所述运行组件的内侧壁设有固定密封组件,所述运行组件包括板体、第一凹槽、壳体、硅钢片、支撑板、连接块、密封圈、防护板和通孔,所述板体的内侧壁开设有第一凹槽,所述第一凹槽的内部设有壳体,所述壳体的内侧壁设有硅钢片,所述硅钢片的两侧相互对称焊接有四个连接块,四个所述连接块相斥一侧均贴合于第一凹槽的内侧壁,本实用新型首先通过硅钢片两侧密封圈保障密封效果,设置的橡胶管起到二次密封防护作用,并借助其内部的弹簧及U型板实现防偏移的效果,最后一方面可以在壳体相邻组件内侧加胶并且提高其内部硅钢片的厚度,以此实现多重密封防漏。

