硅钢资料

本实用新型涉及一种改进的点火器线圈硅钢片结构，包括E型件和I型件，所述E型件和I型件组合成日字形，它们可相互转动；所述E型件包括竖边和设置在竖边三个横边，三个横边分别为上横边，中横边和下横边，它们分别与竖边垂直连接；其中所述竖边的转角位置圆角处理，竖边外侧为弧形边；所述上横边的端面设置插缝；所述中横边的端头设置凹部；所述下横边的端头设置凸部；所述I型件上端两侧对称设置凹台；所述凹台具有弧形凹边；所述I型件通过凹台设置在插缝可以旋转。本实用新型设计新颖，改进巧妙，由于E型件具有弧形边可以有利于拾取，方便工作操作，E型件和I型件采用插合的方式，整体结构稳定，便于安装，增加了组合体的稳定性。

本发明公开了一种弧形硅钢片、弧形硅钢片治具及弧形硅钢片制造方法；弧形硅钢片治具包括压制底板和侧挤压板，压制底板和侧挤压板之间具有挤压间隙，挤压间隙的两侧分别设置有位于压制底板内侧的外挤压面和位于压制底板外侧的内挤压面，外挤压面和内挤压面的对应位置上开设有若干齿槽加工台阶，压制底板的下方开设有若干与挤压间隙连通的焊接孔，压制底板和侧挤压板的侧面对应位置设置有贯穿压制底板和侧挤压板的冲压模孔；通过弧形硅钢片制造方法，采用弧形硅钢片治具制成弧形硅钢片。本发明采用弧形硅钢片治具及弧形硅钢片制造方法实现动子中弧形硅钢片的压制成型，通过弧形硅钢片实现直线电机的圆周运动或圆弧运动。

本发明涉及一种硅钢片叠装用上料系统，包括放置板，设置于硅钢片横剪线的出料端处，用于接收硅钢片并堆放；供料板，设置于硅钢片叠装线的上料端处，用于接取放置板并对进行初定位；输送单元，设置于硅钢片横剪线的出料口处，用于放置板并实现放置板的输送；转运单元，设置于输送单元的出料口处，用于接取放置板并将放置板输送给供料板；上料单元，设置于硅钢片叠装线的上料端处，用于接取供料板并为硅钢片叠装线进行供料。本发明的优点在于：通过放置板、供料板、输送单元、转运单元、上料单元之间的相互配合，从而将硅钢片横剪线裁切好的硅钢片送至硅钢片叠装线处进行叠装，整个过程无需再由人工搬运，大大降低了人工劳动。

本发明涉及磁悬浮电机轴硅钢片叠压领域，尤其涉及一种永磁电机内嵌式硅钢片的叠压装置、叠压工装及方法和磁悬浮鼓风机。该装置包括带槽钢板和多个长钢板；带槽钢板设置有转轴孔，转轴孔面积大于电机转轴套合硅钢片部分的截面积并且被电机转轴穿过；多个长钢板底端分别与带槽钢板相连接，并且带槽钢板上表面与硅钢片相贴合；多个长钢板竖直分布并且其分布位置与硅钢片中的多个磁钢槽相对应，长钢板外表面与硅钢片中的磁钢槽相配合。该装置通过对硅钢片的磁钢槽进行定位，保证叠压后的硅钢片的磁钢槽对齐，提高硅钢片内嵌磁钢质量。

一种冷轧硅钢生产线的带钢卷曲控制装置，由卷取机、导向辊、液压站、伺服阀及其油缸、计算机控制系统、卷取机位移传感器和带钢边部位置探测器组成的卷曲机系统，该系统在带钢辊道的两侧各装有一个带钢边部位置探测器，以分别检测带钢的两个边缘在辊道上的位置，其检测信号分别传送到计算机控制系统中去。计算机控制系统可对两个带钢边部位置探测器输入的信号进行带钢的中心位置计算，并与卷取机位移传感器输入的卷取机中心位移信号进行比较，根据比较结果控制油缸的推杆推动卷取机移动，以使卷取机的卷曲中心与带钢的中心线保持一致。本发明的有益效果是：实现了使卷取机的卷曲中心与带钢的中心线保持一致，因而不再切边，提高了带钢的成材率。

1.本外观设计产品的名称：硅钢片。;2.本外观设计产品的用途：多片硅钢片用来共同组成马达的转子的其中一个部件。;3.本外观设计产品的设计要点：在于本外观设计产品的形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。;

本发明公开了一种高磁感取向硅钢实验室轧机一次冷轧方法，包括：1)取样，实验室冷轧材料选取经过常化酸洗后的厚度为2.3mm的取向硅钢试样；2)制样，利用取向硅钢专用剪板机，裁剪试样尺寸为轧向600mm×横向150mm；将试样表层轻涂一层薄薄的轧制油；3)冷轧轧制规程制定，轧前厚度为2.3mm；其中：轧制总道次为6次时轧后厚度为0.35mm，轧制总道次为7次时轧后厚度为0.27mm，轧制总道次为8次时轧后厚度为0.23mm。本发明的目的是提供一种高磁感取向硅钢实验室轧机一次冷轧方法，为工业试制提供一定的技术参考，以及后续工艺研究提供了更加可靠的试样和条件。

本实用新型公开了一种基于单片机的硅钢片卷料收卷装置，涉及硅钢片生产技术领域。本实用新型包括底板，底板的上表面固定连接有固定板，固定板的右侧面开设有第一滑动槽，第一滑动槽连接有移动模块，移动模块固定连接有限位杆，底板滑动连接有移动板，移动板开设有第二滑动槽，第二滑动槽滑动连接有第二移动块，限位杆与第二移动块滑动连接，固定板的右侧面转动连接有转动杆，底板的上表面固定安装有转动电机，转动杆穿过移动板与转动电机通过传动模块连接。本实用新型通过转动电机带动转动杆旋转对硅钢片进行收卷工作，通过调整固定板和移动板的间距防止硅钢片收卷不齐平，通过调整限位杆的间距对收卷后的硅钢片进行限制，防止硅钢片松散导致收卷不规则。

本发明公开了一种改善取向硅钢边部变形的热处理辅助方法，在高温退火工序前，在钢卷的下端预设位置处放置阻热环并固定；在高温退火完成后，拆除固定件并移除所述阻热环。本发明通过施加阻热环，降低了取向硅钢卷在高温退火过程中的升温速率，降低了钢卷在升温及冷却过程中的胀缩量，有效改善了边部变形情况。同时，本发明由于采用一体式隔热材料，其装配及移除难度大幅度降低，有利于推广应用。

本发明涉及一种用于伴随用于生产非晶粒取向的电工钢带的热处理来加工含硅冷轧钢板的方法，其中，钢板2所含硅的重量比例在1.5％和6％之间，并且其中，钢板以带形状态提供并且在热处理期间在连续的过程中运动通过具有加热区域、保持区域和冷却区域的退火设备，其中，钢板在退火设备3沿垂直的主运送方向运动。

对低温加热工艺生产的普通取向(common grain-oriented,CGO)硅钢的高温退火过程进行了中断实验,材料为含3.0%Si、0.5%Cu、0.009 8%S(均为质量分数)的以Cu2S为主抑制剂的普通取向CGO钢。原始板坯厚度为230 mm,于1 200℃均热后经4道次粗轧、7道次精轧至2.3mm;热轧板采用两次冷轧法轧至0.3mm,中间完全脱碳退火,最后于1 200℃高温退火。最后样品的磁性能:铁损P17/50为1.182W/kg,磁感应强度B8为1.897T。借助配有EDAX OIM电子背散射衍射(EBSD)系统的ZEISS SUPRA 55VP扫描电子显微镜,对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究,结果表明:升温过程中晶粒尺寸增长缓慢,650℃时取向分布函数(ODF)图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角小于9°;950℃时高斯晶粒平均生长速度超过其他晶粒;950~1 000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角降至约3°;在950℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势。 The high-temperature annealing process of common grain-oriented(CGO)silicon steel was investigated by interrupting test.The samples were rolled from CGO silicon steel slab under low reheating temperature.The CGO silicon steel,taking Cu2S as the main inhibitor,contains3.0%Si,0.5%Cu,and 0.0098%S.The original casting slab is 230mm in thickness.After 1 200℃reheating,four-pass rough rolling and seven-pass finish rolling were conducted to make the thickness of the slab get to 2.3mm.Then the hot rolled... 

为了确定普通冷轧取向硅钢最优的中间完全脱碳退火工艺,在其一次冷轧后进行5种不同工艺的脱碳退火处理,借助扫描电镜及电子背散射衍射技术研究了不同工艺脱碳退火后的组织、织构和脱碳效果。结果表明:经5种工艺脱碳退火处理后,初次再结晶的平均晶粒尺寸均约为19μm,且不随退火温度和时间的变化而变化;经840℃×10min工艺退火后的晶粒最均匀,高斯织构位向更准确,高斯织构面积分数最多,为3.1%,可将碳脱至0.003 5%。 In order to determine the optimal intermediate complete decarburizing annealing processes for common grain-oriented(CGO)silicon steel,five kinds of intermediate decarburizing annealing processes were conducted,the microstructure,texture and decarbonization after different decarburizing annealing processes were studied by scanning electron microscopy and electro back-scattered diffraction(EBSD)technology.The results show that the average grains sizes of primary recrystallization were about 19μm a...