硅钢资料

试验研究了0.3 mm取向硅钢冷轧板(/%:0.046C,3.07Si,0.09Mn,0.029P,0.004S,0.005A1)的退火温度(760~880℃7 min)和退火时间(820℃3~9 min)对该钢的晶粒尺寸,再结晶和织构的影响。结果表明,最佳初次再结晶退火工艺为820℃5 min,该钢的平均晶粒尺寸为14.20μm,完全再结晶率为92%,不利{111}<110>结构含量为3.16%,有利织构{111}<112>,{012}<001>和高斯织构含量分别0.40%,4.73%和2.46%。 The effect of annealing temperature(at 760 ~ 880 X.for 7 min) and time(at 820℃ for 3~9 min) on grain size,recrystallization rate and texture of 0.3 mm cold-rolled sheet of oriented silicon steel(/%:0.046C,3.07Si,0.09Mn,0.029P,0.004S,0.005Al) has been tested and studied.Results show that with optimum recrystallized annealing at 820℃ for 5 min,the silicon steel average grain size is 14.20 fun,the complete recrystaUization rate is 92%,the unfavourable-texture {111}< 110 > content in steel is ... 

本发明公开了一种变压器硅钢片回收检测装置，包括检测传送带、防层叠机构、CCD摄像头、分料传送带、合格料箱和不合格料箱，所述防层叠机构和图像提取机构沿检测传送带传送方向依次布置，所述防层叠机构包括剥离辊，所述剥离辊及CCD摄像头均位于检测传送带上方，剥离辊与检测传送带向靠近的一面移动方向相反，分料传送带位于检测传送带后方，合格料箱与不合格料箱位于分料传送带后方，本发明能够将回收的硅钢片进行一一的快速检测，并对检测结果进行分类，检测效率高。

本发明涉及变压器硅钢片冲裁加工技术领域，具体涉及一种变压器硅钢片制造成型加工机械及加工方法，包括垫板、冲裁装置和进料装置，所述的垫板上安装有冲裁装置，冲裁装置上安装有进料装置；本发明可以解决变压器硅钢片在冲裁成型时存在的以下难题：一、在通过冲裁设备对变压器硅钢片进行冲裁作业时，由于变压器硅钢片大多没有进行稳定的定位作业，使得变压器硅钢片冲裁时产生偏差，降低了变压器硅钢片的冲裁质量，若使用定位机构进行定位处理，还会额外增加操作时间，降低了加工效率；二、需要人工进行送料作业，由于人工送料的间距难以控制，导致变压器硅钢片的冲裁位置发生偏差，造成变压器硅钢片的浪费。

研究了CSP工艺生产≤0.005%C-1.1%Si的2.2mm无取向电工钢热轧板在800～1000℃常化对0.5mm冷轧板840℃退火后组织和磁性能的影响。结果表明,热轧板常化温度升高,冷轧板退火后的再结晶晶粒增大,铁损降低,磁感增加;热轧板常化温度超过900℃,因第二相固溶而后弥散析出,退火后冷轧晶粒细化,铁损增加,因此该无取向电工钢热轧板最佳常化温度为900℃。 The effect of normalizing at 800-1000℃ of CSP produced plate(≤0.005%C-1.1%Si) on the microstructure and magnetic properties of downstream cold-rolled non-oriented electrical steel annealed at 840℃ was studied.Results show that with increasing normalizing temperature of hot-rolled material the recrystallized grain size of annealed sheet increases,iron loss reduced and magnetic induction increases.As normalizing temperature excesses 900℃,grain is refined and iron loss increases after annealing due... 

介绍了电工钢生产线连退机组的表面处理工艺,特别是电解清洗系统的工作机理、设备构造、生产工艺及各种影响因素。 This paper introduces the technology of surface treatment of continuous annealing unit in electrical steel production line,in particular the working mechanism,structure of equipment,production techniques and various influence factors of the electrolytic cleaning system. 

本发明涉及电磁钢板技术领域，尤其涉及一种免涂层高碳高强耐蚀电磁钢板及其生产方法。所述电磁钢板按重量百分比计，包括如下组分：C为0.010％～0.150％，Si为1.30％～2.50％，Mn为0.50％～1.50％，P为0.04％～0.15％，S≤0.015％，Cr为0.10％～1.50％，Cu为0.2％～0.6％，Al为0.10％～1.50％，Sn为0.02％～0.10％，Ni≤0.0050％，Nb≤0.0050％，Ti≤0.0050％，N≤0.0050％，V≤0.0050％，其余为Fe和不可控残余元素。所述钢板生产方法包括如下步骤：1)板坯浇铸；2)板坯连轧及卷曲；3)热轧卷酸洗及冷轧；4)罩式退火；5)钢卷矫直或拉矫。本发明所生产专用产品在电磁性能相近情况下，强度进一步提升、耐蚀性能提高、生产流程缩短、生产难度下降，减少了涂层工序，降低了生产成本，同时不同盐雾试验锈蚀减少85％以上。

【作者】 罗海文； 向睿； ...

本发明提供虽然为薄壁但磁特性优异的方向性电磁钢板的制造方法。本发明的一个方案提供一种方向性电磁钢板的制造方法，其包括热轧工序、任选的热轧板退火工序、酸洗工序、冷轧工序、一次再结晶退火工序、成品退火工序和平坦化退火工序，在酸洗工序中，使用包含0.0001g/L～5.00g/L的Cu的酸洗溶液，冷轧钢板的板厚为0.15mm～0.23mm，一次再结晶退火工序的升温工序中的30℃～400℃的温度区域的平均升温速度超过50℃/秒且为1000℃/秒以下。

本实用新型公开了一种硅钢片加工装置，涉及硅钢片加工领域，包括底板，所述底板的上方左右两端固定连接有液压伸缩杆，所述液压伸缩杆的顶部固定连接有连接板。该硅钢片加工装置，可灵活调节两组打孔机之间的距离，可使用该加工装置加工出不同孔距的硅钢片，也即可加工出所需不同种类的硅钢片，加工灵活性强，使用范围广泛，通过开启电机，最终可使得两组打孔机同时进行向内侧或外侧进行移动，实现调节硅钢片两组打孔的位置。

本发明公开了一种取向硅钢实验室常化工艺方法，采用两段式常化工艺，可以模拟现场常化生产，为现场批量生产提供有效的工艺参考，缩短现场调试工艺次数和废品率、次品率，降低制造成本。

本实用新型公开了一种硅钢炉用保护气的循环系统，包括与硅钢炉群排气管相连通的氢气提纯净化单元、与氢气提纯净化单元相连的氮氢配比单元以及与氮氢配比单元相连的用于对氮氢混合气中加入水蒸气的加湿单元；所述加湿单元与硅钢炉群的进气管相连通。本实用新型便于对尾气中的氢气回收再利用，可节省资源。本实用新型适用于硅钢退火炉等设备中，用于实现氢气的循环再利用。

含铜抑制剂作为取向硅钢的主抑制剂或辅助抑制剂不仅可以抑制初次晶粒的长大,促进二次再结晶,还可以降低铸坯的加热温度。取向硅钢中主要抑制剂为10～50 nm Cu₂S,在钢的铸坯、热轧、冷轧、脱碳等工艺过程均可析出;（Cu,Mn）_1.8S、Cu_1.8S、ε-Cu等主要作为辅助抑制剂,尺寸一般为30～50 nm（或大于50 nm）,主要在热轧阶段析出。总结了国内外有关取向硅钢中含铜抑制剂析出行为的研究进展,当前主要研究不同生产流程和工序中含铜抑制剂的析出行为和作用机理。 As main inhibitor or auxiliary inhibitor for grain-oriented silicon steel,the particles of inhibitor bearing copper not only inhibit the primary crystal growing and promote the secondary recrystallization,but also decrease the heat temperature of casting slab.The main inhibitor for grain-oriented silicon steel is 10～50 nm Cu₂S,which precipitate in process and procedure including steel casting slab,hot rolling,cold rolling and decarburizing process,while the 30～50 nm or more than 50 nm...