钢厂
CN202121977192.3一种硅钢片堆叠移送装置
本实用新型涉及硅钢片堆叠输送技术领域，具体涉及一种硅钢片堆叠移送装置，本实用新型的硅钢片堆叠移送装置在底座上形成用于堆叠硅钢片的叠置区，叠置区内设置有可上下移动的托料部，推料部设置在叠置区的一侧，若干个硅钢片堆叠到托料部上，托料部上下移动至其与挡部之间的高度为预设高度后，推料部将托料部和挡部之间的若干个硅钢片推出，实现定量堆叠硅钢片，移料机械手再将推出的硅钢片移送至传送带上，托料部可托举剩余的硅钢片朝上移动，方便推料部复位，本实用新型的硅钢片堆叠移送装置能够代替人工分拣堆叠硅钢片，提高工作效率，并且通过设定托料部与挡部之间的高度实现固定数量的硅钢片堆叠分拣，精确度高。
CN202110398108.0一种硅钢片冲剪设备及冲剪工艺
本发明实施例涉及一种硅钢片冲剪设备及冲剪工艺，该设备包括冲床、送料台、第一刀模、第二刀模和第三刀模；送料台用于传送待加工的硅钢条；第一刀模用于冲剪硅钢条以在硅钢条上形成预设形状的第一凹槽，第一凹槽处构成“工”字形硅钢片的一侧凹部；第二刀模用于冲剪硅钢条以在硅钢条上形成预设形状的第二凹槽，第二凹槽与所述第一凹槽相对应，第二凹槽处构成“工”字形硅钢片的另一侧凹部，第二刀模与硅钢条在硅钢条的横向方向上能够产生预设距离的相对位移；第三刀模用于沿硅钢条的横向方向剪断硅钢条。该设备能够采用硅钢片低成本、高效率地制造“工”字形硅钢片。
CN202011484475.4一种改善硅钢热轧板边部质量的加工方法
本发明属于硅钢制造技术领域，具体涉及一种改善硅钢热轧板边部质量的加工方法，包括：连铸、铸坯预变形处理、铸坯加热处理和热轧处理；其中，所述铸坯预变形处理包括：在所述铸坯的温度为500～900℃下，对所述铸坯的沿长度方向的两侧壁通过立辊施加压力，直至形变量h为10～50mm；所述铸坯加热处理的加热温度为1100～1200℃，保温时间为4～6h。本发明提供的改善硅钢热轧板边部质量的加工方法，采用铸坯两侧壁的侧压工艺，有效解决了热轧板边部裂纹的缺陷，提高了边部塑性，提高了成材率并降低了生产成本。
CN202110008865.2一种通过粉末烧结制备高磁性能含磷硅钢薄片的方法
一种通过粉末烧结制备高磁性能含磷硅钢薄片的方法，属于粉末冶金技术领域。本发明通过真空熔炼气雾化制备成分范围为Fe‑(3‑6.5)wt.％Si‑(0.05‑1)wt.％P的合金粉，将其放置在陶瓷坩埚中均匀振实并放置重物压住，随后进行高温烧结使其冶金结合，再经热轧、冷轧、退火等处理后，得到具有优异性能的含磷硅钢薄片。本发明在硅钢材料体系中加入P元素，能够有效降低铁损、优化磁性能并促进活化烧结；采用气雾化粉末能够很好地保证产品的少夹杂和纯净度；在低熔点P元素及粉末压烧的协同作用下解决了球形气雾化粉末难以成形的缺陷，并避免了需添加成形剂导致的工艺复杂性及后续的脱胶残碳问题，有效缩短制备工艺流程，具有操作简单、生产效率高、工艺流程短、性能优异等优点。
CN202122178858.5一种带有可回收再利用功能的冷轧硅钢卷捆扎装置
本实用新型提供了一种带有可回收再利用功能的冷轧硅钢卷捆扎装置，底座上设有安装块一，加紧装置一安装在安装块一上，加紧装置一包括外壳，外壳内设有凹槽一，凹槽一内设有通口，凹槽一内设有气缸，气缸一端设有夹块，气缸一侧设有挡板，挡板安装在凹槽一上，外壳上设有凸块，硅钢卷进行捆扎，可以重复利用，加紧装置一与加紧装置二可以把硅钢卷两端进行固定吗，里面安装的气缸可以加紧硅钢卷，安装的吸盘可把加紧装置二的位置提高，方便进行固定上端，安装的承重块可以起到防止倾斜的作用，在不使用的时候加紧装置一与加紧装置二之间可以通过卡扣之间的连接进行固定。
CN202110777440.8一种适应高频率工况下低铁损无取向电工钢及其生产方法
本发明公开了一种适应高频率工况下低铁损无取向电工钢及其生产方法，所述生产方法包括以下步骤：钢水连续浇铸成板坯—热轧—正火—酸洗—冷轧—连续退火—涂绝缘涂层并固化；所述冷轧步骤中，采用六辊单机架往复式轧机经5道次一次冷轧至目标厚度，冷轧过程中前三道次采用变速异步轧制方法，使钢板表层在剪应力作用下位错密度增加，这样在退火后表层晶粒尺寸细化而心部晶粒粗大，通过本发明的方法可生产得到心部为粗大等轴晶粒，表层为纳米级细等轴晶粒的电工钢产品，该产品的铁损P1.5/50≤2.35W/kg，P1.0/400≤14.0W/kg。
CN202111652218.1一种高硅钢材料及其制备方法
一种高硅钢材料的制备方法，步骤包括靶材、金属基材表面清理；排除密闭容器内空气、通保护气；双辉光等离子预轰击靶材和基材，净化表面；等离子溅射、加热、保温；缓慢冷却取出。预轰击靶材、基材，去除表面吸附层、活化基材，交替升高基材电压、靶材电压，使靶材中的合金元素被离子轰击而溅射出来、扩散进入基材内部形成表面高硅钢层。“双辉光等离子表面冶金技术”制备高硅钢的工艺简单易行、可控性高、成本低、无污染且基体和表面的结合力高，适合大规模产业化生产；更重要的是该方法采用交替离子轰击、扩渗速度快，结合强度高，得到硅含量均匀分布或呈梯度分布的高硅钢材料，为制备更高品质的无噪音、低铁损的高硅钢产业化奠定基础。
D21硅钢芯片冲压工艺分析及模具设计
变压器D21硅钢铁芯片采用冲压工艺生产。首先对其工艺进行了分析,确定了冲压方案。对产品进行了排样设计,计算了冲压力,确定了压力中心。然后,设计了单工序落料模具,完成了模具装配图。 D21 silicon steel chips for transformer are produced by stamping.First,its stamping process was analyzed and the scheme of the stamping process was determined.The product layout was designed,the punching pressure was calculated,the pressure center was determined.Then,the blanking die with single procedure was designed,the die assembly drawing was completed.
