钢厂
CN202111121416.5一种低铝无取向硅钢结晶器液面波动的控制方法
本申请公开了一种低铝无取向硅钢结晶器液面波动的控制方法,包括:步骤1:KR脱硫,脱硫后铁水硫含量≤0.0015%;步骤2:转炉吹炼,转炉出钢后钢包顶渣厚度≤30mm;步骤3:RH真空处理,RH脱碳结束后,加入铝粒脱氧后钢液循环3‑5min,提升气体流量至0.8‑1.0m3/(h·t);随后加入合金进行脱氧合金化,提升气体流量至0.5‑0.7m3/(h·t);步骤4:连续浇注,长水口氩气流量150‑200L/min,连铸塞棒氩气流量5‑10L/min,背压≥0.05bar。本申请的控制方法控制结晶器液面波动≤±1.5mm的比例稳定在90%以上。
获得抑制剂法生产低温高磁感取向硅钢的抑制剂控制研究进展
综述了国内外大钢铁企业与研究机构采用获得抑制剂法生产低温高磁感取向硅钢的开发及应用情况,分析了以该法生产高磁感取向硅钢过程中抑制剂的控制技术,包括固有抑制剂组成方案、气态渗氮方式与工艺及高温退火工艺的制定.研究表明,固有抑制剂组成方案的设计思路大体一致,化合物抑制剂以AlN为主、硫化物为辅,同时添加少量Sn,Sb等单元素抑制剂,但组成元素含量存在一定差别;在脱碳退火后用NH3进行非平衡渗氮处理已成为气态渗氮的主要方式,但最佳方式仍未明确,具体选择需依据实际生产条件,相应脱碳及渗氮工艺的控制条件差别较大;高温退火工艺中升温制度差别不大,升温阶段退火气氛中N2含量的选择存在差别.此外,分析了抑制剂控制技术目前存在的关键问题,并指出了进一步的研究方向. The current application and exploitation on production of low-temperature high magnetic induction grain-oriented silicon steel with acquired inhibitor method at both iron and steel enterprises and research institutions in the world are reviewed. The control techniques of inhibitors, which include the composition design for inherent inhibitors, nitriding method and process, and secondary recrystallization annealing, are thoroughly analyzed and proposed. It is indicated that the design ideas for i...
CN202111616384.6一种降低无取向硅钢W800头部窄尺的控制方法
本发明公开了一种降低无取向硅钢W800头部窄尺的控制方法,步骤1、筛选板坯长度,并使板坯进入加热炉后头部均朝向轧机方向;步骤2、控制板坯头部温差小于10℃;步骤3、固定粗轧到精轧区间内的轧机机架轧制速度;步骤4、固定相变机架,使板坯的奥氏体‑铁素体相变发生在F2和F3机架中;步骤5、调整精轧机架间的负荷分配,降低F2和F3机架的压下量;步骤6、调整活套张力,降低F2和F3机架的活套单位张力补偿;步骤7、降低模型AGC增益,降低F2和F3机架的AGC补偿的辊缝波动量。本发明通过控制固定相变机架、优化相变机架的负荷分配、AGC补偿系数、活套张力等,使秒流量保持平衡,减少无取向硅钢W800头部窄尺。
CN202110288598.9一种取向硅钢热轧钢带的板形控制方法
本发明涉及一种取向硅钢热轧钢带的板形控制方法,所述取向硅钢热轧钢带的工艺流程包括铸坯加热过程、轧制过程及层流冷却过程;其中轧制过程中采取取向硅钢与普钢交叉轧制的方式;粗轧过程采取R1轧制1道次、R2轧制5道次的1+5轧制工艺,并控制轧制工艺参数;精轧过程中控制F1~F7轧制工艺参数。本发明通过设定合理的交叉轧制工艺及取向硅钢热轧工艺,使取向硅钢的轧制稳定性大幅提高,取向硅钢带形控制良好,凸度控制在30~50μm之内,楔形控制在30μm之内,板形平坦度控制在25iu之内;从而为冷轧工序提供了优质原料。
CN202011484349.9一种用于取向硅钢卷的焊缝切除方法
本发明公开了一种用于取向硅钢卷的焊缝切除方法,包括在焊接机组完成钢卷焊接后,在距离焊缝预设距离位置处冲孔;而后,钢卷到达成品退火工序时,利用孔洞检测装置检测焊缝冲孔,并根据焊缝冲孔得到焊缝位置,并记录该焊缝位置;并在分卷工序中,根据记录得到的焊缝位置对焊缝进行切除。这样,该方法利用焊缝冲孔,结合孔洞检测装置,将焊缝位置信息传递到分切工序,使得焊缝识别切除率较高,有效解决了取向硅钢焊缝无法精准定位切除的问题,实现了卷中焊缝多工序结合精准切除。
CN202122002732.2一种组装稳定的硅钢片
本实用新型公开了一种组装稳定的硅钢片,包括装置主体,所述装置主体的外表面内部设置有第一内置槽,所述第一内置槽的内部安装有第一防滑垫,所述装置主体的内部设置有内置槽,所述内置槽的内部安装有伸缩弹簧,所述伸缩弹簧的外侧设置有固位板,所述装置主体的内部设置有第二内置槽,所述第二内置槽的内部安装有内置防滑垫,所述装置主体的内部安装有条状防滑垫。本实用新型公开了一种组装稳定的硅钢片,第一防滑垫对外部起到了有效的防滑效果,伸缩弹簧在安装后,根据存在的缝隙空间,从内置槽中释出,从而固位板便可随着伸缩弹簧的移动贴合连接组合的外壁,多个防滑垫的设置再次保证了连接的稳定性。
CN202122465223.3一种硅钢炉底辊套管生产用沥青浸煮装置
本实用新型公开了一种硅钢炉底辊套管生产用沥青浸煮装置,包括机身底座和支撑腿,所述机身底座顶部表面中间位置固定安装有浸煮机构,所述浸煮机构两侧内部中间位置固定安装有电热丝。本实用新型通过,采用了生产框、搅拌桨,在实际使用过程中,代加工工件可以放置到生产框内部,然后进行沥青浸煮作业,通过搅拌桨可以对沥青进行持续不断的搅拌,使得沥青与工件的接触面积增大,提高浸煮效果,当浸煮完成之后,通过液压缸将生产框向上移动,使得生产框两侧卡接在电动伸缩套内部,然后通过振动电机运转带动生产框进行左右震动,使得工件表面残留的沥青得以掉落,提高工件表面的整洁度,便于后续使用,具有浸煮效果好、沥青无残留的优点。
CN202111081530.X硅钢冷连轧轧制过程温度获取方法、装置及电子设备
本发明公开了一种硅钢冷连轧轧制过程温度获取方法、装置及电子设备,通过获取硅钢冷连轧生产过程的工业参数数据以及各机架间硅钢的实际温度测试数据,然后基于工业参数数据以及预设初始模型,确定硅钢冷连轧生产过程的温度预测模型,接着基于硅钢轧制前的预热温度以及温度预测模型,得到硅钢冷连轧轧制过程各机架变形区出口与下一机架变形区入口之间的预测温度数据,再将预测温度数据与实际温度测试数据进行对比,并根据对比结果中的温度差异值对相应机架间的乳化液参数进行修正,直至温度差异值小于预设阈值,得到修正后的温度预测模型,能够用于实现硅钢冷连轧轧制过程中,任意采样点硅钢温度的获取。
高硅钢温轧过程压下率及中间退火对组织、织构的影响
传统轧制法制备6.5wt.%高硅钢过程中温轧工艺具有显著不同于3 wt.%Si的电工钢的特点及组织织构特征,是开发新型基于织构优化的高硅钢的关键环节。采用EBSD技术对通过热轧、温轧、冷轧及退火工艺制备0.3mm厚的6.5wt.%Si电工钢板的组织和织构进行分析,重点研究温轧过程中的中间退火和大、小压下率组合以控制织构。结果表明,在热轧退火板是部分再结晶组织的情况下,一次性温轧或先小形变量、中间退火后再大形变量的工艺可得到更多的Goss晶粒;经过最终退火后Goss取向会发生偏转,形成部分黄铜取向,而{111}〈112〉取向的晶粒内形核生成近Goss取向的再结晶晶粒;大压下量轧制是最终组织中{111}取向晶粒较多的主要原因。 Warm rolling,a key process of developing new type high-Si electrical steel based on texture optimization,has significant different characteristics from 3wt% Si steel in conventional preparing process. 0. 3mm thickness 6. 5wt. % Si steel,obtained by a series of processes including hot and warm rolling,intermediate annealing and then cold rolling,was analyzed from microstructure and texture by EBSD,which are utilized mainly for investigating the intermediate annealing process and the combination o...
CN202080097258.1无取向电工钢板及其制造方法
根据本发明的一个实施例的无取向电工钢板,以重量%计,所述钢板包含Si:2.2至4.5%、Mn:0.5%以下且0%除外、Al:0.001至0.5%、Sn:0.07至0.25%和N:0.0010至0.0090%,余量包含Fe和不可避免的杂质。所述钢板包含从钢板表面向内存在的表层部和存在于表层部里面的中心部,中心部包含0.005重量%以下的N,所述表层部比中心部更包含0.001重量%以上的N,表层部的平均晶粒粒径为60μm以下,中心部的平均晶粒为70至300μm。

