【摘要】 试验了通过NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐在电流密度50 mA/cm2、电沉积脉冲电流正反向比9:1和750850℃60min电沉积下阴极（/mm）20×20×0.5的1.6Si无取向冷轧硅钢片断面层硅的分布,并通过计算得出Si的扩散系数。结果表明,电沉积温度由750℃提高至850℃时,试样中Si含量增加,扩散的深度由18μm提高到40μm;电沉积温度与Si在钢中的扩散系数近似符合Arrhenius指数关系。
【Abstract】 The distribution of silicon at cross section of cathode（/mm） 20 × 20 × 0.5 sheet of 1.6Si non-oriented cold rolled silicon steel after electro-deposit treatment by NaCl-KCl-NaF-SiO2 molten salt with current intensity 50 mA/cm2,electro-deposit pulse current positive-negative ratio 9:1 at 750 850 ℃ for 60 min has been tested and the diffusion coefficient of Si is obtained by calculation.Results show that with increasing electro-deposit temperature from 750 ℃ to 85…
【关键词】 无取向硅钢；
电沉积；
温度；
硅；
扩散系数；
【Key words】 Non-Oriented Silicon Steel；
Electro-Deposit；
Temperature；
Silicon；
Diffusion Coefficient；
电沉积；
温度；
硅；
扩散系数；
【Key words】 Non-Oriented Silicon Steel；
Electro-Deposit；
Temperature；
Silicon；
Diffusion Coefficient；
【基金】 国家自然科学基金资助(51274082,51401075)
原文发表于《特殊钢》2014年第06期
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