硅钢资料

本发明提供了一种超低铁损无取向硅钢薄带，以质量百分比计，其成分包括C≤0.005％，Si：3.5～4.0％，Mn：0.1～0.3％，Als≤0.005％，P≤0.05％，S≤0.005％，Cu≤0.08％，N≤0.003％，Sn：0.04～0.08％，其余为Fe及不可避免杂质，所述硅钢薄带中Mn与S的含量比Mn/S≥50，所述硅钢薄带厚度为0.3‑0.4mm。本发明还提供了一种超低铁损无取向硅钢薄带的制备方法。本发明提供的一种超低铁损无取向硅钢薄带，具有高磁感、低铁损等优良性能，且其制备工艺流程短、容易实现、生产效率高、生产成本低、节能降耗明显。

结合工业化生产过程中出现的同卷带钢头、尾磁性能差异现象,对50SW1300牌号无取向硅钢同卷带钢头、尾试样的夹杂物、晶体织构和显微组织进行了分析研究。结果表明,夹杂物、晶体织构是影响成品钢卷磁性能的重要因素。夹杂物是造成同卷带钢头、尾铁损差异的主要原因。夹杂物数量越多,尤其是小尺寸的夹杂物数量越多,对成品带钢的磁性能影响越大,对于本试验而言,AlN和MnS是影响成品带钢磁性能的主要夹杂物。晶体织构是造成同卷带钢头、尾磁感应强度差异的主要原因。有益的{100}和Goss织构含量越大,有害的{111}<110>和{111}<112>织构含量越小,即有益织构与有害织构含量比越大,成品带钢的磁感应强度越大。 Based on the industrial manufacture of non-oriented silicon steel sheets 50SW1300, the magnetic property variation of head and tail of the same finished steel sheets was discussed by analyzing non-metallic inclusion, crystal texture, and microstructure. Results show that, both of the non-metallic inclusion and the crystal texture will affect the magnetic properties significantly. The non-metallic inclusion is the key factor of the core loss variation of head and tail of the same finished steel s... 

阐述了电工钢在\"双碳\"中的作用,强调了电工钢的生产工艺技术及在减少碳排放、降低能耗中的作用,对下游能效升级带来明显的节能及降碳成果。同时,分析了2021年电工钢的生产运行情况,介绍了电工钢的未来发展,并针对如何减少碳排放以及生产更多的更低铁损、更高磁感的电工钢谈了几点启示。 The effects of electrical steels on carbon peak and carbon neutralization were expounded,especially on the achievements of obvious energy saving and carbon reduction to the downstream energy efficiency upgrading bringing from the production technology of electrical steels and their effects to reducing carbon emission and energy consumption.Meanwhile the production situation of electrical steels in 2021 was analyzed,and the future development of electrical steels was introduced,and some advices w... 

一种基于临界变形制备高强度无取向电工钢的方法，按以下步骤进行：(1)按电工钢成分真空精炼钢水，连铸制成连铸坯；(2)在900～1100℃热处理30～120min，然后热轧制成热轧板；(3)冷轧冷轧板；冷轧板厚度为目标厚度+(0.01～0.1)mm；(4)在400～700℃进行一次退火处理，在850～1200℃进行二次退火处理；(5)酸洗去除氧化层，然后进行温轧或二次冷轧进行临界变形。本发明的方法利用位错强化机制采用临界变形提高无取向电工钢的强度的原理，利用一次退火二次退火进行一次调控织构并临界变形对织构二次调控的方法增加对磁性能有利的再结晶织构来优化磁性能，该生产方式工艺简单，成本较低，生产效率高，适用于大批量生产。

本实用新型公开了一种硅钢片焊接模具，包括底座，底座上均匀排布有多条滑槽，每条滑槽内连接有一根垂直设置的定位杆，定位杆底部穿过底座连接一气缸，气缸连接在底座底部。本实用新型结构设计合理巧妙，移动不同位置的定位杆，将定位杆与硅钢片贴合，不同滑槽内的定位杆之间相互错位，并利用气缸将硅钢片定位，这种结构不可以适用于各种形状的硅钢片，使用方便快捷。

采用光学显微镜和X射线衍射仪研究了常化退火处理对无取向硅钢热轧板和成品退火板显微组织和织构的影响。结果表明:常化退火处理消除了热轧板中的变形组织,促使变形晶粒完成再结晶;常化退火处理使高斯织构和立方织构易通过再结晶在变形带内形核和长大,可显著降低成品退火板的{111}和{112}不利织构组分的占有率,提高{100}和{110}有利织构组分的占有率,从而有利于提高无取向硅钢成品板的磁性能。 The effect of normalizing annealing treatment on microstructure and texture of non-oriented silicon steel hot rolled plates and final products were investigated by means of optical microscope and X-ray diffractometer analysis.The results show that the deformed microstructure of the hot rolled plates transformed into recrystallized grain after normalizing annealing treatment.The grains of Goss texture and cubic texture crystallographic orientation were formed and grown by recrystallization in the... 

本申请实施例公开了一种硅钢片卷绕机调节装置，包括底部支撑座，所述底部支撑座一侧的内部活动套接有伸缩调节板，所述伸缩调节板的上部固定连接有上部定位套，所述上部定位套内部的上端活动套接有第一定位板，所述上部定位套的内部安装有第一螺纹定位杆。该硅钢片卷绕机调节装置，通过带动硅钢片夹持在上下两个夹持板之间，即可带动夹持板之间的挤压力，带动硅钢片两侧位置进行限定，避免硅钢片收卷时出现振动和偏移的问题，同时装置夹持板的内部活动套接有滚轮，即可在硅钢片移动过程中，可带动滚轮旋转，即可带动硅钢片与滚轮之间的摩擦阻力降低，至此可带动硅钢片移动时的灵活性，避免硅钢片移动时出现卡死的问题。

本发明属于硅钢制造技术领域，具体涉及一种改善硅钢热轧板边部质量的加工方法，包括：连铸、铸坯预变形处理、铸坯加热处理和热轧处理；其中，所述铸坯预变形处理包括：在所述铸坯的温度为500～900℃下，对所述铸坯的沿长度方向的两侧壁通过立辊施加压力，直至形变量h为10～50mm；所述铸坯加热处理的加热温度为1100～1200℃，保温时间为4～6h。本发明提供的改善硅钢热轧板边部质量的加工方法，采用铸坯两侧壁的侧压工艺，有效解决了热轧板边部裂纹的缺陷，提高了边部塑性，提高了成材率并降低了生产成本。

本实用新型涉及一种硅钢片叠压精准定位设备，包括压台、压板和仿形燕尾键，所述压台上开有与仿形燕尾键下端相对的限位槽，所述压板设置与压台上方，所述压板上开有与仿形燕尾键上端相对的限位孔。本技术方案当硅钢片叠放压合之后，仿形燕尾键可以去除，并能够在硅钢片组成的铁芯上形成燕尾槽，用于后期燕尾键的组装，且能够保证燕尾槽内的结构规则，便于后期燕尾键组装。

本发明涉及一种用于伴随用于生产非晶粒取向的电工钢带的热处理来加工含硅冷轧钢板的方法，其中，钢板2所含硅的重量比例在1.5％和6％之间，并且其中，钢板以带形状态提供并且在热处理期间在连续的过程中运动通过具有加热区域、保持区域和冷却区域的退火设备，其中，钢板在退火设备3沿垂直的主运送方向运动。

本发明涉及一种提高低温高磁感取向硅钢附着性的方法，该方法在现有低温高磁感取向硅钢连续式脱碳退火炉中，通过在脱碳退火前区通入氮气、氢气干式混合气，在脱碳退火后区通入氮气、氢气湿式混合气进行脱碳，在渗氮区通入氮气、氢气湿式混合气及氨气进行渗氮，解决了低温高磁感取向硅钢附着性不好的难题。本发明方法提高了钢中总氧量、增加了氧化层厚度、改善了氧化层结构，经高温退火后生成了致密的硅酸镁底层，附着性大幅提高，测试结果均在C级以上，大部分样品在B级以上。

根据本发明的一个实施例的双取向电工钢板，具有从{100}＆lt;001＆gt;起15°以内的取向的晶粒的分数为50至75％，并且具有从{100}＆lt;380＆gt;起15°以内的取向的晶粒的分数为50至75％。