硅钢资料

本发明公开了一种硅钢片压装工装，其涉及电机生产技术领域。其技术方案要点包括下压板，所述下压板上设置有限位结构，所述限位结构用于在硅钢片压装过程中对硅钢片进行限位；所述限位结构包括能够转动调节的限位挡块，所述限位挡块包括多个分别用于对不同尺寸规格的硅钢片进行限位的限位面，且该多个所述限位面与限位挡块的转动轴线之间的最小距离均不相同。本发明能够适用于多种规格的硅钢片，而且操作方便，稳定性好。

本发明涉及卷取领域，具体涉及硅钢卷取机卷筒结构，包括机架、收卷辊和按压捆绑机构，按压捆绑机构位于收卷辊一侧，按压捆绑机构包括按压单元和捆绑单元，捆绑单元包括捆绑辊、转动辊、成卷的胶带和两个滑块，两个滑块均滑动设置于机架上，滑块的下端固定有能与机架相抵的下卡块，捆绑辊固定设置于两个滑块之间，捆绑辊上设有凹槽；按压单元包括两个按压部，每个按压部包括按压管和弹簧，按压管通过弹簧与凹槽的侧壁连接，转动辊设置于按压管内，成卷的胶带套设于转动辊上，凹槽的侧壁设有供胶带通过的通槽。采用本技术方案时，有利于避免成卷的硅钢卷松动且能对硅钢卷进行捆绑。

【作者】 安斌； ...

介绍了微合金元素锡、铌、稀土对无取向硅钢性能的影响,并扼要分析了这些元素对硅钢性能的影响机理:晶界偏聚元素Sn可细化晶粒提高硅钢磁性能;微合金元素Nb细化铁素体晶粒,提高硅钢的强度、韧性和塑性及磁性能;稀土元素(RE)在硅钢中的主要作用包括净化钢液、变质夹杂物、改善铸态组织和性能及微合金化,减少晶界上出现偏析的几率。 The influence of micro-alloy elements on properties of non-oriented silicon steel and the mechanism for effect of the micro-alloy elements including Sn、Nb and RE on the properties of steel are presented and analyzed in this paper.Grain boundary segregation elements Sn in steel can grain refinement and improve the magnetic properties;Micro-alloy elements Nb can refine the ferrite grain,increase the silicon steel strength,toughness and plastic;The main role of the RE in the silicon steel including... 

涂层技术在高磁感取向硅钢生产中起着重要的作用.根据生产实践,介绍了高磁感取向硅钢生产中涂层的种类和作用、涂料的成分和对产品性能的影响、涂层工艺质量控制要点和检验方法等,并提出了通过优化涂层工艺改善高磁感取向硅钢性能和外观质量的方法. Surface coating technique plays an important role in producing high magnetic inductivity grain-oriented silicon steel.Based on production practice,this paper describes the types and function of the coating,the composition of the coating and its effect on the product performance,the quality control and inspection method for the coatings,as well as proposes ways to improve the magnetic property and surface quality of the steel by optimizing the coating process. 

本发明揭示了一种超低铁损无取向硅钢及其生产方法，生产方法包括：依次采用铁水脱硫、转炉冶炼、RH炉精炼进行冶钢，最终所得钢水化学成分以质量百分比计为：C≤0.003％、Si：2.8～3.4％、Mn：0.1～0.5％、Al：0.6～1.3％、S≤0.0015％、N≤0.0020％、P≤0.03％、Ti≤0.003％、V≤0.003％、Nb≤0.003％，且同时满足3.80％≤Si+Al≤4.15％，其余为Fe以及不可避免的杂质；将冶炼所得钢水连铸成连铸坯；对连铸坯加热后经过多道次轧制得到热轧卷板；对热轧卷板的两侧边部进行剪切；常化酸洗，常化温度为900～930℃，常化时间为30～60s；经多道次冷轧成厚度为0.35～0.5mm的无取向硅钢，其中，第一道次冷轧时的压下率≥37％，轧制速率为70～180m/min。本发明制备的无取向硅钢具有超低铁损，而且冷轧时不易断带。

本实用新型涉及拆包装置技术领域，且公开了一种硅钢片钢卷原料拆包装置，解决了现有的硅钢片钢卷原料拆包装置不具备便捷移动功能的问题，其包括装置本体，所述装置本体的底部设有安装块，安装块顶部的两端均安装有螺纹销，安装块的两端均安装有稳定机构，安装块底部的两端均固定连接有支撑板，安装块底部的两侧均安装有连接板，两个连接板底部的两端均安装有移动轮，安装块底部的中部安装有一对气缸；使本装置能够在需要时便捷的进行移动，并且能够有效的保持连接板的稳定，同时能够有效的对插板进行固定，使置物板能够有效的保持稳定，从而能够在需要时便捷的搬运本装置，进而提高了本装置的实用性。

本发明涉及一种三相变压器铁芯硅钢片叠装设备，包括工作台、传输装置和移动装置，所述的工作台的上端面由左至右依次设置有传输装置和移动装置，所述的移动装置包括匚形板、一号矩形通槽、转动杆、圆头板、移动架、限位架、水平板、夹紧架和挤压架，本发明无需通过人工对变压器铁芯硅钢片进行单个叠装，避免了传统的人工叠装造成的操作繁琐和增大劳动力的问题，本发明能够对叠装之后的变压器铁芯硅钢片进行快速整理限位，从而保证了叠装之后的变压器铁芯硅钢片的整齐度，本发明能够对叠装之后的变压器铁芯硅钢片进行快速压紧，从而提高了压紧效果。

本发明公开了一种适宜缠绕式加工的低铁损无取向硅钢及其生产方法，属于硅钢生产技术领域。本发明的无取向硅钢包括以下质量百分比的元素：Si：1.5～2.5％，Mn：0.15～1.0％、Als：0.5～1.5％，其余为Fe及不可避免的杂质。其生产工艺步骤为：铁水预处理、转炉冶炼、真空处理、连铸；加热热轧；常化处理；冷轧、退火；保温、冷却；涂覆绝缘层。本发明通过对无取向硅钢的组分及其配比，结合工艺操作进行优化，能够生产得到电磁性能及延伸率均优异的无取向硅钢，从而能够有效满足电工钢缠绕式加工及使用需求，且其制造工序流程短、成本相对较低。

聚焦无取向硅钢产品标准,从电磁性能、表面性能、机械性能以及尺寸公差与边部质量等维度对国际标准IEC、EN、JIS、ASTM以及国标GB进行了分析研究。分析得出,各类标准在电磁性能方面要求基本一致;ASTM标准的机械性能要求有别于其他几个标准。 In this paper,non-oriented silicon steel standards of EN,JIS,GB and ASTM were compared and analyzed. It is showed that,all types of standards in electromagnetic performance requirements are basically the same. Surface properties in ASTM standard are expressed in the most detailed. The mechanical properties requirements of the standards,except for ASTM,are basically the same. 

本发明涉及一种提高取向硅钢冷轧加工性的生产方法，工艺流程为：冶炼、连铸、热轧、常化、酸洗、冷轧、脱碳渗氮、涂MgO、高温退火、涂绝缘层及热拉伸平整；粗轧中坯厚度35‑45mm，两段常化后进行带钢横向分段式冷却水分布。本发明通过对热轧中坯厚度、终轧温度及卷取温度，常化冷却水量及控制方式的调控，使轧前表层晶粒尺寸降低5‑10μm、珠光体体积分数降低6％，轧材冷轧加工性明显改善、成材率可提高8％以上。通过后续冷轧、脱碳退火和高温退火等工序处理，可保证完善的二次再结晶组织及良好磁性能。

试验了通过NaCl-KCl-NaF-SiO₂熔盐在电流密度50 mA/cm²、电沉积脉冲电流正反向比9:1和750⁸50℃60min电沉积下阴极（/mm）20×20×0.5的1.6Si无取向冷轧硅钢片断面层硅的分布,并通过计算得出Si的扩散系数。结果表明,电沉积温度由750℃提高至850℃时,试样中Si含量增加,扩散的深度由18μm提高到40μm;电沉积温度与Si在钢中的扩散系数近似符合Arrhenius指数关系。 The distribution of silicon at cross section of cathode（/mm） 20 × 20 × 0.5 sheet of 1.6Si non-oriented cold rolled silicon steel after electro-deposit treatment by NaCl-KCl-NaF-SiO₂ molten salt with current intensity 50 mA/cm²,electro-deposit pulse current positive-negative ratio 9:1 at 750 850 ℃ for 60 min has been tested and the diffusion coefficient of Si is obtained by calculation.Results show that with increasing electro-deposit temperature from 750 ℃ to 85...