硅钢资料

本实用新型提供了一种新型的去角硅钢片，包括硅钢片本体，所述硅钢片本体包括叠放区和防护区，所述硅钢片本体设有防护结构，所述防护结构包括叠放区上设有的多个均匀分布的降噪凹槽，所述防护区上下两端分别设有多个防护条，且两两防护条之间设为连接槽，每个所述防护条皆包括与硅钢片本体连接的防护层和减震层，所述防护区底部两侧分别设有减震柱，所述防护区中间设有贯穿孔，所述贯穿孔内设有绝缘螺栓。本实用新型能降低噪音和减少震动影响，从而避免使得变压器寿命及功能性降低。

本实用新型属于冷轧硅钢技术领域的一种冷轧硅钢无压回水自动控制设备，包括底座，底座外表面的上端固定连接有工作台，工作台外表面上端的两侧分别固定连接有固定柱和压辊主体，工作台外表面上端的中部滑动连接有移动架，压辊主体的下端设置有集水槽，集水槽的内表面设置有浮球液位传感器。液压杆工作推动移动架位移到合适的位置，再通过气缸使伸缩管发生位移，使出水口接近钢板，设置的水箱高于出水口所以水可以在重力的作用下流淌，流出的水流到集水槽内，水流在集水槽内聚集，水流使浮球液位传感器的浮球上升，上升到合适的位置时，浮球液位传感器通过电缆发生电信号至控制器，此设置可以实现设备的自动控制，省去人工进行操作。

本发明揭示了一种高牌号无取向硅钢及其生产方法。所述无取向硅钢的化学成分以质量百分比计包含：C:0.002～0.004％，S≤0.003％，Si:1.4～1.7％，Mn:0.7～0.95％，P≤0.03％，Sn:0.015～0.035％，11×([Si]‑1.4％)＝14×([Mn]‑0.7％)。所述无取向硅钢的生产方法中，连铸坯加热温度1120～1150℃，精轧终轧温度为890±15℃，最后一道次精轧的压下量≥30％且最后两道次精轧的总压下量≥50％，卷取温度650±20℃；在酸连轧之前不需要进行常化处理，且所得无取向硅钢的磁性能佳，表面无瓦楞缺陷，满足低成本高牌号无取向硅钢的需求。

本实用新型公开了一种镀铝锌硅钢钣冲压装置,包括安装板，所述安装板的上表面延伸至下表面开设有上下管贯通的板件交换槽，所述安装板的上表面且位于板件交换槽的正上方通过固定螺栓固定连接有模座板。本实用新型，通过设置二次镀膜箱，对冲压后的硅钢钣进行二次铝锌镀膜，避免了冲裁面的暴露导致硅钢钣慢性腐蚀，提升了镀铝锌硅钢板的质量和使用寿命，通过设置夹取机构，对硅钢钣自动取放操作，减少了人力操作，提高了效率的同时，提高了设备安全性，通过设置废料回收槽，对冲压产生的边角料进行集中回收在利用，提升了生产过程中的环保性，通过优化结构设计，提高了镀锌硅钢钣的生产效率，降低生产成本。

本实用新型公开了一种大型硅钢片生产用输送装置，包括支撑座，所述支撑座的顶部安装有第一支架和第二支架，且第一支架位于第二支架的上方，所述第二支架的一端伸出支撑座的底部，其中，所述第一支架的外部套设有多组第一皮带，所述第一支架的内部安装有多组气缸，且气缸的一侧安装有感应器；所述第二支架的外部套设有两组第二皮带以及两组第三皮带，且两组第二皮带分别位于第二支架的两侧，两组所述第三皮带位于两组第二皮带之间，且第三皮带的长度小于第二皮带的长度。本实用新型所述的一种大型硅钢片生产用输送装置，通过对第一皮带增加磁性，并对调整第三皮带之间间距，能够轻松将转子和定子进行分类堆叠，节省机械手运行的时间。

介绍了国内无底层取向电工钢生产技术水平、产量和用途，简述了无底层取向电工钢作为取向电工钢超/极薄带母料及应用于制作大型发电机组铁心、风电等电机铁心和变压器铁心等的情况。 The production technology level,output and application of domestic glassless grainoriented electrical steel were introduced,and the application of glassless grain-oriented electrical steel as parent material of ultra-thin strip of grain-oriented electrical steel and in making large-scale electric generator cores,wind power motor cores and transformer cores were briefly described. 

观察了取向硅钢极薄带经冷轧至不同厚度,并经过不同工艺热处理后的显微组织及亚结构。结果表明:冷轧压下量越大,显微组织中位错密度越高,冷变形组织越多,等轴晶粒越少;增加冷轧压下量可以使试样的再结晶温度降低,当钢带厚度为0.08 mm时,在650℃退火时就能发生明显的再结晶。 Microstructure and substructure of the grain oriented ultra-thin silicon steel sheets is analyzed,which are rolled down to different thickness and treated with different heat treatment process.The result shows that there are higher dislocation density,more cold deformation structure and less equiaxed crystal grain in microstructure of the steel sheets with more cold rolled reduction.Increase of cold rolled reduction will decrease recrystallization temperature,and when thickness of the steel shee... 

一种生产取向硅钢的氧化镁涂层烘烤质量控制方法，通过对带钢的实时温度测量建立对烘烤输出功率的实时反馈调节，据此形成基于烘烤输出功率的烘烤质量的实时控制。本发明的一种生产取向硅钢的氧化镁涂层烘烤质量控制方法，通过在烘烤炉出口的带钢上方增加一套可在带钢横向方向移动的在线板温计，基于在线板温检测值对烘烤炉状态进行监控，并建立烘烤输出功率控制系统实时调整，使得氧化镁涂层烘烤质量均匀，提高取向硅钢产品质量稳定性，节省能源消耗。

本发明提供了一种轴向开关磁阻电机转子硅钢块的半成品成型结构，包括一硅钢片盘，所述硅钢片盘具有内端部和外端部，及贯穿所述内端部和所述外端部的多个固定孔，多个所述固定孔沿着所述硅钢片盘的周向等距间隔排列，并且相邻的两个所述固定孔之间形成硅钢块；多个齿棒，每一所述固定孔内分别插接一所述齿棒；一固型组件，所述固型组件固定于所述内端部和所述外端部上。所述硅钢片盘通过所述固定孔分隔成多个形状一致的所述硅钢块，多个所述硅钢块通过切割分离，并可对应组装成一转子，成型方便快捷，还保障产品形状的一致性，实现工业化批量生产。

本发明涉及一种硅钢片铁芯用自动叠装系统，托板、上料单元、精定位单元、叠装单元、抓取单元，所述上料单元有一个，位于中部位置，所述精定位单元一共有两个，分别位于上料单元的两侧，所述叠装单元一共有两个，分别位于两个精定位单元的两侧，从而使得整个自动叠装系统由中间向两侧方向均依次为上料单元、精定位单元、叠装单元。本发明的优点在于：通过对上料单元、精定位单元、叠装单元的数量及排布位置进行重新设计，采用由中间向两侧供料的方式，使得两侧的上料顺序均独立运行，不存在相互干涉的风险，确保单侧的上料顺序的顺利进行，相对应的也就降低了程序设计的复杂程度，减轻了设计人员的工作强度。

【作者】 党其； ...

目的提高硅钢的磁性能。方法采用多弧离子镀技术,在普通取向硅钢薄板两面沉积高硅FeSi合金层制得高硅梯度硅钢,并进行热处理,观察其显微组织,测量磁性能。结果退火态高硅梯度硅钢表面的高硅FeSi合金层与基底结合紧密,均匀致密。高硅梯度硅钢中硅含量呈梯度分布,最表层硅质量分数为11.0%,随着深度增加,硅含量逐渐降低,在距表面20μm处硅质量分数仍能达到6.5%。沉积态高硅梯度硅钢的电阻率ρ、低频铁损P10/50、高频铁损P10/1k及磁感应强度B8分别为68.6μΩ·cm,0.82W/kg,83.3 W/kg和1.73 T,退火后分别为63.1μΩ·cm,0.44 W/kg,54.38 W/kg和1.89 T。结论由于表层高硅FeSi合金层的存在,梯度高硅钢的低频磁学性能良好,但高频损耗需进一步改善。 Objective To improve the magnetic properties of silicon steel. Methods FeSi alloy coatings with high-silicon content were deposited on the surface of common grain-oriented silicon steel by cathodic arc plasma evaporation,and then a kind of high silicon gradient steel was prepared. The morphologies,content and magnetic properties of the samples were tested. Results FeSi alloy coatings were featured with compact microstructures and excellent adhesive quality with the substrates. The silicon conten...