钢厂
CN202080082447.1方向性电磁钢板及其制造方法
提供一种可以制造具有优异特性的变压器的、兼顾低铁损和良好的磁致伸缩特性的方向性电磁钢板。本发明的方向性电磁钢板具有在与轧制方向交叉的方向上线状延伸的线状应变区域,线状应变区域具有在轧制方向上具有压缩应力的区域,在与该具有压缩应力的区域的轧制方向邻接的区域具有在轧制方向上具有拉伸应力的区域。
210 t BOF-RH-CC炼钢过程无取向硅钢XG800WR洁净度的试验研究
两炉次无取向硅钢XG800WR(/%:0.003~0.004C、0.71~0.75Si、0.32~0.33Mn、0.004~0.007S、0.016P)的炼钢流程为铁水预处理(KR)-210 t顶底复吹转炉-钢包吹氩-RH脱碳精炼-230mm×1220 mm板坯连铸。53 t中间包钢水过热度为25~30℃,钢包到中间包采用长水口全程吹氩保护浇铸,中间包至结晶器采用浸入式水口浇铸。结果表明,在RH、中间包、结晶器过程中钢中总氧以及夹杂物数量和尺寸均明显降低;但在钢包到中间包过程T[O]、[N]和钢中夹杂物数量增加,说明长水口浇铸过程存在二次氧化。连铸坯中T[O]、[N]平均他分别为11×10-6和30×10-6,显微夹杂物数量平均为4个/mm2。铸坯中的显微夹杂物主要为3~5μm的AlN,同时存在少量的MnS、Al2O3·AlN和Al2O3·MgO·MnS。 The steelmaking flow sheet for two heats non-oriented silicon steel XG800WR(/%:0.003~0.004C. 0.71~0.75Si,0.32~0.33Mn,0.004~0.007S,0.016P) is hot metal pretreatment(KR)-210 t top and bottom combined blown converter-ladle argon blowing-RH decarburization refining-230 mm×1 220 mm slab casting.The superheating extent of liquid in 53 t tundish is 25~30℃,whole casting is shielded by blowing argon with long nozzle from ladle to tundish and the submerged nozzle is adopted in casting from tundish to mold...
CN202111448726.8一种硅钢生产线上的牵引装置
一种硅钢生产线上的牵引装置,包含有底座(1)、支架(2)、平移机构(3)、上压板(4)、下托板(5)、气缸(6)、转向辊(7)和对中摄像头(8);所述的平移机构(3)包含有长条齿轮(14)、齿轮(15)、电机(16)和滚轮轴承(17);其特征在于:所述的齿轮(15)固定在电机(16)的输出轴上,并且与长条齿轮(14)啮合;使得平移机构(3)可以由电机(16)驱动在导轨(10)上左右滑动。本发明通过气缸(6)驱动上压板(4)和下托板(5)夹紧钢带(9),由平移机构(3)带动钢带(9)进行左右平移,避免了原先夹送辊刮伤钢带(9)表面涂层,减少了带头的浪费。
CN202111237550.1硅钢片组扣件自动压平装置
本发明公开了一种硅钢片组扣件自动压平装置,包括:定位单元,定位单元包括转盘、校位板和第一驱动组件,第一驱动组件连接并驱动校位板沿竖直方向运动,校位板滑动连接有第一校位柱,第一校位柱相对转盘偏心布置;第一推送单元,位于转盘的一侧,第一推送单元包括第一推送气缸和第一推块,第一推送气缸连接并驱动第一推块沿水平方向运动;冲压单元,位于转盘背离第一推送气缸的一侧,冲压单元包括第二驱动组件和冲压柱,第二驱动组件连接并驱动冲压柱沿竖直方向运动。转盘、校位柱和第一驱动组件配合,周向定位硅钢片组,再通过冲压柱将凸出于硅钢片组的扣件压平,完成硅钢片组的整形,整体更为美观,方便后续的装配使用。
CN202122455197.6一种硅钢炉底辊套管生产用原料破碎装置
本实用新型公开了一种硅钢炉底辊套管生产用原料破碎装置,包括外壳和固定圆板,所述外壳的端面设置有密封盖和两组电机,两组所述电机的输出端均贯穿外壳的端面,两组所述电机的输出端均卡接安装有破碎辊,所述外壳的内部转动安装有循环滤网管,两组所述破碎辊的下方安装有提示收集箱,所述外壳的下部固定贯穿安装有出料管,且出料管的侧壁安装有电磁阀,所述密封盖的端面固定贯穿安装有四组进料管,且四组所述进料管的外置端端部均固定安装有安装法兰。有益效果:本实用新型采用了循环滤网管,通过设置的循环滤网管,能够对不合格的原料颗粒进行多次破碎,为硅钢炉底辊套管生产用原料破碎装置的破碎工作带来一种保障。
CN202111366277.2一种提高超薄规格高牌号无取向硅钢厚度精度的冷轧方法
本发明涉及薄规格高牌号无取向硅钢冷轧领域。一种提高超薄规格高牌号无取向硅钢厚度精度的冷轧方法,硅钢成品厚度规格在0.15mm~0.25mm,坯料采用常化酸洗切边后的硅钢卷,初始厚度为2.0~2.3mm,采用二十辊单机架轧机轧制,在轧制过程中,对整个轧制过程进行控制。本发明的有益效果是:解决二十辊轧机超薄规格无取向冷轧硅钢纵向厚度波动同时减小横向同板差的方法。
CN202123152209.4一种硅钢卷切边防护装置
本实用新型公开了一种硅钢卷切边防护装置,包括从左到右依次设置的开卷机、分切机、张力调节机以及收卷机,所述张力调节机前后两侧均设置有通过电机驱动用于收拢切边废料的收料装置。本实用新型,通过两组滚轮的夹持能够对废料进行导向,使得废料准确的经过检测组件之间,通过上下触头相对设置,将切边废料夹在中间,当出现断料后,中间没有支撑,下触头通过第一弹簧带动与上触头接触,形成闭合电路,通过报警组件进行报警,断料时,报警组件工作的同时,收料装置上的电机断电,且第一电磁铁和第二电磁铁通电产生磁性,相互吸附,将上夹板向下带动,上下夹板通过两组防滑垫将料头夹住,避免被甩出,大大增加安全系数。
CN202110112524.X提高硅钢收卷速度的卷取系统
本发明涉及硅钢卷取领域,具体涉及提高硅钢收卷速度的卷取系统,包括机架、第一卷取辊、第二卷取辊、第三卷取辊和切捆机构,第一卷取辊、第二卷取辊和第三卷取辊依次转动设置于机架上;切捆机构包括切割刀、挤压板和成卷的胶带,切割刀竖直滑动设置于第一卷取辊和第二卷取辊的上方,切割刀上固定有两个支撑条,两个支撑条之间设置有支撑辊,成卷的胶带套设于支撑辊上,切割刀上还设有供胶带穿过的通槽;挤压板内设有装有墨水的盛墨腔,挤压板一侧的两端固定有排墨管,排墨管与盛墨腔连通,且排墨管与切割刀的侧壁转动连接。采用本技术方案时,有利于提高硅钢卷取效率。
CN202080097262.8电工钢板粘接涂料组合物、电工钢板层叠体及其制造方法
根据本发明的一个实施例的粘接涂料组合物,其包含聚乙烯丙烯酸酯,所述聚乙烯丙烯酸酯包含由以下化学式1表示的重复单元和由以下化学式2表示的重复单元,所述聚乙烯丙烯酸酯包含65至90重量%的由以下化学式1表示的重复单元、10至35重量%的由以下化学式2表示的重复单元。
CN202120877546.0一种变压器硅钢片卷吊装件
本实用新型公开了一种变压器硅钢片卷吊装件,包括横梁和两个吊钩组件,在横梁两端之间的中部设置有吊挂连接构件;两个吊钩组件呈左右对称设置于横梁,吊钩组件与横梁滑动连接,在吊钩组件与横梁之间设置有第一锁紧机构,横梁通过吊挂连接构件与吊机上的吊索连接,在对不同宽度的硅钢片卷进行吊装时,松开两个第一锁紧机构,调节好其中一个吊钩组件的位置,并锁紧固定好,使得固定好的吊钩组件插入硅钢片卷其中一端内,最后将另外一个吊钩组件插入硅钢片卷另一端内,并锁紧固定,本实用新型通过两个吊钩组件来勾住硅钢片卷的两端,可避免硅钢片卷在起吊过程中损坏卷边,也可满足不同宽度的硅钢片卷的吊装。
基于CSP工艺取向硅钢初次再结晶晶界特征对宏观织构的影响
利用背散射衍射技术(EBSD)和XRD,研究了两段式脱碳退火工艺对取向硅钢纵截面初次再结晶的微区取向、取向差分布、特殊晶界(CSL)及高温退火试样高斯织构。分析了初次再结晶晶界特征对取向硅钢高温退火后宏观织构的影响。结果表明:初次再结晶的纵截面基体中Σ3和Σ5晶界使得高斯晶粒有着较高的迁移率,在高温退火时借助20o~45°的大角度晶界的界面能吞并周围{111}<112>晶粒迅速长大,形成密度水平较高的高斯织构。 Micro area orientation of primary recrystallization,the misorientation distribution,special boundaries under different two-stage decarburization annealing and the Goss texture under high temperature annealing the longitudinal section of grain-oriented silicon steel were detected by electron back scattering diffraction(EBSD) and X-ray diffraction(XRD).The effect of primary recrystallization grain boundary on macrotexture after high temperature annealing was analyzed.The results show that the Σ3 a...

