硅钢资料

本发明涉及一种控制高牌号硅钢退火产生月牙印缺陷的方法，多次调整硅钢退火线入炉及出炉张力参数，使带钢处于预设悬垂量内；本发明避免高速运行下带钢撞在炉辊上，从而产生月牙印缺陷，提高了产品的质量。

本发明提供一种退火隔离剂及退火隔离剂悬浮液的制备方法与无底层低温高磁感取向硅钢的制备方法。所述退火隔离剂按照重量份包括如下组分：CaO：1‑5份，Al2O3：50‑58份，Ca(AlO2)2：1‑5份，MgO：30～38份，添加剂：1‑2份。本发明的退火隔离剂不仅能够起到高温退火时钢板之间的隔离作用，而且能够在升温过程中保护抑制剂对二次再结晶晶粒的抑制能力，确保二次再结晶晶粒稳定长大，成品磁性能优异，进而稳定制备出表面光洁，边部完全无底层的低温取向硅钢成品。

根据新日铁、JFE及浦项等国外钢铁公司2008年以来在日本专利局、欧洲专利局(EP)及世界知识产权组织(WIPO)申请公开的有关生产Hi-B取向电工钢典型专利技术,概述了近年来国外大型钢铁企业采用低温板坯加热(坯加热温度<1 280℃)技术生产Hi-B取向电工钢主要技术重点,即将调节关键化学成分Al、N、Sn及Sb等与工艺改进相结合。最后介绍了国外大型钢铁企业采用低温板坯加热技术生产Hi-B取向电工钢实例。 The latest developments on technology for manufacturing Hi-B grain oriented electrical steel sheets developed by Nippon Steel Corp.,JFE Steel and POSCO were described according to the patents published by World Intellectual Property Organization,Japan Patent Office and European Patent Office over the recent years.The low temperature slab heating process(particularly slab-heating temperature<1 280 ℃) together with suitably adjusting key chemical elements such as Al,N,Sn and Sb elements was the... 

本发明涉及冶金技术领域，具体涉及一种高牌号硅钢用连铸结晶器保护渣及其制备方法和应用。本发明提供的连铸结晶器保护渣，所述保护渣包括如下质量百分比的化学成分：SiO2：40‑45％、CaO：20‑27％、MgO：1.0‑2.5％、Al2O3：1‑3％、Na2O：12‑16％、F：10‑13％、C：1‑3％，其余为不可避免的杂质；其中所述保护渣的二元碱度CaO/SiO2为0.5‑0.6，熔点为950‑1000℃，1300℃下的粘度为0.25‑0.35Pa·s。本发明提供的连铸结晶器保护渣，通过低碱度、低熔点、低粘度的保护渣可有效抑制高牌号硅钢材料在连铸时铸坯表面易出现凹陷和裂纹的现象。

对取向硅钢在不同气氛下的高温退火工艺进行实验室模拟，利用X射线衍射仪（XRD）分析了硅钢退火至900℃和1170℃时的样品表面氧化层和底层的物相组成，采用场发射扫描电镜（SEM）观察了样品表面氧化层和底层在截面方向上的微观形貌特征，并计算了高温退火一次升温阶段氧化反应的吉布斯自由能以及900℃时退火气氛的氧分压。结果表明：当退火气氛的露点温度保持一定时，较高的氢气含量有利于生成完整连续的底层；当退火气氛的水氢分压比保持一定时，在露点温度与氢气含量两者较低的条件下，底层附着性不佳易脱落，较高条件下，底层中夹杂着较多的铁单质；当氧化层中无FeO时，底层完整连续但易脱落，当FeO层较薄时，底层下方存在部分未反应的SiO₂,当FeO层较厚时，底层不完整连续且有分层。 The high temperature annealing process of grain-oriented silicon steel in different atmospheres was simulated in the laboratory. X-ray diffractometer（XRD） was used to analyze the phase compositions of the surface oxide layer and forsterite film of the silicon steel annealed to 900 ℃ and 1170 ℃. Field-emission scanning electron microscopy（SEM） was used to observe the micro morphology characteristics of the surface oxide layer and forsterite film of the samples in the cross section direction. The ... 

本实用新型公开了一种铁芯硅钢片卷材的自动放卷上料装置，包括放卷机、导向平台和防折组件，所述导向平台间距设置在放卷机的下方，所述导向平台与放卷机之间构成供料带缓冲的缓冲空间，所述料带在缓冲空间内呈U型状走向，所述导向平台的上方间距设置有防折组件，所述防折组件与导向平台之间构成供所述料带通过的导向通道，所述防折组件设置在料带的内弯侧。通过防折组件对料带的内弯侧进行支撑，能够有效的防止料带被过度弯折，能够对料带进行缓冲和缓冲保护，保证料带放卷上料的稳定性。

本发明的取向性电磁钢板的制造方法能够稳定地制造被膜特性和磁特性优异的取向性电磁钢板。其包括：对含有规定的添加元素的钢坯进行热轧；冷轧制成最终板厚；进行脱碳退火；涂布以MgO为主剂的退火分离剂；进行最终退火，其中，上述退火分离剂的主剂的BET比表面积比率H2O/N2为0.6～1.6且浆料状态下粒径40μm以上的粒子的比例为5质量％以下。

结合实际生产0.4%Si无取向硅钢，统计了不含Sn和0.025%Sn无取向硅钢的磁性能变化，利用金相显微镜、X射线衍射仪观察分析不同成分下试样的显微组织和微观织构。试验结果表明：Sn元素可以显著降低无取向硅钢的晶粒尺寸，0.025%Sn试样的平均晶粒尺寸比不含Sn减小28.4%;加入Sn元素后抑制了无取向硅钢中不利于磁性能的{111}面织构组分强度，提高了对磁性能有利的{100}面织构组分强度，0.025%Sn与不含Sn相比磁感均值从1.756 T提升至1.768 T,铁损均值从5.476 W/kg降低至5.204 W/kg,明显改善了无取向硅钢磁性能。 In this paper combined with the actual production of 0.4% Si non oriented silicon steel, the magnetic properties of non oriented silicon steel without Sn and 0.025% Sn were counted. The microstructure and microtexture of samples with different compositions were observed and analyzed by metallographic microscope and X-ray diffraction. The results show that: Sn can significantly reduce the grain size of non oriented silicon steel, and the average grain size of 0.025% Sn sample is 28.4% smaller tha... 

采用CVD法制备6.5%Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响。结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定;渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定;扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足Δw表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间。 6.5%Si high silicon steel was manufactured by using CVD method and the process was introduced,the influence of temperature on the siliconizing rate and quality reducing rate,diffusion time on silicon distribution were investigated.Results as follows: the siliconizing rate will increase quickly when the temperature is higher than 1050 ℃,but the siliconizing rate will become steadily as the temperature up to 1200 ℃;The quality reducing rate will increase with the elevating of temperature and the r... 

本实用新型公开了一种变压器用硅钢片存放架，其包括多个存放板座和多个支撑柱，多个存放板座依次呈上下间隔设置，在相邻两个存放板座之间设置若干支撑柱，支撑柱的上下两端分别与相邻两个存放板座可拆卸地连接，在存放板座四周的边沿设置有多个吊挂结构，存放架从下往上进行搭设过程中，硅钢片可依次从下往下依次叠放于多个存放板座上，提高存放量，降低存放占用的车间面积；在吊运时，从上往下依次把存放有硅钢片的存放板座吊起移动即可，实现硅钢片的快捷吊运，在不使用时或者运输时，可把支撑柱拆下，存放板座叠在一起进行存放收纳。本实用新型可应用于变压器硅钢片的存放吊运。

采用双辊连铸工艺制备了硅的质量分数分别为0.5%,1.0%,3.0%,4.5%的硅钢薄带,用光学显微镜观察其组织,并研究了后处理工艺对薄带组织和性能的影响。结果表明:硅含量为0.5%和1.0%的薄带适合采用一次冷轧+850～950℃退火的后处理工艺,而硅含量在3.0%以上的薄带适合采用二次冷轧+950℃退火的后处理工艺;硅含量为3.0%和4.5%的薄带在冷轧并950℃退火后,其磁性能最佳,铁芯损耗约为4.30 W·kg^-1,磁感应强度约为1.68T。 Silicon steel thin strips with silicon content of 0.5wt%,1.0wt%,3.0wt%and 4.5wt%were prepared by twin-roll continuous casting process,and the microstructure of the strips were observed by means of optical microscopy,and on the basis,the effect of post-treatment process on microstructure and properties of the strips was studied.The results show that the post-treatment process of one-time cold rolling and annealing between 850—950℃was suitable for the strips with silicon content of 0.5wt%and 1.0wt... 

本发明属于退火工艺技术领域，公开了一种高牌号无取向硅钢剪切方法，包括：待剪切带钢由夹送辊输送到达剪切位后，夹送辊释放对所述待剪切带钢的夹持；位于所述待剪切带钢下方的下剪刃上移，推顶所述待剪切带钢在低张力状态下持续向上运动；在所述待剪切带钢与上剪刃接触后，将所述待剪切带钢剪断。本发明提供的高牌号无取向硅钢剪切方法能够极大的减少高牌号无取向硅钢的剪切缺陷，降低废品量，提升剪切效率。