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本发明揭示了一种高牌号无取向硅钢及其生产方法。所述无取向硅钢的化学成分以质量百分比计包含:C:0.002~0.004%,S≤0.003%,Si:1.4~1.7%,Mn:0.7~0.95%,P≤0.03%,Sn:0.015~0.035%,11×([Si]‑1.4%)=14×([Mn]‑0.7%)。所述无取向硅钢的生产方法中,连铸坯加热温度1120~1150℃,精轧终轧温度为890±15℃,最后一道次精轧的压下量≥30%且最后两道次精轧的总压下量≥50%,卷取温度650±20℃;在酸连轧之前不需要进行常化处理,且所得无取向硅钢的磁性能佳,表面无瓦楞缺陷,满足低成本高牌号无取向硅钢的需求。
2020-12-16 153 6.8

一种硅钢厂调功器故障报警自动复位的方法,包括:通过人机界面对炼钢炉温度进行设定,并在炼钢过程中实时获取炼钢炉温度;将炼钢炉实时温度与设定温度进行对比,当炼钢炉实时温度低于设定温度时,启动调节器;调节器输出功率使电阻带加热,使炼钢炉实时温度达到设定温度;当调节器发生故障时,调节器将故障信号发送给后台服务器,后台服务器根据故障指令,按预设规则控制与调节器连接的继电器,控制继电器按压复位按钮,使调节器自动复位。本发明解决了现有技术中通过电气人员来通过复位消除故障状态,耽误时间长,容易产生废品的问题。
2021-03-29 137 6.8

采用铸坯低倍组织检验和化学分析的方法,研究板坯连铸机二冷区电磁搅拌器电流和频率参数对无取向电工钢XG800WR板坯中心偏析和等轴晶率的影响,结果表明:铸坯等轴晶率随着搅拌器电流强度和电流频率的增大而增加。采用二冷区电磁搅拌可减小中心易偏析元素S的偏析,试验得出:减小铸坯S偏析效果最好的电磁搅拌参数为电流380~400A,频率6Hz。 The effect of electromagnetic stirring current and frequency parameter at secondary cooling area on the central segregation and equiaxed crystal ratio of XG800WR non - oriented electrical steels slab was investigated through the methods of chemical and macrostructure analysis.The results shows that the rate of equiaxed crystal zone is going up with increasing of current intensity and current frequency.Electromagnetic stirring in the secondary cooling area can be easily reduced segregation caused... 
2011-01-28 163 5.8

【作者】 韩超; 代智肄; ...
2022-04-28 143 5.8

本实用新型公开了一种硅钢环形炉台车用垫片,垫片为多个陶瓷纤维高密度板拼接而成的环状,垫片的内边缘和外边缘均呈正八边形;陶瓷纤维高密度板的导热系数不大于0.15W/(m·k)。上述垫片在实际使用时,铺设于台车的底座,并在垫片上砌筑耐火砖,最后在耐火砖上浇筑耐火浇注料。因垫片的导热系数很低,因此能够减少台车底座背面热量的散失,并且能够避免高温对台车内钢卷造成影响,保证了钢卷的质量。因此,本实用新型提出的硅钢环形炉台车用垫片,对台车进行了改进,保证了钢卷的品质,解决了现阶段该领域的难题。
2020-12-26 129 6.8

本实用新型公开了一种成品取向硅钢片加工用的卷绕装置,包括机箱和卷绕机,所述机箱的下表面固定安装有底座,所述机箱的一侧表面靠近上方固定安装有控制箱,所述机箱的两侧表面靠近前方固定安装有伸缩机,所述机箱的前端面固定安装有挡板,所述挡板的前端设有卷绕机,所述底座的上表面且位于卷绕机的下方固定安装有定位筒,所述定位筒的内部活动安装有托杆。本实用新型所述的一种成品取向硅钢片加工用的卷绕装置,可以有效的控制卷绕机卷绕取向硅钢片的厚度,从而保证每次卷绕取向硅钢片的厚度都相同,利用伸缩机可以对不同宽度的取向硅钢片进行边缘位置的夹紧,并且可以控制卷绕板与卷绕机之间的间距,从而控制卷绕后取向硅钢片的内径大小。
2021-11-18 154 6.8

本实用新型公开了一种变压器铁芯用硅钢片成型铁测量平台,包括游标测量尺及定位台;定位台包括基架、操作台及至少两根的定位销,操作台I及操作台II分别设置于基架的横向两端,且操作台I及操作台II之间留有宽度a的间距区,操作台II上设置有至少一组的沿横向均匀分布的定位孔组,且至少两根的定位销能够与该定位孔组的定位孔配合,游标测量尺设置于基架上间距区处。在操作台II上设置有至少一组的沿横向均匀分布的定位孔组,且至少两根的定位销能够与定位孔配合,以将该硅钢片成型铁定位区域限定在操作台II台面上,采用多个定位孔和定位销配合结构,同时能够沿横向调整硅钢片成型铁定位位置,以便测量各个区域尺寸。
2021-12-29 181 6.8

本发明涉及一种高性能取向硅钢冷轧工艺,具体涉及取向硅钢制造技术领域。本发明的冷轧工艺包括一次冷轧和二次冷轧,其中,取向硅钢热轧板厚度在2.0~3.0mm,一次冷轧轧制采用4或5道次轧制,轧至厚度0.60~0.62mm,轧制温度为100℃~105℃;二次冷轧轧制采用2道次,轧至厚度0.24~0.26mm,轧制温度为95℃~100℃。本发明通过对一次冷轧和二次冷轧中各道次的压下率、轧制张力、轧制速度、轧制温度进行优化设计,从而能够进一步优化织构,确保二次冷轧板高斯织构含量在0.8~1.5%,且轧制稳定性高,进而有效保证了所得取向硅钢的磁性能。
2021-01-22 145 6.8

采用传统的轧制和退火工艺制备了0.30mm厚的6.5%(质量分数)Si高硅电工钢薄板,采用X射线衍射技术对退火过程中的再结晶织构进行了研究。冷轧高硅钢薄板700℃退火形成以{111}〈112〉为峰值的γ织构(〈111〉∥ND)和以{001}〈210〉为峰值的{001}织构;而900℃以上温度退火则形成强{001}〈210〉织构。进一步的研究表明是在晶粒长大过程中{001}〈210〉发展成为主要再结晶织构组分。 High silicon steel thin sheets with thickness of 0.3mm were successfully produced by conventional rolling and annealing methods.Recrystallization texture was investigated by means of X-ray diffraction.It is found that recrystallization texture is mainly composed of γ fiber(〈111〉∥ND)with peak at {111}〈112〉 and {001} fiber with peak at {001}〈210〉 after annealing at 700℃,while strong {001}〈210〉 component dominates recrystallization texture after annealing above 900℃.It is during grain growth that {... 
2011-11-28 176 5.8

国元证券发布深度研究报告《变压器行业深度研究报告-海外变压器供需错配-国产厂商...
2024-03-20 235 2

本实用新型涉及钢卷加热装置技术领域,且公开了一种用于硅钢片钢卷制造的加热装置,目前硅钢片钢卷加热不均匀的问题,其包括加热箱,所述加热箱的内腔一侧活动安装有主动轴,主动轴的外侧固定安装有主动齿轮,主动轴的左侧固定安装有位于加热箱外侧的电机,主动轴的两侧均活动安装有从动轴,两个从动轴的外侧均固定安装有从动齿轮,本实用新型,通过电机和主动轴以及主动齿轮的配合,可使得主动轴转动,并通过主动齿轮与两个从动齿轮的啮合,进而使得从动齿轮和主动齿轮同时转动,并通过两个加热盘对加热箱内部进行加热,从而使得固定盘和连接盘之间的钢卷边转动边加热,从而解决了硅钢片钢卷加热不均匀的问题。
2021-06-16 138 6.8

通过对辉光放电发射光谱参数的优化,以铁元素为内标来消除基体效应,建立了测定硅钢薄板中微量硼元素的方法。优化的实验参数为:放电电压1200 V,放电电流50 mA,预溅射时间40 s,积分时间10 s。校准曲线硼元素含量范围0.0001%~0.022%,相关系数大于0.999,测量结果与认定值一致,相对标准偏差小于10%。完全能够满足日常分析测试的要求。 A glow discharge optical emission spectrometry(GD-OES) method for determining trace boron element in silicon steel sheets were established through optimization of instrumental parameters and using Fe element as an internal standard to eliminate the matrix effect.The optimized instrumental parameters included discharge voltage,discharge current,pre-sputtering time and integration time,which are 1200 V,50 mA,40 s,and 10 s,respectively.The content of boron element that can be determined from the ca... 
2011-03-28 137 5.8

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