硅钢资料

本发明涉及一种电机定子硅钢片激光焊接装置，其包括底座；工作台，其安装于所述底座；下压旋转组件，其包括：焊接支座，其安装于所述底座上；用于压紧定子硅钢片的下压组件，所述下压组件位于所述工作台的上方，且可沿垂直于所述工作台的板面的方向移动；用于驱动所述定子硅钢片旋转的旋转组件，其安装于所述下压组件靠近所述工作台的一端，所述旋转组件可绕所述下压组件的轴线旋转；以及激光焊接头组件，其固定于所述底座。通过在焊接工作台上设置下压旋转组件，下压组件可以驱动下压使定子硅钢片压紧，旋转组件可以驱动定子硅钢片旋转，进行下一道焊缝焊接，直到该定子硅钢片所有焊缝焊接完成，使用方便，省时省力。

本发明公开了一种含铝电工钢连铸高效生产的方法，其中CSP连铸连轧包括以下步骤：利用普通硅铁合金中的残余钙元素进行钙处理，钢水中Al2O3夹杂物得到球化；转炉终点氧含量加入改质剂；根据连铸拉速设定结晶器电磁制动电流参数，并制定不同拉速条件下的二冷修正系数；采用低粘度低转折温度消耗量为0.30kg/t高拉速结晶器保护渣，本发明连铸拉速从最高的4.2m/min提高至5.8m/min，提升幅度达到了38％，实现了薄板坯连铸连轧工艺技术条件下含铝电工钢50W1300的高效低耗生产。

本实用新型属于硅钢技术领域，具体的说是一种硅钢前处理高液回流装置，包括机体；所述机体的侧端固接有一号导管；所述一号导管上安装有二号导管；所述机体的顶端固接有连接管；所述连接管上安装有入泡管；所述二号导管的内侧壁固接有电机；所述电机的输出端固接有扇叶；所述二号导管的顶端内侧壁固接有定位板；所述定位板的侧端转动连接有旋转叶轮；所述二号导管的底端固接有排泡管；通过一号导管和二号导管的配合可以把溢出的泡沫进行导向，通过扇叶和旋转叶轮的配合可以使泡沫快速流动，再通过排泡管排出进入机体的内部，可以使泡沫循环使用，避免泡沫的溢流造成环境的污染及碱液的浪费。

本发明公开了一种高磁感取向硅钢实验室轧机一次冷轧方法，包括：1)取样，实验室冷轧材料选取经过常化酸洗后的厚度为2.3mm的取向硅钢试样；2)制样，利用取向硅钢专用剪板机，裁剪试样尺寸为轧向600mm×横向150mm；将试样表层轻涂一层薄薄的轧制油；3)冷轧轧制规程制定，轧前厚度为2.3mm；其中：轧制总道次为6次时轧后厚度为0.35mm，轧制总道次为7次时轧后厚度为0.27mm，轧制总道次为8次时轧后厚度为0.23mm。本发明的目的是提供一种高磁感取向硅钢实验室轧机一次冷轧方法，为工业试制提供一定的技术参考，以及后续工艺研究提供了更加可靠的试样和条件。

本实用新型涉及硅钢二次轧制的技术领域，且公开了一种用于硅钢成品二次轧制的轧辊间距调整机构，包括安装架，所述安装架的内部设置有上、下相对的两组工作辊，两组工作辊的内部均固定连接有转轴，外侧均滑动连接有保护组件，其中下工作辊通过保护组件与安装架固定连接，上工作辊的上方固定连接有升降组件，上、下两组工作辊之间固定连接有限位组件，通过升降组件带动上工作辊的上下移动，来调整上工作辊和下工作辊之间的距离，保持二次轧制时较大的压下率，同时限位机构能有效防止因工作辊距离太近而导致的硅钢断带的情况。

采用双辊薄带连铸工艺制备了厚度为2.4mm的3.98%Si-0.71%Al无取向硅钢带,经常化、冷轧、不同温度退火后,对其显微组织、析出物、织构和磁性能进行了检测分析。结果表明:随着退火温度的提高,退火板晶粒尺寸增大,组织均匀性提高;退火板析出物主要是AlN和MnS与AlN复合析出物,尺寸较粗大,达0.5~2.5μm;退火板织构沿厚度方向变化明显,表层和1/2层存在较强的{100}织构,1/2层还存在较强的{111}织构,1/4层主要是{112}织构;随退火温度的升高相应的铁损和磁感应强度均降低。 Using twin roll thin strip continuous casting technique,the 3.98%Si-0.71%Al no-oriented silicon steel strip in thickness of 2.4mm was produced.The microstructure,precipitates,texture,and magnetic properties of the sheet after normalizing,cold rolling and annealing at different temperatures were studied.The results show that with annealing temperature increase,the grain size and uniformity of annealed sheet increased.The main precipitates in coarse size of 0.5-2.5μm in annealed sheet were AlN and... 

一种变压器硅钢片组装装置，包括：底板，夹持机构，设于底板，组装组件，数量为一对，均设于夹持机构的两端，包括放置构件，放置构件设有推进机构；夹持机构用于变压器内壳的固定，组装组件用于硅钢片的叠装操作。本实用新型在进行变压器的加工时，方便进行变压器的叠装操作，提高了变压器叠装的效率，提高了变压器叠装的自动化程度，降低了操作人员的工作强度，具有较强的实用性。

本发明揭示了一种高硅无取向电工钢及其生产方法。该方法包括：1）钢水冶炼并连铸成坯；2）加热并保温，之后热轧得到热轧卷板，其中粗轧出口温度940±20℃，精轧终轧温度840±20℃，卷取温度650±20℃；3）常化，常化温度((732~742)+3000[Si])℃，常化时长4min~5min；4）常化后直接进行冷轧，而后连续退火和涂层，退火温度940℃~990℃且退火时长1.5min~3min；5）涂层处理后的钢板加工成型，而后进行去应力退火，退火温度为((761~766)+3000[Si])℃。如此，在保证磁性能的同时，解决了冷轧难度大的问题。

本发明属于钢铁冶炼技术领域，涉及一种超低铝极低硫无取向硅钢的冶炼方法，包括如下步骤：KR铁水预处理→BOF复吹转炉冶炼→RH真空炉精炼→LF精炼→连铸；采用本发明中的冶炼方法，铁水脱后硫可以适当放宽，转炉出钢温度可以适当降低，RH工序无需采用OB法升温，也无需RH顶枪喷粉或者加入合成渣脱硫，LF只需实现微调成分、调节温度、平衡炉机节奏以及适当脱硫。此种冶炼方法充分利用并发挥了各工序优势，避免了在某一工序完成所有冶炼任务，一旦发生事故，容易造成生产中断，产品质量难以保证。

本发明的取向性电磁钢板的制造方法能够稳定地制造被膜特性和磁特性优异的取向性电磁钢板。其包括：对含有规定的添加元素的钢坯进行热轧；冷轧制成最终板厚；进行脱碳退火；涂布以MgO为主剂的退火分离剂；进行最终退火，其中，上述退火分离剂的主剂的BET比表面积比率H2O/N2为0.6～1.6且浆料状态下粒径40μm以上的粒子的比例为5质量％以下。

对硅钢板材分别进行异步和同步轧制,研究了轧制参数包括速比、压下量和道次对板材表面显微组织的演变的作用.结果表明,异步轧制硅钢板材表面形成了晶粒尺寸为10~50 nm,取向接近随机分布的纳米晶,而同步轧制板材的表面只形成了位错胞,证明异步轧制可以诱发表面纳米化.异步轧制板材表面纳米晶的形成过程为:在剪切力的反复作用下,高密度位错形成、滑移、湮灭和重组形成亚微米尺度的亚微晶/位错胞.随着压下量和轧制道次增加,高密度位错重复以上过程使晶粒尺寸减小、取向差增大,最终形成取向接近随机分布的纳米晶组织.大压下量和多道次是异步轧制诱发板材表面纳米化的关键,而速比的增加可以加快纳米化进程. Surface nanocrystallization(SNC) can effectively enhance the surface and global properties of the metallic materials,such as microhardness,intensity,fatigue,wear and corrosion resistances,therefore provides more promising practical industrial applicability.Up to now,several SNC treatment methods were developed based either on the principles of ball impactions or friction sliding,however,difficulty still exists for the surface treatment of large-dimensional samples with high efficiency.Recently,m... 

试验了通过NaCl-KCl-NaF-SiO₂熔盐在电流密度50 mA/cm²、电沉积脉冲电流正反向比9:1和750⁸50℃60min电沉积下阴极（/mm）20×20×0.5的1.6Si无取向冷轧硅钢片断面层硅的分布,并通过计算得出Si的扩散系数。结果表明,电沉积温度由750℃提高至850℃时,试样中Si含量增加,扩散的深度由18μm提高到40μm;电沉积温度与Si在钢中的扩散系数近似符合Arrhenius指数关系。 The distribution of silicon at cross section of cathode（/mm） 20 × 20 × 0.5 sheet of 1.6Si non-oriented cold rolled silicon steel after electro-deposit treatment by NaCl-KCl-NaF-SiO₂ molten salt with current intensity 50 mA/cm²,electro-deposit pulse current positive-negative ratio 9:1 at 750 850 ℃ for 60 min has been tested and the diffusion coefficient of Si is obtained by calculation.Results show that with increasing electro-deposit temperature from 750 ℃ to 85...