【摘要】 对低温加热工艺生产的普通取向(common grain-oriented,CGO)硅钢的高温退火过程进行了中断实验,材料为含3.0%Si、0.5%Cu、0.009 8%S(均为质量分数)的以Cu2S为主抑制剂的普通取向CGO钢。原始板坯厚度为230 mm,于1 200℃均热后经4道次粗轧、7道次精轧至2.3mm;热轧板采用两次冷轧法轧至0.3mm,中间完全脱碳退火,最后于1 200℃高温退火。最后样品的磁性能:铁损P17/50为1.182W/kg,磁感应强度B8为1.897T。借助配有EDAX OIM电子背散射衍射(EBSD)系统的ZEISS SUPRA 55VP扫描电子显微镜,对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究,结果表明:升温过程中晶粒尺寸增长缓慢,650℃时取向分布函数(ODF)图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角小于9°;950℃时高斯晶粒平均生长速度超过其他晶粒;950~1 000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角降至约3°;在950℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势。
【Abstract】 The high-temperature annealing process of common grain-oriented(CGO)silicon steel was investigated by interrupting test.The samples were rolled from CGO silicon steel slab under low reheating temperature.The CGO silicon steel,taking Cu2S as the main inhibitor,contains3.0%Si,0.5%Cu,and 0.0098%S.The original casting slab is 230mm in thickness.After 1 200℃reheating,four-pass rough rolling and seven-pass finish rolling were conducted to make the thickness of the slab get to 2.3mm.Then the hot rolled…
高斯织构；
二次再结晶；
晶粒尺寸；
【Key words】 grain-oriented silicon steel；
Goss texture；
second recrystallization；
grain size；
原文发表于《西安交通大学学报》2013年第11期
