硅钢资料

本发明公开了一种低磁致伸缩取向硅钢的制造方法，其包括步骤：(1)在硅钢基板上进行单面激光刻痕，其中进行激光刻痕的表面为第一表面，第一表面的背向一侧表面为第二表面；(2)基于激光刻痕的功率确定第一表面和第二表面的挠度差；(3)基于挠度差获得第一表面和第二表面所涂覆的绝缘涂层的涂覆量差；(4)基于涂覆量差，在第一表面和第二表面上涂覆绝缘涂层，其中第二表面的绝缘涂层涂覆量大于第一表面的绝缘涂层涂覆量。相应地，本发明还公开了采用上述制造方法所制得的低磁致伸缩取向硅钢，其第一表面和第二表面的磁致伸缩偏差≤2db(A)，并且所述低磁致伸缩取向硅钢的平均磁致伸缩≤55db(A)。