硅钢资料

采用CVD法制备6.5%Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响。结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定;渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定;扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足Δw表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间。 6.5%Si high silicon steel was manufactured by using CVD method and the process was introduced,the influence of temperature on the siliconizing rate and quality reducing rate,diffusion time on silicon distribution were investigated.Results as follows: the siliconizing rate will increase quickly when the temperature is higher than 1050 ℃,but the siliconizing rate will become steadily as the temperature up to 1200 ℃;The quality reducing rate will increase with the elevating of temperature and the r... 

本实用新型公开一种电机加工硅钢片上料装置，包括上料底座，上料底座的顶部固定连接有若干个硅钢片卷料限位柱，上述装置还包括设置在上料底座上方的上料顶座，上料顶座的底部固定连接有若干个与硅钢片卷料限位柱配合的定位柱，上料底座与上料顶座之间滑动连接有两个对称设置的滑动螺杆，滑动螺杆滑动连接所述上料顶座，滑动螺杆的上端螺纹连接有装配螺母，上料底座的左右侧壁部位均装配有第一折形板，上料顶座左右侧壁部位均装配有与第一折形板对称设置的第二折形板，第一折形板与第二折形板之间装配有悬吊组件。采用上述方式不仅实现将若干个硅钢片卷料采用一个夹持定位设备进行夹持定位，且上述装置部件设计安全上料。

一种高硅钢的电渣重熔生产方法，电渣重熔过程渣系组成为，按重量计，CaF255%～59%、Al2O326%～30%、CaO7%～10%、SiO21%～9%，所述高Si钢，按重量计，钢中含有Si0.5%～2.0%，Al0.01％～0.05％。采用本专利设计的渣系成分配比，保护气氛电渣的情况下，可有效控制Si含量0.5‑2.0%的高Si钢电渣过程不增铝。

借助电子背散射(EBSD)技术对AlN为主抑制剂的Hi-B取向硅钢常化工艺的中间冷却制度进行了研究。结果表明:常化后试样均发生了完全再结晶,在60℃/s冷速下组织最均匀;在合适的冷却制度下常化板表层保留了强的Goss织构,它深入到1/4厚度处,并且形成对Goss织构有利的强{554}<225>织构。 The intermediate cooling system of Hi-B oriented silicon steel with AlN main inhibitor in normalizing process was studied by means of electron back diffraction(EBSD) technique. The results show that:the specimens after normalizing are fully recrystallization, and the microstructure is most uniform under the intermediate cooling rate of 60℃/s; under suitable cooling system, normalized plate surface retains strong Goss texture, it penetrates into the 1/4 thickness of the plate and forming strong {... 

本实用新型公开了一种带缓冲保护装置的硅钢片纵剪线，包括工作台，工作台的顶部外壁设置有放料辊，工作台靠近放料辊的一侧设置有牵引辊，工作台靠近牵引辊的一侧设置有整平机构，工作台的内部设置有第一缓冲坑，第一缓冲坑的顶部设置有导料辊，第一缓冲坑的内部设置有第三转轴，第三转轴的外壁传动连接有皮带，皮带的内壁传动连接有第二转轴，皮带的外壁传动连接有第一转轴，第三转轴的外壁固定安装有转筒，转筒的外壁设置有伸缩杆，伸缩杆的外壁套接有弹簧，伸缩杆的底部设置有滚珠，通过设置的第一缓冲坑与第二缓冲坑结构，可防止硅钢片在进入第一缓冲坑与第二缓冲坑时弯曲程度过大导致的断裂，且双重的缓冲装置更有利于对硅钢片的保护。

本发明公开了一种硅钢片压装工装，其涉及电机生产技术领域。其技术方案要点包括下压板，所述下压板上设置有限位结构，所述限位结构用于在硅钢片压装过程中对硅钢片进行限位；所述限位结构包括能够转动调节的限位挡块，所述限位挡块包括多个分别用于对不同尺寸规格的硅钢片进行限位的限位面，且该多个所述限位面与限位挡块的转动轴线之间的最小距离均不相同。本发明能够适用于多种规格的硅钢片，而且操作方便，稳定性好。

层叠铁芯使用的电磁钢板是在母材钢板(2)的表面具有涂布电磁钢板用涂布组合物而形成的绝缘被膜(3)的电磁钢板，所述电磁钢板用涂布组合物以特定的比率配合有环氧树脂、由烷基酚构成的第一固化剂、由苯酚甲阶酚醛树脂和苯酚酚醛清漆树脂中的任意一方或双方构成的第二固化剂。

本实用新型公开了一种环保型无取向硅钢绝缘涂层液生产用篮式研磨机，包括底座，底座顶端的一侧固定安装有支撑柱，支撑柱的顶端固定安装有顶板，顶板的底端设有研磨组件，研磨组件包括两个固定板，两个固定板分别固定安装的顶板底端的中部和底端的另一侧，底座上设有固定组件，固定组件包括四个支撑板，四个支撑板均固定设置底座顶端的另一侧，四个支撑板的顶端固定安装有固定环，固定环的内部放置有料缸，本实用新型的有益效果是：通过研磨组件在粗磨后快速切换至细磨，不需要切换研磨机，提高研磨的效率，通过固定组件将放置在固定环内部的料缸进行固定，防止研磨过程中料缸发生移动。

根据本发明的一个实施例的粘接涂料组合物，其包含聚乙烯丙烯酸酯，所述聚乙烯丙烯酸酯包含由以下化学式1表示的重复单元和由以下化学式2表示的重复单元，所述聚乙烯丙烯酸酯包含65至90重量％的由以下化学式1表示的重复单元、10至35重量％的由以下化学式2表示的重复单元。

以不断增长的薄板坯流程为背景,与传统流程对比分析了薄板坯流程无取向电工钢热轧晶粒组织特征;以50W800和50W1300钢为典型实例,探讨了两种流程下成品板晶粒组织、织构、磁性能及其磁时效行为的基体差异和相关原理。研究表明,薄板坯流程热轧板组织较粗大,有利于在成品板中获得粗大的晶粒和有利的织构,从而得到较低的铁损和较高的磁感。然而,薄板坯流程会造成第二相粒子的细小弥散分布与不充分析出,容易因磁时效而使磁性能恶化。 Based on the rapid development of compact strip production(CSP) processing,the characteristics of hot band grain structure produced by CSP processing were analyzed in comparison with those of conventional technology.The basic differences in grain size,texture,magnetic properties and the magnetic aging behaviors of the final sheet products produced by the two processing technologies and the corresponding principles were discussed,while steel 50W800 and 50W1300 were taken as examples.It is indicat... 

本发明提供了一种轴向开关磁阻电机转子硅钢块的成型方法，包括(a)提供一硅钢片盘，其中所述硅钢片盘具有内端部和外端部，及贯穿所述内端部和所述外端部的多个固定孔，相邻的两个所述固定孔之间形成硅钢块；(b)提供多个齿棒，逐一将多个所述齿棒依次插入于所述固定孔；(c)提供一固型组件，将所述固型组件固定于所述内端部和所述外端部上；(d)沿着所述硅钢块和所述固定孔之间界定的切割位置进行切割，以获得组装转子的多个硅钢块。所述硅钢片盘通过所述固定孔分隔成多个形状一致的所述硅钢块，多个所述硅钢块通过切割分离，并可对应组装成一转子，成型方便快捷，还保障产品形状的一致性，实现工业化批量生产。

本申请公开了一种低铝无取向硅钢结晶器液面波动的控制方法，包括：步骤1：KR脱硫，脱硫后铁水硫含量≤0.0015%；步骤2：转炉吹炼，转炉出钢后钢包顶渣厚度≤30mm；步骤3：RH真空处理，RH脱碳结束后，加入铝粒脱氧后钢液循环3‑5min，提升气体流量至0.8‑1.0m3/（h·t）；随后加入合金进行脱氧合金化，提升气体流量至0.5‑0.7m3/（h·t）；步骤4：连续浇注，长水口氩气流量150‑200L/min，连铸塞棒氩气流量5‑10L/min，背压≥0.05bar。本申请的控制方法控制结晶器液面波动≤±1.5mm的比例稳定在90%以上。